【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体封装结构及其制备方法。
技术介绍
1、半导体封装是将多个半导体器件以纵向堆叠或者横向并排的方式排布于封装结构中，并利用封装结构对半导体器件形成保护效果，被广泛地应用到半导体设备或装置中。
2、半导体封装包括封装基板、待封装半导体器件和封装层。待封装半导体器件可以为多个芯片，多个芯片堆叠或者并排排布于封装基板上，多个芯片的外部通过封装层进行封装，避免芯片外露，保证对芯片的保护效果。其中，不同芯片之间设置有硅中介层(siinterposer)作为金属互连结构，实现不同芯片之间的信号连接。硅中介层中设置有硅通孔结构(through silicon vias，简称tsv)和深槽电容(deep trench capacitor，简称dtc)。
3、然而，上述的硅中介层中的深槽电容的结构较为复杂，制备难度较大，且电容量有待提高。
技术实现思路
1、本公开提供一种半导体封装结构及其制备方法，能够有效简化半导体封装结构中的电容的结构，减小其制备难度，同时提高电容量。
2、第一方面，本公开提供一种半导体封装结构，包括中介层、导电通孔和电容；
3、中介层包括沿厚度方向相对的第一面和第二面，导电通孔和电容间隔设置于中介层中；
4、导电通孔的相对两端分别延伸至第一面和第二面；电容包括依次层叠的第一电极层、电容介质层和第二电极层；至少部分第一电极层靠近第一面，且通过第一导电结构，经由第一面电引出中介层；至少部分第
5、在上述的半导体封装结构中，可选的是，电容包括多个，多个电容间隔排布于所述中介层中。
6、在上述的半导体封装结构中，可选的是，第一电极层靠近第一面的一端、导电通孔的靠近第一面的一端以及第一面齐平。
7、在上述的半导体封装结构中，可选的是，还包括第三导电结构，导电通孔的靠近第一面的一端与第三导电结构连接，且通过第三导电结构电引出中介层；
8、第一导电结构和第三导电结构同层同材料。
9、在上述的半导体封装结构中，可选的是，靠近第二面的第二电极层与第二面之间具有间距，第二导电结构嵌设于位于第二面和第二电极层之间的中介层中，第二导电结构的一端与第二电极层连接，第二导电结构的另一端引至第二面。
10、在上述的半导体封装结构中，可选的是，还包括第四导电结构，第四导电结构位于第二面，第二导电结构与第四导电结构连接；
11、当电容有多个时，多个电容的第二电极层均通过第二导电结构与同一个第四导电结构连接；或，第四导电结构有多个，多个电容的第二电极层通过对应的第二导电结构与不同的第四导电结构连接。
12、在上述的半导体封装结构中，可选的是，还包括第五导电结构，第五导电结构位于第二面，导电通孔的靠近第二面的一端与第二面齐平，并与第五导电结构连接，且通过第五导电结构电引出中介层。
13、在上述的半导体封装结构中，可选的是，中介层包括中介本体层和电介质层，电介质层靠近中介层的第一面分布，中介本体层靠近中介层的第二面分布；
14、且，至少部分电介质层分布于导电通孔和中介本体层之间；和/或，至少部分电介质层分布于电容与中介本体层之间。
15、第二方面，本公开提供一种半导体封装结构的制备方法，包括：
16、提供中介层，中介层包括沿厚度方向相对的第一面和第二面；
17、在中介层中形成导电通孔和电容，导电通孔和电容间隔排布，导电通孔的相对两端分别延伸至第一面和第二面，电容包括依次层叠的第一电极层、电容介质层和第二电极层；至少部分第一电极层靠近第一面，且通过第一导电结构，经由第一面电引出中介层；至少部分第二电极层靠近第二面，且通过第二导电结构，经由第二面电引出中介层。
18、在上述的半导体封装结构的制备方法中，可选的是，形成导电通孔和电容，包括：
19、在中介层中形成导电通孔；
20、在中介层中形成电容沟槽，电容沟槽的槽底与导电通孔的底部均与中介层的底部具有间距，且电容沟槽的槽底与中介层的底部之间的间距，大于导电通孔的底部与中介层的底部之间的间距；
21、在电容沟槽中形成电容。
22、在上述的半导体封装结构的制备方法中，可选的是，在电容沟槽中形成电容，包括：
23、形成第二电极层，第二电极层位于电容沟槽中，第二电极层中形成第一沟槽；
24、形成电容介质层，电容介质层位于第一沟槽中，电容介质层中形成第二沟槽；
25、形成第一电极层，第一电极层位于第二沟槽中，第一电极层、电容介质层和第二电极层共同形成电容。
26、在上述的半导体封装结构的制备方法中，可选的是，形成电容之后，还包括：
27、平坦化处理导电通孔的顶部、电容的顶部以及中介层的顶部，以使导电通孔的顶面、电容的顶面以及中介层的顶面齐平，中介层的顶面形成第一面；
28、形成第一导电结构和第三导电结构，第一导电结构与第一电极层连接，第三导电结构与导电通孔的顶部连接，第一导电结构和第三导电结构同层同材料。
29、在上述的半导体封装结构的制备方法中，可选的是，形成第一导电结构和第三导电结构之后，还包括：
30、处理中介层的底部，以使导电通孔的底部暴露；被处理后的中介层的底面形成第二面；
31、形成第四沟槽，第四沟槽位于电容的底部的中介层中，并暴露电容的第二电极层；
32、形成第二导电结构，第二导电结构位于第四沟槽中，并与暴露的第二电极层连接；
33、形成第四导电结构，第四导电结构位于中介层的底部，并与第二导电结构连接；
34、形成第五导电结构，第五导电结构位于中介层的底部，并与导电通孔暴露的底部连接。
35、在上述的半导体封装结构的制备方法中，可选的是，电容有多个，多个电容间隔排布于中介层中；
36、多个电容的第二电极层均通过第二导电结构与同一个第四导电结构连接；或，第四导电结构有多个，多个电容的第二电极层通过对应的第二导电结构与不同的第四导电结构连接。
37、在上述的半导体封装结构的制备方法中，可选的是，提供中介层包括：
38、形成中介本体层；
39、形成电介质层，电介质层位于中介本体层上，中介本体层和电介质层共同形成中介层，电介质层靠近中介层的第一面分布，中介本体层靠近中介层的第二面分布；
40、且，至少部分电介质层分布于导电通孔和中介本体层之间；和/或，至少部分电介质层分布于电容与中介本体层之间。
41、本公开提供的半导体封装结构及其制备方法，通过在半导体封装结构中设置中介层、导电通孔和电容，导电通孔和电容间隔设置于中介层中，中介层可以对两者起到保护效果。通过将导电通孔的两端分别延伸至中介层的第一面和第二面，便于通过本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括中介层、导电通孔和电容；
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电容包括多个，多个所述电容间隔排布于所述中介层中。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一电极层靠近所述第一面的一端、所述导电通孔的靠近所述第一面的一端以及所述第一面齐平。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第三导电结构，所述导电通孔的靠近所述第一面的一端与所述第三导电结构连接，且通过所述第三导电结构电引出所述中介层；
5.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，靠近所述第二面的所述第二电极层与所述第二面之间具有间距，所述第二导电结构嵌设于位于所述第二面和所述第二电极层之间的所述中介层中，所述第二导电结构的一端与所述第二电极层连接，所述第二导电结构的另一端引至所述第二面。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第四导电结构，所述第四导电结构位于所述第二面，所述第二导电结构与所述第四导电结构连接
7.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第五导电结构，所述第五导电结构位于所述第二面，所述导电通孔的靠近所述第二面的一端与第二面齐平，并与所述第五导电结构连接，且通过所述第五导电结构电引出所述中介层。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述中介层包括中介本体层和电介质层，所述电介质层靠近所述中介层的第一面分布，所述中介本体层靠近所述中介层的第二面分布；
9.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，形成所述导电通孔和所述电容，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，在所述电容沟槽中形成所述电容，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，形成所述电容之后，还包括：
13.根据权利要求12所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一导电结构和所述第三导电结构之后，还包括：
14.根据权利要求13所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述电容有多个，多个所述电容间隔排布于所述中介层中；
15.根据权利要求9-14中任一项所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，提供所述中介层包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括中介层、导电通孔和电容；
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电容包括多个，多个所述电容间隔排布于所述中介层中。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一电极层靠近所述第一面的一端、所述导电通孔的靠近所述第一面的一端以及所述第一面齐平。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第三导电结构，所述导电通孔的靠近所述第一面的一端与所述第三导电结构连接，且通过所述第三导电结构电引出所述中介层；
5.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，靠近所述第二面的所述第二电极层与所述第二面之间具有间距，所述第二导电结构嵌设于位于所述第二面和所述第二电极层之间的所述中介层中，所述第二导电结构的一端与所述第二电极层连接，所述第二导电结构的另一端引至所述第二面。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第四导电结构，所述第四导电结构位于所述第二面，所述第二导电结构与所述第四导电结构连接；
7.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第五导电结构，所述第五导电...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈军，王春阳，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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