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本发明提供一种闪存器件的形成方法，在本发明提供的闪存器件的形成方法中，通过形成覆盖所述闪存区的所述半导体衬底的保护层，从而避免在后续去除所述逻辑区的所述介质层时，对所述闪存区的所述介质层造成损伤。进一步的，由于所述半导体衬底覆盖有所述介质层...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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