闪存器件的形成方法技术

本发明专利技术提供一种闪存器件的形成方法，在本发明专利技术提供的闪存器件的形成方法中，通过形成覆盖所述闪存区的所述半导体衬底的保护层，从而避免在后续去除所述逻辑区的所述介质层时，对所述闪存区的所述介质层造成损伤。进一步的，由于所述半导体衬底覆盖有所述介质层，在后续去除所述保护层和剩余的所述介质层的过程中，能够避免对所述半导体衬底造成损伤。

The forming method of flash memory device

【技术实现步骤摘要】
闪存器件的形成方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种闪存器件的形成方法。
技术介绍
随着闪存应用的不断普及，闪存器件越来越受到重视，闪存存储器因其具有容量大、功耗低、成本低、读写速度快等优点，是目前应用最为广泛的非易失性存储器之一。在闪存存储器中，NOR闪存(NORFlash)和NAND闪存(NandFlash)是两种最主要的产品。与NAND闪存相比，NOR闪存更为可靠，处理小数据量时速度更快，并且具有芯片内执行的能力，在数据量较小的场合以及程序存储器领域有着广泛的应用。如今，NOR闪存已经进入65nm的大规模量产阶段，根据摩尔定律，55&50nm节点NOR闪存的研发与量产是存储芯片制造业发展的必然。更先进的技术节点意味着更小的闪存单元尺寸，即更小的有源区宽度和间隙宽度，这会对闪存芯片的制备带来更大的工艺挑战。闪存器件的栅极结构位于所述半导体衬底表面，在栅极结构周围形成有侧墙，在侧墙工艺流程中采用的是整体刻蚀的方式，对侧墙刻蚀时也会对半导体衬底造成刻蚀，多次刻蚀会去除半导体表面的保护层，导致刻蚀气体或者液体很容易与半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存器件的形成方法，其特征在于，所述闪存器件的形成方法包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底包括闪存区和逻辑区，所述闪存区的所述半导体衬底上形成有栅极结构；/n形成介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构及所述半导体衬底表面；/n形成保护层，所述保护层覆盖所述闪存区的所述半导体衬底；/n去除所述逻辑区的所述介质层，暴露出所述逻辑区的所述半导体衬底；/n对所述逻辑区的所述半导体衬底进行离子注入工艺；/n去除所述保护层和剩余的所述介质层。/n

【技术特征摘要】
1.一种闪存器件的形成方法，其特征在于，所述闪存器件的形成方法包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括闪存区和逻辑区，所述闪存区的所述半导体衬底上形成有栅极结构；
形成介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构及所述半导体衬底表面；
形成保护层，所述保护层覆盖所述闪存区的所述半导体衬底；
去除所述逻辑区的所述介质层，暴露出所述逻辑区的所述半导体衬底；
对所述逻辑区的所述半导体衬底进行离子注入工艺；
去除所述保护层和剩余的所述介质层。


2.如权利要求1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的侧面形成有侧墙层，在形成所述介质层时，所述介质层覆盖所述栅极结构顶面和所述侧墙层。


3.如权利要求2所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙层的形成方法包括：
形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖所述栅极结构的顶面和侧面及所述半导体衬底表面；
去除所述栅极结构顶面...

【专利技术属性】
技术研发人员：田伟思，邹荣，张金霜，王奇伟，陈昊瑜，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31