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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
下文大体上涉及用于存储器的一或多个系统,并且更具体地说,涉及用于分组存储器裸片的裸片位置检测。
技术介绍
1、存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说,二进制存储器单元可被编程为两种支持状态中的一种,通常由逻辑1或逻辑0标示。在一些实例中,单一存储器单元可支持多于两种状态,可存储所述两种状态中的任一种。为存取所存储信息,组件可读取或感测存储器装置中的至少一种所存储状态。为存储信息,组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。
2、存在各种类型的存储器装置和存储器单元,包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可为易失性或非易失性的。例如feram的非易失性存储器即使在无外部电源存在的情况下仍可长时间维持其所存储的逻辑状态。例如dram的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失其所存储状态。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种设备,其包括:
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一电路包括:
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述第一电路包括:
4.根据权利要求3所述的设备,其进一步包括:
5.根据权利要求2所述的设备,其中所述第二电路包括:
6.根据权利要求5所述的设备,其中:
7.根据权利要求6所述的设备,其中所述第一信号经配置以:
8.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:
9.根据权利要求8所述的设备,其进一步包括:
10.根据权利要求1所述的设备,其中:
11.根据权利要求1所述的设备,其中:
12.一种方法,其包括:
13.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括:
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述非易失性只读存储器包括熔丝阵列或反熔丝阵列。
15.根据权利要求13所述的方法,其中将所述第一识别符或所述第二识别符或这两者存储在所述非易失性只读存储器中包括:
16.根据权利要求13所述的方法,
17.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括:
18.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一存储器裸片的所述第一电路和所述第二存储器裸片的所述第二电路与接合线耦合,所述方法进一步包括:
19.根据权利要求18所述的方法,其进一步包括:
20.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括:
21.根据权利要求20所述的方法,其进一步包括:
22.根据权利要求12所述的方法,其中:
23.根据权利要求22所述的方法,其中:
24.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一电路和所述第二电路经由弱下拉电路与接地节点耦合。
25.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一识别符包括所述第一存储器裸片为接口裸片的指示,且所述第二识别符包括所述第二存储器裸片为链接裸片的指示。
26.一种设备,其包括:
27.根据权利要求26所述的设备,其中所述控制器经配置以使所述设备:
28.根据权利要求27所述的设备,其中所述非易失性只读存储器包括熔丝阵列或反熔丝阵列。
29.根据权利要求27所述的设备,其中,为将所述第一识别符或所述第二识别符或这两者存储在所述非易失性只读存储器中,所述控制器能够操作以使所述设备:
30.根据权利要求27所述的设备,其中所述控制器经配置以使所述设备:
31.根据权利要求26所述的设备,其中所述控制器经配置以使所述设备:
32.根据权利要求26所述的设备,其中所述第一存储器裸片的所述第一电路和所述第二存储器裸片的所述第二电路与接合线耦合,且其中所述控制器经配置以使所述设备:
33.根据权利要求32所述的设备,其中所述控制器经配置以使所述设备:
34.一种设备,其包括:
35.一种存储包括指令的代码的非暂时性计算机可读媒体,所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置:
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种设备,其包括:
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一电路包括:
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述第一电路包括:
4.根据权利要求3所述的设备,其进一步包括:
5.根据权利要求2所述的设备,其中所述第二电路包括:
6.根据权利要求5所述的设备,其中:
7.根据权利要求6所述的设备,其中所述第一信号经配置以:
8.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:
9.根据权利要求8所述的设备,其进一步包括:
10.根据权利要求1所述的设备,其中:
11.根据权利要求1所述的设备,其中:
12.一种方法,其包括:
13.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括:
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述非易失性只读存储器包括熔丝阵列或反熔丝阵列。
15.根据权利要求13所述的方法,其中将所述第一识别符或所述第二识别符或这两者存储在所述非易失性只读存储器中包括:
16.根据权利要求13所述的方法,其进一步包括:
17.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括:
18.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一存储器裸片的所述第一电路和所述第二存储器裸片的所述第二电路与接合线耦合,所述方法进一步包括:
19.根据权利要求18所述的方法,其进一步包括:
20.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括:
21.根...
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