【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、存储器件(如dram)中通常具有存储区与周边电路区。存储区中设有存储阵列，周边电路区中设有周边电路。周边电路可以对存储阵列的读写等操作进行控制，其通常包括多个晶体管。各晶体管的栅极结构侧壁均形成有侧墙结构，以对栅极结构进行保护。
2、然而，随着存储器件尺寸的微缩，器件性能仍有待提高。
技术实现思路
1、基于此，本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法。
2、一种半导体结构，包括：
3、基底，具有存储区以及周边电路区，所述周边电路区包括第一区域与第二区域；
4、栅极结构，位于所述第一区域的基底上以及所述第二区域的基底上；
5、第一侧墙结构，位于所述栅极结构的侧壁；
6、第二侧墙结构，位于所述第一侧墙结构的侧壁，且在所述第二区域的所述第二侧墙结构厚度大于在所述第一区域的所述第二侧墙结构厚度。
7、在其中一个实施例中，所述第一侧墙结构包括第一氧化层以及第一氮化层，所述第一氧化层位于所述栅极结构侧壁，所述第一氮化层位于所述第一氧化层侧壁。
8、在其中一个实施例中，所述第二侧墙结构包括：
9、第一介质层，位于所述第一区域以及所述第二区域，且位于所述第一侧墙结构侧壁；
10、第二介质层，位于所述第二区域，且位于所述第一介质层侧壁。
11、在其中一个实施例中，所述第一介质层包括第二氧化层以及
12、在其中一个实施例中，所述第二氧化层的厚度为1nm至3nm，所述第二氮化层的厚度为14nm至16nm，所述第三氧化层的厚度为9nm至11nm。
13、在其中一个实施例中，所述第一区域包括控制区，所述第二区域包括外围区。
14、一种半导体结构的制备方法，包括：
15、提供基底，所述基底具有存储区以及周边电路区，所述周边电路区包括第一区域与第二区域，所述第一区域与所述第二区域均形成有栅极结构；
16、于所述栅极结构的侧壁形成第一侧墙结构；
17、于所述第一侧墙结构的侧壁形成第二侧墙结构，形成在所述第二区域的所述第二侧墙结构厚度大于在所述第一区域的所述第二侧墙结构厚度。
18、在其中一个实施例中，于所述第一侧墙结构的侧壁形成第二侧墙结构，包括：
19、于所述周边电路区形成第二结构材料层；
20、于所述第二结构材料层上形成第一图形化光阻，所述第一图形化光阻暴露位于所述第一区域的所述第二结构材料层；
21、基于所述第一图形化光阻进行各向同性刻蚀，以减薄所述第一区域的所述第二结构材料层；
22、去除所述第一图形化光阻，并各向异性刻蚀剩余的所述第二结构材料层，保留于第一侧墙结构侧壁的第二结构材料层形成所述第二侧墙结构。
23、在其中一个实施例中，所述第二结构材料层包括依次形成的第一介质材料层以及第二介质材料层；
24、基于所述第一图形化光阻进行各向同性刻蚀，以减薄所述第一区域的所述第二结构材料层，包括：
25、基于所述第一图形化光阻进行各向同性刻蚀，去除位于所述第一区域的所述第二介质材料层；
26、去除所述第一图形化光阻，并各向异性刻蚀剩余的所述第二结构材料层，包括：
27、去除所述第一图形化光阻；
28、各向异性刻蚀剩余的所述第二介质材料层，去除所述第一介质材料层侧壁以外的所述第二介质材料层；
29、各向异性刻蚀所述第一介质材料层，去除所述第一侧墙结构侧壁以外的所述第一介质材料层。
30、在其中一个实施例中，于所述第一侧墙结构的侧壁形成第二侧墙结构，包括：
31、于所述周边电路区形成第二结构材料层；
32、于所述第二结构材料层上形成第二图形化光阻，所述第二图形化光阻暴露位于所述第一区域的所述第二结构材料层；
33、基于所述第二图形化光阻进行各向同性刻蚀，以减薄所述第一区域的所述第二结构材料层；
34、基于所述第二图形化光阻进行各向异性刻蚀，以形成所述第一区域的所述第二侧墙结构；
35、去除所述第二图形化光阻，且形成第三图形化光阻，所述第三图形化光阻暴露位于所述第二区域剩余的所述第二结构材料层；
36、基于所述第三图形化光阻，各向异性刻蚀所述第二区域剩余的所述第二结构材料层，以形成所述第二区域的所述第二侧墙结构。
37、在其中一个实施例中，所述第二结构材料层包括依次形成的第一介质材料层以及第二介质材料层；
38、基于所述第二图形化光阻进行各向同性刻蚀，以减薄所述第一区域的所述第二结构材料层，包括：
39、基于所述第二图形化光阻进行各向同性刻蚀，去除位于所述第一区域的所述第二介质材料层；
40、基于所述第二图形化光阻进行各向异性刻蚀，以形成所述第一区域的所述第二侧墙结构，包括：
41、基于所述第二图形化光阻进行各向异性刻蚀，去除所述第一侧墙结构侧壁以外的所述第一介质材料层；
42、基于所述第三图形化光阻，各向异性刻蚀所述第二区域剩余的所述第二结构材料层，以形成所述第二区域的所述第二侧墙结构，包括：
43、基于所述第三图形化光阻，各向异性刻蚀所述第二区域的剩余所述第二介质材料层，去除所述第一介质材料层侧壁以外的所述第二介质材料层；
44、基于所述第三图形化光阻，各向异性刻蚀所述第二区域的剩余所述第一介质材料层，去除所述第一侧墙结构侧壁以外的所述第一介质材料层。
45、在其中一个实施例中，所述第一介质材料层包括第二氧化物材料层以及第二氮化物材料层，所述第二介质材料层包括第三氧化物材料层，所述第二氮化物材料层位于所述第二氧化物材料层与所述第三氧化物材料层之间。
46、在其中一个实施例中，所述第二氧化物材料层的厚度为1nm至3nm，所述第二氮化物材料层的厚度为14nm至16nm，所述第三氧化物材料层的厚度为9nm至11nm。
47、在其中一个实施例中，
48、所述第一侧墙结构包括第一氧化层以及第一氮化层，所述第一氧化层位于所述栅极结构侧壁，所述第一氮化层位于所述第一氧化层侧壁。
49、在其中一个实施例中，所述第一区域包括控制区，所述第二区域包括外围区。
50、上述半导体结构及其制备方法，在周边电路区内，形成在第二区域的第二侧墙结构厚度大于在第一区域的第二侧墙结构厚度，从而可以根据不同区域器件的不同需求，调整不同区域第二侧墙结构的侧壁厚度。因此，存储器件尺寸的微缩的情况，既可以使得第二区域(如外围区)具有足够的侧墙厚度而有效防止栅极结构与其两侧的源区以及漏区之间发生漏电，又可以有效降低第一区域(如控本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙结构包括第一氧化层以及第一氮化层，所述第一氧化层位于所述栅极结构侧壁，所述第一氮化层位于所述第一氧化层侧壁。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二侧墙结构包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层包括第二氧化层以及第二氮化层，所述第二介质层包括第三氧化层，所述第二氮化层位于所述第二氧化层与所述第三氧化层之间。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度为1nm至3nm，所述第二氮化层的厚度为14nm至16nm，所述第三氧化层的厚度为9nm至11nm。
6.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区域包括控制区，所述第二区域包括外围区。
7.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述第一侧墙结构的侧壁形成第二侧墙结构，包括：>
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二结构材料层包括依次形成的第一介质材料层以及第二介质材料层；
10.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述第一侧墙结构的侧壁形成第二侧墙结构，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二结构材料层包括依次形成的第一介质材料层以及第二介质材料层；
12.根据权利要求9或11所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一介质材料层包括第二氧化物材料层以及第二氮化物材料层，所述第二介质材料层包括第三氧化物材料层，所述第二氮化物材料层位于所述第二氧化物材料层与所述第三氧化物材料层之间。
13.根据权利要求12所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二氧化物材料层的厚度为1nm至3nm，所述第二氮化物材料层的厚度为14nm至16nm，所述第三氧化物材料层的厚度为9nm至11nm。
14.根据权利要求13所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，
15.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一区域包括控制区，所述第二区域包括外围区。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙结构包括第一氧化层以及第一氮化层，所述第一氧化层位于所述栅极结构侧壁，所述第一氮化层位于所述第一氧化层侧壁。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二侧墙结构包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层包括第二氧化层以及第二氮化层，所述第二介质层包括第三氧化层，所述第二氮化层位于所述第二氧化层与所述第三氧化层之间。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度为1nm至3nm，所述第二氮化层的厚度为14nm至16nm，所述第三氧化层的厚度为9nm至11nm。
6.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区域包括控制区，所述第二区域包括外围区。
7.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述第一侧墙结构的侧壁形成第二侧墙结构，包括：
9.根据权利要求8所述的半...
【专利技术属性】
技术研发人员：王雪平，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。