形成集成式组合件的方法技术

一些实施例包含一种形成集成式组合件的方法。提供具有导电线且具有轨道的结构，所述轨道位于所述导电线上方且沿与所述导电线交叉的方向延伸。所述轨道中的每一者包含半导体材料的柱。所述轨道具有沿着所述轨道之间的空间的侧壁表面。所述柱具有上部分段、中间分段及下部分段。沿着所述轨道的所述侧壁表面形成第一材料衬里。在所述衬里上方形成第二材料。移除所述衬里的第一区段以在所述第二材料与所述轨道的所述侧壁表面之间形成间隙。所述衬里的第二区段保留于所述间隙下方。在所述间隙内形成导电材料。所述导电材料配置为沿着所述柱的所述中间分段的导电线。

Method of forming integrated assembly

【技术实现步骤摘要】
形成集成式组合件的方法
形成具有沿着半导体柱的侧壁表面的导电材料的集成式组合件的方法。
技术介绍
集成电路可包含垂直延伸的半导体材料柱。此些柱可布置成阵列。阵列可视为包括行及列，其中列与行交叉。柱可并入到晶体管中。晶体管可包括沿着柱的导电栅极。导电字线可沿着阵列的行延伸，且可与晶体管的导电栅极电耦合。在一些应用中，晶体管可与电荷存储装置(例如，电容器)耦合，且借此并入到动态随机存取存储器(DRAM)的存储器单元中。除DRAM之外，晶体管还可用于其它存储器中，且作为对存储器的替代或除存储器之外，晶体管还可用于其它应用中，例如传感器、逻辑等。集成电路制作的持续目标是增加集成密度，且相关联目标是将装置按比例缩小到越来越小的尺寸。开发用于制作晶体管的经改善方法及开发包括此类晶体管的新的架构将是合意的。
技术实现思路
在一个方面中，本申请案提供一种形成集成式组合件的方法，其包括：提供具有沿着第一方向延伸的间隔开的导电线且具有轨道的结构，所述轨道位于所述导电线上方且沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸；所述轨道中的每一者包括通过绝缘材料的介入区彼此间隔开的半导体材料的柱；所述轨道通过介入空间彼此横向上间隔开；所述轨道具有沿着所述空间的侧壁表面；所述柱具有上部分段、中间分段及下部分段；沿着所述轨道的所述侧壁表面形成衬里，所述衬里包括第一材料；在所述衬里上方形成第二材料；移除所述衬里的第一区段以在所述第二材料与所述轨道的所述侧壁表面之间形成间隙；所述衬里的第二区段保留于所述间隙下方；及在所述间隙内形成导电材料；所述导电材料配置为沿着所述第二方向延伸的导电线；所述导电线沿着所述柱的所述中间分段。在另一方面中，本申请案进一步提供一种形成集成式组合件的方法，其包括：提供具有半导体材料的第一面板及绝缘材料的第二面板的结构；所述第一与第二面板沿着第一方向延伸且沿着与所述第一方向交叉的第二方向彼此交替；形成延伸到所述结构中的沟槽；所述沟槽沿着所述第二方向延伸；所述沟槽将所述结构的上部部分形成为轨道；所述轨道包括所述半导体材料的柱；所述沟槽的内部表面包含所述轨道的侧壁表面；所述柱具有上部分段、中间分段及下部分段；形成在所述轨道上方且沿着所述沟槽的所述内部表面延伸的第一材料；所述第一材料形成沿着所述轨道的所述侧壁表面延伸的衬里；在所述第一材料上方且在所述沟槽内形成第二材料；相对于所述第一材料选择性地移除所述第二材料的一部分以使所述第二材料的上部表面凹陷；移除所述衬里的第一区段以在所述第二材料与所述轨道的所述侧壁表面之间形成间隙；所述衬里的第二区段保留于所述间隙下方；及在所述间隙内形成导电材料；所述导电材料配置为沿着所述第二方向延伸的导电线；所述导电线包括沿着所述柱的所述中间分段的晶体管栅极。在又一方面中，本申请案进一步提供一种形成集成式组合件的方法，其包括：提供具有半导体材料的第一面板及绝缘材料的第二面板的结构；所述第一与第二面板沿着第一方向延伸且沿着与所述第一方向交叉的第二方向彼此交替；所述半导体材料的面板位于沿着所述第一方向延伸的导电线上方；形成延伸到所述结构中的沟槽；所述沟槽沿着所述第二方向延伸；所述沟槽将所述结构的上部部分形成为轨道；所述轨道包括所述半导体材料的柱；所述柱通过所述轨道内的介入绝缘区彼此间隔开；所述沟槽的内部表面包含所述轨道的侧壁表面及沿着所述轨道之间的空间的底部表面；所述第一面板的所述半导体材料的下部部分保留于所述轨道及所述沟槽下方，且配置为在所述沟槽及所述柱下方通过的半导体材料线；所述半导体材料线及所述导电线一起形成沿着所述第一方向延伸的数字线；所述柱具有上部分段、下部分段及中间分段；所述上部及下部分段分别包括第一及第二源极/漏极区，且所述中间分段包括沟道区；下部源极/漏极区与所述数字线耦合；形成第一材料的衬里，其中所述衬里在所述轨道上方且沿着所述轨道的所述侧壁表面延伸；在所述轨道上方且在所述沟槽内形成第二材料，所述第二材料形成于所述衬里上方；形成延伸跨越所述第一及第二材料的经平面化表面；使所述沟槽内的所述第二材料的上部表面凹陷；移除所述衬里的第一区段以在所述第二材料与所述轨道的所述侧壁表面之间形成间隙；所述衬里的第二区段保留于所述间隙下方；及在所述间隙内形成导电材料；所述导电材料包含于沿着所述第二方向延伸的字线内；所述字线沿着所述柱的所述沟道区。附图说明图1是在实例性过程阶段处实例性组合件的图解性三维视图。图2到4是图1的组合件的二维视图。图2是图解性俯视图。图3是沿着图2及4的线3-3的图解性横截面侧视图。图4是沿着图2及3的线4-4的图解性横截面侧视图。图5到7是在图2到4的实例性处理阶段之后的实例性处理阶段处图2到4的组合件的视图。图5是图解性俯视图。图6是沿着图5及7的线6-6的图解性横截面侧视图。图7是沿着图5及6的线7-7的图解性横截面侧视图。图8到15是在图6的实例性处理阶段之后的实例性处理阶段处沿着与图6相同的横截面的图解性横截面侧视图。图16是实例性存储器阵列的区的示意图。图17是在类似于图6的实例性处理阶段的实例性处理阶段处展示的替代实例性组合件的沿着与图6相同的横截面的图解性横截面侧视图。图18到21是在可跟在图17的实例性处理阶段之后的实例性处理阶段处展示的图17的实例性组合件的图解性横截面侧视图。图22及23是可跟在图12的过程阶段之后的实例性过程阶段的图解性横截面侧视图。图24到26是可跟在图13的过程阶段之后的实例性过程阶段的图解性横截面侧视图。图27是可跟在图14的过程阶段之后的实例性过程阶段的图解性横截面侧视图。图28是可跟在图14的过程阶段之后的实例性过程阶段的图解性横截面侧视图。图29到31是可跟在图28的过程阶段之后的实例性处理阶段的图解性横截面侧视图。图32是可跟在图11的过程阶段之后的实例性过程阶段的图解性横截面侧视图。图33及34是可跟在图32的过程阶段之后的实例性过程阶段的图解性横截面侧视图。具体实施方式一些实施例包含其中将第一材料衬里形成为介于半导体材料柱与额外材料之间的方法。移除所述衬里的上部区段以在所述衬里的剩余下部区段上方留下间隙。在所述间隙内形成导电材料且将其图案化成字线。随后可以或可以不移除所述额外材料，且随后可以或可以不移除所述衬里的所述下部区段。参考图1到34描述实例性实施例。参考图1，组合件(即，构造)10包括由基底12支撑的结构14。基底12可包括半导体材料，且可(举例来说)包括单晶硅、基本上由单晶硅组成，或由单晶硅组成。基底12可称为半导体衬底。术语“半导体衬底”意指包括半导电材料的任何构造，所述半导电材料包含(但不限于)块体半导电材料，例如半导电晶片(单独的或处于包括其它材料的组合件中)，以及半导电材料层(单独的或处于包括其它材料的组合件中)。术语“衬底”是指任何支撑结构，包含(但不限于)上文所描述的半导体衬底。在一些应用中，基底12可对应于含有一或多种与集成电路制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成集成式组合件的方法，其包括：/n提供具有沿着第一方向延伸的间隔开的导电线且具有轨道的结构，所述轨道位于所述导电线上方且沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸；所述轨道中的每一者包括通过绝缘材料的介入区彼此间隔开的半导体材料的柱；所述轨道通过介入空间彼此横向上间隔开；所述轨道具有沿着所述空间的侧壁表面；所述柱具有上部分段、中间分段及下部分段；/n沿着所述轨道的所述侧壁表面形成衬里，所述衬里包括第一材料；/n在所述衬里上方形成第二材料；/n移除所述衬里的第一区段以在所述第二材料与所述轨道的所述侧壁表面之间形成间隙；所述衬里的第二区段保留于所述间隙下方；及/n在所述间隙内形成导电材料；所述导电材料配置为沿着所述第二方向延伸的导电线；所述导电线沿着所述柱的所述中间分段。/n

【技术特征摘要】
20181003 US 16/150,4121.一种形成集成式组合件的方法，其包括：
提供具有沿着第一方向延伸的间隔开的导电线且具有轨道的结构，所述轨道位于所述导电线上方且沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸；所述轨道中的每一者包括通过绝缘材料的介入区彼此间隔开的半导体材料的柱；所述轨道通过介入空间彼此横向上间隔开；所述轨道具有沿着所述空间的侧壁表面；所述柱具有上部分段、中间分段及下部分段；
沿着所述轨道的所述侧壁表面形成衬里，所述衬里包括第一材料；
在所述衬里上方形成第二材料；
移除所述衬里的第一区段以在所述第二材料与所述轨道的所述侧壁表面之间形成间隙；所述衬里的第二区段保留于所述间隙下方；及
在所述间隙内形成导电材料；所述导电材料配置为沿着所述第二方向延伸的导电线；所述导电线沿着所述柱的所述中间分段。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述轨道的所述侧壁表面的第一部分位于所述间隙上面，且其中所述导电材料经形成为完全填充所述间隙且沿着所述轨道的所述侧壁表面的所述第一部分延伸。


3.根据权利要求2所述的方法，其中所述导电线并入到存储器阵列的字线中，且其中沿着所述侧壁表面的所述第一部分的所述导电材料中的至少一些保留为所述字线的上部部分。


4.根据权利要求3所述的方法，其中所述间隙内的所述导电材料包括所述字线的下部部分；且其中所述字线的所述上部部分比所述字线的所述下部部分横向上厚。


5.根据权利要求2所述的方法，其中移除沿着所述侧壁表面的所述第一部分的所述导电材料以留下仅在所述间隙内的所述导电线。


6.根据权利要求1所述的方法，其中：
底部表面沿着所述轨道之间的所述介入空间；
所述衬里沿着所述底部表面以及沿着所述侧壁表面延伸；且
所述衬里的所述第二区段沿着所述底部表面且部分地沿所述侧壁表面向上延伸。


7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括在于所述间隙内形成所述导电材料之后，从所述衬里的所述第二区段上方移除所述第二材料。


8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一材料包括氮化硅，且其中所述第二材料包括二氧化硅。


9.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一材料包括氮化硅，且其中所述第二材料基本上由硅组成。


10.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一材料包括氮化硅，且其中所述第二材料包括多晶硅。


11.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括移除所述衬里的所述第二区段。


12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一材料包括多晶硅，且其中所述第二材料包括二氧化硅。


13.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电材料是第一导电材料且经形成为在所述间隙的下部区内而留下所述间隙的上部区保留于所述下部区上方；其中在剩余上部区内形成第二导电材料；且其中所述第二导电材料包括不同于所述第一导电材料的组合物。


14.一种形成集成式组合件的方法，其包括：
提供具有半导体材料的第一面板及绝缘材料的第二面板的结构；所述第一与第二面板沿着第一方向延伸且沿着与所述第一方向交叉的第二方向彼此交替；
形成延伸到所述结构中的沟槽；所述沟槽沿着所述第二方向延伸；所述沟槽将所述结构的上部部分形成为轨道；所述轨道包括所述半导体材料的柱；所述沟槽的内部表面包含所述轨道的侧壁表面；所述柱具有上部分段、中间分段及下部分段；
形成在所述轨道上方且沿着所述沟槽的所述内部表面延伸的第一材料；所述第一材料形成沿着所述轨道的所述侧壁表面延伸的衬里；
在所述第一材料上方且在所述沟槽内形成第二材料；
相对于所述第一材料选择性地移除所述第二材料的一部分以使所述第二材料的上部表面凹陷；
移除所述衬里的第一区段以在所述第二材料与所述轨道的所述侧壁表面之间形成间隙；所述衬里的第二区段保留于所述间隙下方；及
在所述间隙内形成导电材料；所述导电材料配置为沿着所述第二方向延伸的导电线；所述导电线包括沿着所述柱的所述中间分段的晶体管栅极。


15.根据权利要求14所述的方法，其中：
所述第一面板的所述半导体材料的下部部分保留于所述轨道及所述沟槽下方，且配置为在所述沟槽及所述柱下方通过的半导体材料线；
所述沟槽的内部区包含沿着所述轨道之间的空间的底部表面，其中所述底部表面对应于所述半导体材料线的上部表面；
所述衬里沿着所述底部表面以及沿着所述侧壁表面延伸；且
所述衬里的所述第二区段沿着所述底部表面且部分地沿所述侧壁表面向上延伸。


16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括在于所述间隙内形成所述导电材料之后，从所述衬里的所述第二区段上方移除所述第二材料。


17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括移除所述衬里的所述第二区段。


18.根据权利要求14所述的方法，其中所述轨道的所述侧壁表面的第一部分位于所述间隙上面，且其中所述导...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宏，R·I·文卡塔纳拉亚南，山·D·唐，E·L·珀尔斯特拉，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US