存储器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种存储器。通过使存储器中的位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上具有较大的开口尺寸，从而在制备位线接触部时，将有利于提高位线接触窗其端部位置中的导电材料的去除效果，以避免在位线接触窗中出现导电材料残留的问题，提高存储器的器件性能。

storage

【技术实现步骤摘要】
存储器
本技术涉及半导体
，特别涉及一种存储器。
技术介绍
存储器，例如动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)，其通常包括存储电容器以及电性连接所述存储电容器的存储晶体管。基于现有的存储器而言，目前仍存在制作难度大、制备工艺较为繁琐的问题。举例而言，在制备嵌入至衬底中的位线接触部时，通常是先形成位线接触窗在衬底中，接着填充导电材料在所述位线接触窗中，最后利用刻蚀工艺去除位线接触窗中的部分导电材料，以形成位线接触部。然而，在刻蚀去除位线接触窗中的导电材料时，常常会存在刻蚀不净的问题，进而容易引起器件漏电流的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种存储器，以解决现有的存储器存在导电材料残留，而容易引发器件漏电流的问题。为解决上述技术问题，本技术提供一种存储器，包括衬底和形成在所述衬底上的位线，所述位线沿着第一方向延伸。其中，所述衬底中形成有多个有源区，以及所述衬底中还形成有位线接触窗，至少部分所述有源区暴露于所述位线接触窗，并且所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上的开口尺寸大于所述位线接触窗在位线的延伸方向上的开口尺寸。以及，所述存储器还包括位线接触部，所述位线接触部形成在所述位线接触窗中并与所述有源区电性连接，以及所述位线覆盖所述位线接触部的顶表面，并且所述位线接触部在垂直于位线的延伸方向上的宽度尺寸小于所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上的开口尺寸，以使所述位线接触部的外侧壁和所述位线接触窗的沟槽侧壁相互间隔。r>可选的，所述位线接触部在垂直于位线的延伸方向上的宽度尺寸小于所述位线接触部在位线的延伸方向上的宽度尺寸。可选的，所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上的开口尺寸大于等于2倍的最小特征尺寸，以及所述位线接触窗在位线的延伸方向上的开口尺寸小于2倍的最小特征尺寸。可选的，所述位线接触窗的形状为椭圆状，并且所述位线接触窗的所述椭圆状的长轴方向垂直于位线的延伸方向。可选的，所述位线和所述位线接触部在垂直于位线的延伸方向上的宽度尺寸均大于等于一个最小特征尺寸。可选的，所述存储器还包括字线，所述字线掩埋在所述衬底中并沿着第二方向延伸，以和相应的有源区相交，并且所述有源区中与所述字线相交的部分位于所述有源区中暴露于所述位线接触窗的部分的侧边。可选的，所述位线接触窗在位线的延伸方向上还横向延伸至所述字线的上方。可选的，所述衬底中形成有字线沟槽，所述字线填充在所述字线沟槽中，并且所述字线的顶部位置低于所述字线沟槽的顶部位置，以及在所述字线沟槽高于字线的空间中还填充有间隔绝缘层，所述位线接触窗在位线的延伸方向上横向延伸至字线上方的所述间隔绝缘层中。可选的，所述位线接触窗横向延伸至所述间隔绝缘层中的部分的宽度尺寸小于0.6倍的最小特征尺寸。可选的，所述间隔绝缘层具有一隙缝，所述位线接触窗横向延伸至所述间隔绝缘层的缝隙，以和所述缝隙直接接触。可选的，所述存储器还包括沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构形成在所述衬底中并围绕在所述有源区的外围；以及，所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上还横向延伸至所述沟槽隔离结构中。可选的，所述位线接触窗横向延伸在所述沟槽隔离结构中的部分的宽度尺寸大于等于0.5倍的最小特征尺寸。可选的，所述衬底中形成有字线沟槽，所述字线沟槽中依次填充有字线和间隔绝缘层，以及所述字线沟槽位于所述位线接触窗的侧边，所述位线接触窗在位线的延伸方向上还横向延伸至所述间隔绝缘层中。可选的，所述位线接触窗对应在所述沟槽隔离结构中的第一沟槽侧壁的平均斜率大于所述位线接触窗对应在所述间隔绝缘层中的第二沟槽侧壁的平均斜率。可选的，所述位线接触部的顶表面高于所述衬底的顶表面；以及，所述存储器还包括连接部，所述连接部形成在所述衬底的顶表面上并和所述位线接触部沿着位线的延伸方向交替排布，以连接相邻的位线接触部，以及所述位线还覆盖所述连接部的顶表面。在本技术提供的存储器中，位线接触窗其在垂直于位线的延伸方向上具有较大的开口尺寸(例如，大于位线接触窗在位线的延伸方向上的开口尺寸)，从而在刻蚀位线接触窗中的导电材料以制备位线接触部时，即相当于增加了导电材料的去除空间，有利于实现位线接触窗其端部位置(例如，沟槽侧壁和拐角处)的导电材料的去除，改善位于位线接触窗的端部位置中的导电材料容易出现刻蚀不净的问题。并且，由于位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上具有较大的宽度尺寸，从而使得位线接触部的外侧壁和与之正对的位线接触窗的沟槽侧壁之间相应的具备较大的间隔空间，如此即有利于后续绝缘材料的填充，以保障对位线接触部的电性隔离。附图说明图1为本技术一实施例中的存储器的俯视图；图2a为图1所示的本技术一实施例中的存储器沿着aa’方向的剖面示意图；图2b为图1所示的本技术一实施例中的存储器沿着bb’方向的剖面示意图；图3为本技术一实施例中的存储器的形成方法的流程示意图；图4a为本技术一实施例中的存储器的形成方法在其执行步骤S100时的俯视图；图4b为本技术一实施例中的存储器的形成方法在其执行步骤S100时的剖面示意图；图5a和图6a为本技术一实施例中的存储器的形成方法在其执行步骤S200时的俯视图；图5b和图6b为本技术一实施例中的存储器的形成方法在其执行步骤S200时的剖面示意图；图7a为本技术一实施例中的存储器的形成方法在其执行步骤S300时的俯视图；图7b为本技术一实施例中的存储器的形成方法在其执行步骤S300时的剖面示意图；图8a为本技术一实施例中的存储器的形成方法在其执行步骤S400时的俯视图；图8b为本技术一实施例中的存储器的形成方法在其执行步骤S400时的剖面示意图；图9a为本技术一实施例中的存储器的形成方法在其执行步骤S500时的俯视图；图9b为本技术一实施例中的存储器的形成方法在其执行步骤S500时的剖面示意图。其中，附图标记如下：100-衬底；110-位线接触窗；110a-第一沟槽侧壁；110b-第二沟槽侧壁；210-导电层；220-遮蔽层；300-间隔绝缘层；400-沟槽隔离结构；500-连接部；600-隔离层；700-掩膜层；700a-开口；800-导电材料层；800a-填充部；800b-上层部；AA-有源区；BL-位线；WL-字线；S/D1-第一源/漏区；S/D2-第二源/漏区。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术提出的存储器作进一步详细说明。根据下面说明，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括衬底和形成在所述衬底上的位线，所述位线沿着第一方向延伸；其中，/n所述衬底中形成有多个有源区，以及所述衬底中还形成有位线接触窗，至少部分所述有源区暴露于所述位线接触窗，并且所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上的开口尺寸大于所述位线接触窗在位线的延伸方向上的开口尺寸；/n以及，所述存储器还包括位线接触部，所述位线接触部形成在所述位线接触窗中并与所述有源区电性连接，以及所述位线覆盖所述位线接触部的顶表面，并且所述位线接触部在垂直于位线的延伸方向上的宽度尺寸小于所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上的开口尺寸，以使所述位线接触部的外侧壁和所述位线接触窗的沟槽侧壁相互间隔。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括衬底和形成在所述衬底上的位线，所述位线沿着第一方向延伸；其中，
所述衬底中形成有多个有源区，以及所述衬底中还形成有位线接触窗，至少部分所述有源区暴露于所述位线接触窗，并且所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上的开口尺寸大于所述位线接触窗在位线的延伸方向上的开口尺寸；
以及，所述存储器还包括位线接触部，所述位线接触部形成在所述位线接触窗中并与所述有源区电性连接，以及所述位线覆盖所述位线接触部的顶表面，并且所述位线接触部在垂直于位线的延伸方向上的宽度尺寸小于所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上的开口尺寸，以使所述位线接触部的外侧壁和所述位线接触窗的沟槽侧壁相互间隔。


2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上的开口尺寸大于等于2倍的最小特征尺寸，以及所述位线接触窗在位线的延伸方向上的开口尺寸小于2倍的最小特征尺寸，其中所述位线接触窗的形状为椭圆状，并且所述位线接触窗的所述椭圆状的长轴方向垂直于位线的延伸方向。


3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述衬底中形成有字线沟槽，所述字线沟槽中填充有字线，并且所述字线的顶部位置低于所述字线沟槽的顶部位置，以及在所述字线沟槽高于字线的空间中还填充有...

【专利技术属性】
技术研发人员：童宇诚，赖惠先，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35