【技术实现步骤摘要】
本公开涉及但不限于一种半导体结构、半导体结构的形成方法及存储器。
技术介绍
1、3d堆叠的存储器，能够将多个存储芯片以某种方式组织起来，以获取大容量内存，同时也增加了传输带宽。然而，为了3d堆叠结构的稳定性，形成支撑结构(frame)的步骤成为了不可缺少的。
2、相关技术中，由于需要形成支撑结构，工艺的难度更高，同时，所形成的器件的性能有待提高。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的形成方法及存储器，能够提高整体性能，降低成本。
2、本公开实施例的技术方案是这样实现的：
3、本公开实施例提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：多个存储单元结构；其中，每个所述存储单元结构包括：源极结构、n个沟道结构、n个漏极结构和n+1个栅极结构；n大于等于2；每个所述沟道结构沿第一方向延伸；所述源极结构沿第二方向延伸；所述第一方向相交于所述第二方向；每个所述栅极结构和每个所述沟道结构沿所述第二方向交替排布；沿所述第二方向，每个所述沟道结构位于相邻的两个所述栅极结构之间。
4、上述方案中，每个所述存储单元结构还包括：电容接触结构；所述电容接触结构，连接于n个所述漏极结构远离n个所述沟道结构的一端。
5、上述方案中，每个所述存储单元结构还包括：n+1个第一隔离结构；n+1个所述第一隔离结构形成于n+1个所述栅极结构和所述电容接触结构之间；所述第一隔离结构的材料包括：氧化硅、碳化硅、氮化硅和/或碳氮化硅。
6、上述方案中，每个所述存储单元结构还包括：n+1个空隙结构；n+1个所述空隙结构形成于n+1个所述栅极结构和所述电容接触结构之间；所述空隙结构中填充空气或者惰性气体。
7、上述方案中，所述电容接触结构包括：两个极板、一个接触板和至少一个连接板；两个所述极板均沿所述第一方向延伸；所述接触板和至少一个所述连接板均沿所述第二方向延伸；n个所述漏极结构均连接于所述接触板；所述接触板的两端分别连接于两个所述极板的第一端；所述连接板的两端分别连接于两个所述极板之间。
8、上述方案中，所述电容接触结构的材料包括：金属硅化物。
9、上述方案中，每个所述漏极结构的材料包括：金属硅化物。
10、上述方案中，每个所述存储单元结构还包括：栅氧化层和第二隔离结构；所述栅氧化层形成于所述沟道结构和所述栅极结构之间；所述第二隔离结构形成于所述源极结构和所述栅极结构之间。
11、上述方案中，所述半导体结构还包括：多条位线和多个位线接触结构；每条所述位线沿所述第二方向延伸；每个所述位线接触结构形成于所述源极结构和对应的所述位线之间；所述源极结构，通过所述位线接触结构，电连接所述位线。
12、上述方案中，多条所述位线以及多个所述存储单元结构，沿竖直方向堆叠排布；所述第一方向和所述第二方向均垂直于所述竖直方向；针对堆叠排布的多个所述存储单元结构，其栅极结构沿所述竖直方向延伸且互连。
13、本公开实施例还提供了一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上依次交替沉积多层半导体层和多层牺牲层；对多层所述半导体层和多层所述牺牲层进行刻蚀，将每层所述半导体层刻蚀形成多个有源区和有源区连接结构；其中，每个所述有源区沿第一方向延伸，所述有源区连接结构沿第二方向延伸；每个所述有源区的一端连接于所述有源区连接结构；在每个所述有源区上刻蚀出通孔，从而将每个所述有源区刻蚀形成n个沟道结构、n个漏极结构和电容接触结构；所述通孔沿竖直方向贯穿每个所述有源区；在所述通孔内形成支撑结构；部分刻蚀掉所述支撑结构，并在对应位置填充第一导电材料，形成n+1个栅极结构；其中，每个所述栅极结构和每个所述沟道结构沿所述第二方向交替排布；沿所述第二方向，每个所述沟道结构位于相邻的两个所述栅极结构之间；至少部分去除所述有源区连接结构，并在对应位置分别形成源极结构和位线。
14、上述方案中，所述通孔包括：n+1个第一通孔和至少一个第二通孔；n+1个所述第一通孔沿所述第二方向间隔排布；n+1个所述第一通孔将所述有源区分隔出n个所述沟道结构；至少一个所述第二通孔位于所述有源区沿所述第一方向远离所述有源区连接结构的一端；至少一个所述第二通孔将所述有源区分隔出所述电容接触结构。
15、上述方案中，部分刻蚀掉所述支撑结构，并在对应位置填充第一导电材料，形成n+1个栅极结构，包括：沿所述第一方向，部分刻蚀掉n+1个所述第一通孔内的所述支撑结构，暴露出n个所述沟道结构的侧面以及所述有源区连接结构的侧面；在n个所述沟道结构的侧面上形成栅氧化层，以及，在所述有源区连接结构的侧面上形成第二隔离结构；在n+1个所述第一通孔内，填充所述第一导电材料，从而形成n+1个所述栅极结构。
16、上述方案中，在形成所述栅极结构之后，所述方法还包括：在n+1个所述第一通孔内，去除剩余的所述支撑结构，形成n+1个空隙结构；n+1个所述空隙结构暴露出n个所述漏极结构的侧面；对n个所述漏极结构进行金属硅化处理。
17、上述方案中，在每个所述有源区上刻蚀出通孔之后，所述方法还包括：在所述通孔内，对n个所述沟道结构、n个所述漏极结构和所述电容接触结构进行气相掺杂。
18、上述方案中，至少部分去除所述有源区连接结构，并在对应位置分别形成所述源极结构和所述位线，包括：完全去除所述有源区连接结构；在被完全去除的所述有源区连接结构的对应位置，沉积半导体材料，并按照第一浓度进行气相掺杂，形成源极结构；在所述源极结构表面，沉积所述半导体材料，并按照第二浓度进行气相掺杂，形成位线接触结构；所述第二浓度大于所述第一浓度；在所述位线接触结构表面，沉积第二导电材料，形成沿所述第二方向延伸的所述位线。
19、上述方案中，至少部分去除所述有源区连接结构，并在对应位置分别形成所述源极结构和所述位线，包括：去除所述有源区连接结构的第一部分，保留与所述有源区接触的所述有源区连接结构的第二部分；按照第一浓度，对所述有源区连接结构的第二部分进行气相掺杂，形成源极结构；按照第二浓度，对所述有源区连接结构的第二部分进行气相掺杂，形成位线接触结构；所述第二浓度大于所述第一浓度；在所述位线接触结构表面，沉积第二导电材料，形成沿所述第二方向延伸的所述位线。
20、上述方案中，分别形成所述源极结构和所述位线之后，所述方法还包括：部分刻蚀掉所填充的介质材料，暴露出所述电容接触结构；在所述电容接触结构表面沉积第三导电材料。
21、上述方案中，暴露出所述电容接触结构之后，所述方法还包括：对所述电容接触结构进行金属硅化处理。
22、本公开实施例还提供了一种存储器，所述存储器包括如上述方案中所述的半导体结构。
23、由此可见，本公开实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的形成方法及存储器。其中，半导体结构包括：多个存储单元结构；每个存储单元结构包括：源极结构、n个沟道结构、n个漏极本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：多个存储单元结构；其中，
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个所述存储单元结构还包括：电容接触结构；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，每个所述存储单元结构还包括：n+1个第一隔离结构；
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，每个所述存储单元结构还包括：n+1个空隙结构；
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述电容接触结构包括：两个极板、一个接触板和至少一个连接板；
6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述电容接触结构的材料包括：金属硅化物。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个所述漏极结构的材料包括：金属硅化物。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个所述存储单元结构还包括：栅氧化层和第二隔离结构；
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：多条位线和多个位线接触结构；
10.根据权利要求9所述的半
11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述通孔包括：n+1个第一通孔和至少一个第二通孔；
13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，部分刻蚀掉所述支撑结构，并在对应位置填充第一导电材料，形成n+1个栅极结构，包括：
14.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述栅极结构之后，所述方法还包括：
15.根据权利要求11或12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在每个所述有源区上刻蚀出通孔之后，所述方法还包括：
16.根据权利要求11或12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，至少部分去除所述有源区连接结构，并在对应位置分别形成所述源极结构和所述位线，包括：
17.根据权利要求11或12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，至少部分去除所述有源区连接结构，并在对应位置分别形成所述源极结构和所述位线，包括：
18.根据权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，分别形成所述源极结构和所述位线之后，所述方法还包括：
19.根据权利要求18所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，暴露出所述电容接触结构之后，所述方法还包括：
20.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括如权利要求1至10任一项所述的半导体结构。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：多个存储单元结构；其中，
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个所述存储单元结构还包括：电容接触结构；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，每个所述存储单元结构还包括：n+1个第一隔离结构；
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，每个所述存储单元结构还包括：n+1个空隙结构；
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述电容接触结构包括：两个极板、一个接触板和至少一个连接板；
6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述电容接触结构的材料包括：金属硅化物。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个所述漏极结构的材料包括：金属硅化物。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个所述存储单元结构还包括：栅氧化层和第二隔离结构；
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：多条位线和多个位线接触结构；
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，
11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐怡，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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