存储结构制造技术

一种存储结构，包括：半导体衬底，半导体衬底上形成有行列排布的若干分立的有源区，相邻有源区之间具有第一凹槽，第一凹槽中填充满绝缘层；位于每个有源区中的沿行方向分布的两个第二凹槽，所述两个第二凹槽将每个有源区分成位于中间的漏极和分别位于漏极两侧的两个源极；位于第二凹槽底部两侧的部分绝缘层中的第三凹槽，第三凹槽至少暴露出第二凹槽底部的有源区两侧侧壁的部分表面，且第三凹槽与相应的第二凹槽连通，沿行方向上相邻的两个所述第三凹槽之间不连通；位于第二凹槽和第三凹槽中栅极结构。本实用新型专利技术的存储结构减小了漏电流的大小。

storage structure

【技术实现步骤摘要】
存储结构
本技术涉及存储器领域，尤其涉及一种存储结构。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。但是现有的存储器中由电容器和晶体管组成的存储结构存在漏电流的问题，存储器的性能仍有待提升。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是减小存储器中由电容器和晶体管组成的存储结构的漏电流。本技术提供了一种存储结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有行列排布的若干分立的有源区，相邻有源区之间具有第一凹槽，所述第一凹槽中填充满绝缘层；位于每个有源区中的沿行方向分布的两个第二凹槽，所述两个第二凹槽将每个有源区分成位于中间的漏极和分别位于漏极两侧的两个源极；；位于所述第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储结构，其特征在于，包括：/n半导体衬底，所述半导体衬底上形成有行列排布的若干分立的有源区，相邻有源区之间具有第一凹槽，所述第一凹槽中填充满绝缘层；/n位于每个有源区中的沿行方向分布的两个第二凹槽，所述两个第二凹槽将每个有源区分成位于中间的漏极和分别位于漏极两侧的两个源极；/n位于所述第二凹槽底部两侧的部分绝缘层中的第三凹槽，所述第三凹槽至少暴露出第二凹槽底部的有源区两侧侧壁的部分表面，且所述第三凹槽与相应的第二凹槽连通，沿行方向上相邻的两个所述第三凹槽之间不连通；/n位于所述第二凹槽和第三凹槽中栅极结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储结构，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底上形成有行列排布的若干分立的有源区，相邻有源区之间具有第一凹槽，所述第一凹槽中填充满绝缘层；
位于每个有源区中的沿行方向分布的两个第二凹槽，所述两个第二凹槽将每个有源区分成位于中间的漏极和分别位于漏极两侧的两个源极；
位于所述第二凹槽底部两侧的部分绝缘层中的第三凹槽，所述第三凹槽至少暴露出第二凹槽底部的有源区两侧侧壁的部分表面，且所述第三凹槽与相应的第二凹槽连通，沿行方向上相邻的两个所述第三凹槽之间不连通；
位于所述第二凹槽和第三凹槽中栅极结构。


2.如权利要求1所述的存储结构，其特征在于，所述两个第二凹槽之间的有源区侧壁上以及绝缘层中形成有抗刻蚀介电层，所述抗刻蚀介电层的材料与绝缘层的材料不相同。


3.如权利要求2所述的存储结构，其特征在于，所述抗刻蚀介电层的深度大于第三凹槽和第二凹槽的总深度，所述抗刻蚀介电层沿列方向上的宽度大于第三凹槽沿列方向上的宽度。


4.如权利要求1所述的存储结构，其特征在于，所述第二凹槽的侧壁形成有保护侧墙。


5.如权利要求1所述的存储结构，其特征在于，所述第一凹槽包括沿列方向排布的第一沟槽和沿行方向排布的第二沟槽，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34