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本公开提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括一半导体基底、一第一氧化层、一位元线接触、一位元线、一第一氮化层，以及一第二氮化层。半导体基底具有一基部以及从基部延伸且彼此分隔的多个突部。第一氧化层设置在相邻二突部之间，且暴露出突部...
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