【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及热电转换元件及其制造方法。
技术介绍
1、热电转换是利用塞贝克效应将热直接转换为电的技术，作为将使用化石燃料时产生的废热等转换为电的能量回收技术而受到关注。
2、作为热电转换材料，以往以无机材料为中心进行了研究，但存在难以设置于曲面、使用稀有元素或毒性元素、不适合向大面积设置等课题。
3、因此，近年来，作为解决上述问题的热电转换材料，有机材料受到关注(例如，专利文献1～3)。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2013-98299号公报
7、专利文献2：日本特开2003-332638号公报
8、专利文献3：日本特开2000-323758号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、本专利技术的目的在于提供元件电阻低、高输出功率的热电转换元件及其制造方法。
3、用于解决课题的手段
4、本专利技术的一方面例如涉及以下的[1]～[8]。
5、热电转换元件，其具备：
6、p型热电转换层，其包含含有碳纳米管及导电性树脂的p型材料；和
7、n型热电转换层，其与上述p型热电转换层接触、且包含n型材料，其中，所述n型材料是在含有碳纳米管及导电性树脂的p型材料中掺杂掺杂剂而成的，
8、上述掺杂剂含有：作为络离子的阴离子；碱金属阳离子；和阳离子捕捉剂。
9、如[1]所述的热电转换元
10、如[1]或[2]所述的热电转换元件，其中，上述阳离子捕捉剂为冠醚系化合物。
11、如[1]～[3]中任一项所述的热电转换元件，其中，上述阳离子捕捉剂为在分子内具有苯环的冠醚系化合物。
12、如[1]～[4]中任一项所述的热电转换元件，其中，上述导电性树脂由聚(3,4-乙烯二氧噻吩)和电子受体构成。
13、如[1]～[5]中任一项所述的热电转换元件，其中，上述p型热电转换层及上述n型热电转换层的厚度为1～500μm。
14、热电转换元件的制造方法，其为具备p型热电转换层和n型热电转换层的热电转换元件的制造方法，
15、所述制造方法包括在p型材料层的一部分中掺杂掺杂剂的工序，其中，所述p型材料层包含含有碳纳米管及导电性树脂的p型材料，
16、上述p型热电转换层包含上述p型材料，
17、上述n型热电转换层包含在上述p型材料中掺杂上述掺杂剂而成的n型材料，
18、上述掺杂剂含有：作为络离子的阴离子；碱金属阳离子；和阳离子捕捉剂。
19、如[7]所述的制造方法，其中，上述工序包括：
20、使含有上述掺杂剂及溶剂的掺杂剂溶液含浸于上述p型材料层的一部分中的含浸工序；和
21、将上述溶剂的至少一部分除去的溶剂除去工序。
22、专利技术的效果
23、根据本专利技术，提供元件电阻低、高输出功率的热电转换元件及其制造方法。
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1.热电转换元件，其具备：
2.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述阴离子选自由亚铁氰化物离子、铁氰化物离子、四氯合铁(III)酸根离子及四氯合铁(II)酸根离子组成的组。
3.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述阳离子捕捉剂为冠醚系化合物。
4.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述阳离子捕捉剂为在分子内具有苯环的冠醚系化合物。
5.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述导电性树脂由聚(3,4-乙烯二氧噻吩)和电子受体构成。
6.如权利要求1～5中任一项所述的热电转换元件，其中，所述p型热电转换层及所述n型热电转换层的厚度为1～500μm。
7.热电转换元件的制造方法，其为具备p型热电转换层和n型热电转换层的热电转换元件的制造方法，
8.如权利要求7所述的制造方法，其中，所述工序包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.热电转换元件，其具备：
2.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述阴离子选自由亚铁氰化物离子、铁氰化物离子、四氯合铁(iii)酸根离子及四氯合铁(ii)酸根离子组成的组。
3.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述阳离子捕捉剂为冠醚系化合物。
4.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述阳离子捕捉剂为在分子内具有苯环的冠醚系化合物。
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【专利技术属性】
技术研发人员：樱井康成，浅见健志，丹羽亮太，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：
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