【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别是涉及一种灵敏放大器及其控制方法、存储器。
技术介绍
1、灵敏放大电路(sense amplifier，sa)是实现dram读写以及动态刷新的重要组件，其原理是通过差分放大的原理感应位线上的微小电压变化并放大，从而在执行读取操作时使存储单元的数据被准确读出。然而，由于制程原因可能导致灵敏放大器中的晶体管的尺寸、迁移率、阈值电压等与设计值存在差别，这就会造成设计上性能相同的晶体管对管实际性能不相同，从而导致灵敏放大器失调，出现数据读取不准确的问题。
技术实现思路
1、根据本公开的第一个方面，提供了一种灵敏放大器，包括：
2、感测放大电路，包括第一nmos晶体管和第二nmos晶体管；
3、偏移消除电路，电连接所述感测放大电路，所述偏移消除电路用于对所述第一nmos晶体管的栅极电容和所述第二nmos晶体管的栅极电容充电；
4、隔离电路，电连接所述感测放大电路、第一位线和第二位线，所述隔离电路用于导通所述第一nmos晶体管的栅极电容与所述第...
【技术保护点】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述感测放大电路还包括：
3.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述偏移消除电路包括：
4.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述隔离电路包括：
5.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括预充电电路，所述预充电电路包括：
6.根据权利要求5所述的灵敏放大器，其特征在于，所述均衡晶体管用于在所述偏移消除电路对所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的栅极电容充电时在其栅极电...
【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述感测放大电路还包括：
3.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述偏移消除电路包括：
4.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述隔离电路包括：
5.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括预充电电路，所述预充电电路包括：
6.根据权利要求5所述的灵敏放大器，其特征在于，所述均衡晶体管用于在所述偏移消除电路对所述第一nmos晶体管和所述第二nmos晶体管的栅极电容充电时在其栅极电压作用下具有预设电阻值。
7.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括：
8.一种存储器，其特征在于，包括：
9.一种灵敏放大器的控制方法，其特征在于，所述灵敏放大器包括第一nmos晶体管和第二nmos晶体管；
10.根据权利要求9所述的灵敏放大器的控制方法，其特征在于，所述第一nmos晶体管的阈值电压和所述第二nmos晶体管的阈值电压的差值为失配电压；
11.根据权利要求9所述的灵敏放大器的控制方法，其特征在于，所述灵敏放大器的第一偏移消除晶体管的第一端和第二端分别连接所述第一nmos晶体管的第一端和栅极，第二偏移消除晶体管的第一端和第二端分别连接所述第二nmos晶体管的第一端和栅极；第一隔离晶体管的第一端和第二端分别连接所述第二nmos晶体管的栅极和第一位线，第二隔离晶体管的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王卫涛，罗元钧，吴润锦，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。