【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体,涉及但不限于一种控制电路及存储器。
技术介绍
1、随着当今科学技术的不断发展,高数据可靠性、高存取速度成为了半导体存储器发展的重要趋势。其中,动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)是一种易失性存储器,并被广泛应用于计算机以及各种电子设备。
2、一般地,存储器中通过延迟锁相环(delay locked loop)电路调节时钟信号的延时,从而使两路信号的相位一致,即边沿对齐。其中,延迟锁相环电路采用占空比校正器(duty cycle corrector,dcc)来调节时钟信号的占空比,从而优化数据窗口。因此,如何缩短存储器中调节时钟信号占空比所需要的时间,成为了业界亟待解决的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此,本公开实施例提供了一种控制电路及存储器。
2、第一方面,本公开实施例提供了一种控制电路,包括:重置信号生成电路,用于接收控制信号和测试模式进入信号,并根据所述控制信号和所述测试模式进入信号,生成并
...【技术保护点】
1.一种控制电路,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号;所述重置信号生成电路包括用于接收所述第一控制信号的第一控制电路,和用于接收所述第二控制信号的第二控制电路;
3.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,
4.根据权利要求3所述的控制电路,其特征在于,所述第一控制电路包括:
5.根据权利要求4所述的控制电路,其特征在于,所述第一运算单元包括:
6.根据权利要求4所述的控制电路,其特征在于,
7.根据权利要求6所述的控制电
...【技术特征摘要】
1.一种控制电路,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号;所述重置信号生成电路包括用于接收所述第一控制信号的第一控制电路,和用于接收所述第二控制信号的第二控制电路;
3.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,
4.根据权利要求3所述的控制电路,其特征在于,所述第一控制电路包括:
5.根据权利要求4所述的控制电路,其特征在于,所述第一运算单元包括:
6.根据权利要求4所述的控制电路,其特征在于,
7.根据权利要求6所述的控制电路,其特征在于,所述缓冲器包括:偶数个级联的反相器。
8.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐玉玲,严允柱,张雪艳,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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