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用于电子器件的材料制造技术

技术编号:41386265 阅读:7 留言:0更新日期:2024-05-20 19:07
本发明专利技术涉及适用于电子器件中的化合物,以及含有所述化合物的电子器件,特别是有机电致发光器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及用于电子器件,尤其是用于有机电致发光器件中的材料,以及包含这些材料的电子器件,尤其是有机电致发光器件。


技术介绍

1、含有有机半导体、有机金属半导体和/或聚合物半导体的电子器件正变得越来越重要,出于成本和性能的原因,它们正用于许多商业产品中。这里的实例包括影印机中的有机类电荷传输材料(例如三芳基胺类空穴传输材料),读取装置和显示装置中的有机发光二极管或聚合物发光二极管(oled或pled)或者影印机中的有机光感受器。有机太阳能电池(o-sc)、有机场效应晶体管(o-fet)、有机薄膜晶体管(o-tft)、有机集成电路(o-ic)、有机光放大器和有机激光二极管(o-激光器)正处于开发的高级阶段,可能具有重大的未来意义。

2、在本专利技术的上下文中,电子器件应理解为意指含有有机半导体材料作为功能材料的有机电子器件。特别地,电子器件表示电致发光器件,如oled。

3、其中使用有机化合物作为功能材料的oled的构造是本领域技术人员可从现有技术已知的。通常,oled应理解为意指具有一个或多个包含有机化合物的层并且在施加电压时发出光的电子器件。

4、在电子器件,尤其是oled中,亟需改善性能数据,尤其是寿命、效率和工作电压。对于这些方面,迄今尚未能找到令人满意的解决方案。

5、电子器件通常包括阴极、阳极和至少一个功能层,优选发光层。除这些层以外,它们还可包含其它层,例如在每种情况下包含一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层、电子阻挡层和/或电荷产生层。

6、空穴传输层和电子传输层对电子器件的性能数据具有重大影响。


技术实现思路

1、本专利技术的一个目的是提供适用于电子器件,尤其是oled中,尤其是作为空穴传输层材料或电子传输层材料的化合物,其中它们导致良好的性能。

2、令人惊讶地,发现通过下文详述的特定三蝶烯实现了这个目的,所述三蝶烯非常适用于电子器件,尤其是oled中。这些oled尤其具有长寿命、高效率和相对较低的工作电压。因此,本专利技术提供了这些化合物和包含这些化合物的电子器件,尤其是有机电致发光器件。

3、本专利技术提供了一种式(1)的化合物,

4、

5、其中使用的符号如下:

6、x在每种情况下相同或不同并且是cr或n,条件是每个环中不超过两个x基团是n;

7、r'在每种情况下相同或不同并且是d,f,cl,br,i,n(ar')2,n(r1)2,oar',sar',b(or1)2,cho,c(=o)r1,cr1=c(r1)2,cn,c(=o)or1,c(=o)nr1,si(r1)3,no2,p(=o)(r1)2,oso2r1,or1,s(=o)r1,s(=o)2r1,sr1,具有5至60个芳族环原子、优选具有5至40个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个r1基团取代的芳族或杂芳族环系,条件是r'中的至少一个或两个都包含至少一个被两个r"基团取代的三嗪基团;

8、r”在每种情况下相同或不同并且是具有5至60个芳族环原子、优选具有5至40个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个r1基团取代的芳族或杂芳族环系;

9、r在每种情况下相同或不同并且是h,d,f,cl,br,i,n(ar')2,n(r1)2,oar',sar',b(or1)2,cho,c(=o)r1,cr1=c(r1)2,cn,c(=o)or1,c(=o)nr1,si(r1)3,no2,p(=o)(r1)2,oso2r1,or1,s(=o)r1,s(=o)2r1,sr1,具有1至20个碳原子的直链烷基基团或者具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或者具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团,其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个r1基团取代,其中一个或多个不相邻的ch2基团可被-r1c=cr1-、-c≡c-、si(r1)2、nr1、conr1、c=o、c=s、-c(=o)o-、p(=o)(r1)、-o-、-s-、so或so2代替,或者具有5至60个芳族环原子、优选具有5至40个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个r1基团取代的芳族或杂芳族环系,其中两个或更多个优选与同一个环键合的r基团可一起形成可被一个或多个r1基团取代的脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系;

10、ar'在每种情况下相同或不同并且是具有5至40个芳族环原子且可被一个或多个r1基团取代的芳族或杂芳族环系,其中两个或更多个r1一起可形成芳族或杂芳族环系;

11、r1在每种情况下相同或不同并且是h,d,f,i,b(or2)2,n(r2)2,cho,c(=o)r2,cr2=c(r2)2,cn,c(=o)or2,si(r2)3,no2,p(=o)(r2)2,oso2r2,sr2,or2,s(=o)r2,s(=o)2r2,具有1至20个碳原子的直链烷基基团或者具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或者具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团,其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个r2基团取代,其中上述基团中的一个或多个ch2基团可被-r2c=cr2-、-c≡c-、si(r2)2、c=o、c=s、-c(=o)o-、nr2、conr2、p(=o)(r2)、-o-、-s-、so或so2代替,其中上述基团中的一个或多个氢原子可被d、f、cl、br、i、cn或no2代替,或者具有5至30个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个r2基团取代的芳族或杂芳族环系,其中两个或更多个r1基团一起可形成脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系;

12、r2在每种情况下相同或不同并且是h,d,f,cn或具有1至20个碳原子的脂族、芳族或杂芳族有机基团,其中一个或多个氢原子还可被d或f代替;同时,两个或更多个r2取代基可彼此连接并且可形成环。

13、在本专利技术的上下文中,芳基基团含有6至40个碳原子;在本专利技术的上下文中,杂芳基基团含有5至40个碳原子和至少一个杂原子,条件是碳原子和杂原子的总和是至少5个。所述杂原子优选选自n、o和/或s。芳基基团或杂芳基基团在这里应理解为意指简单芳族环,即苯,或简单杂芳族环,例如吡啶、嘧啶、噻吩等,或稠合(增环)芳基或杂芳基基团,例如萘、蒽、菲、喹啉、异喹啉等。相反,通过单键彼此连接的芳族化合物,例如联苯,不称为芳基或杂芳基基团,而是称为芳族环系。

14、在本专利技术的上下文中,芳族环系在环系中含有6至60个碳原子,优选6至40个碳原子。在本专利技术的上下文中,杂芳族环系在环系中含有1至60个碳原子,优选1至40个碳原子,以及至少一个杂原子,条件是碳原子和杂原子的总和为至少5个。所述杂原子优选选自n、o和/或s。在本专利技术的上下文中,芳族或杂芳族环系应当理解为意指以下体系:其未必仅含有芳基或杂芳基基团,而是其中两个或更多个芳基或杂芳基基团还可通过非芳族单元(优选少于非h原子的10%),例如碳、氮或氧原子或羰基基团连接。这些同样应理解为意指本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种式(1)的化合物,

2.根据权利要求1所述的化合物,所述化合物选自式(2)、式(3)和式(4)的化合物,

3.根据权利要求1和2中的一项或多项所述的化合物,所述化合物选自式(2-1)、式(3-1)或式(4-1)的化合物,

4.一种用于制备根据权利要求1至3中的一项或多项所述的化合物的方法,其特征在于以下步骤:

5.一种低聚物、聚合物或树枝状大分子,所述低聚物、聚合物或树枝状大分子包含一种或多种根据权利要求1至3中的一项或多项所述的式(1)的化合物,其中一个或多个与所述低聚物、聚合物或树枝状大分子键合的键可在式(1)中的任何期望的位置处。

6.一种制剂,所述制剂包含至少一种根据权利要求1至3中的一项或多项所述的化合物和至少一种其它化合物和/或至少一种溶剂。

7.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求6所述的制剂在电子器件中的用途。

8.一种电子器件,所述电子器件包含至少一种根据权利要求1至3中的一项或多项所述的化合物和/或至少一种根据权利要求5所述的低聚物、聚合物和/或树枝状大分子。

9.根据权利要求8所述的电子器件,所述电子器件是有机电致发光器件,其特征在于所述器件包含阳极、阴极和至少一个发光层,其中至少一个可为发光层、空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层或其它功能层的有机层包含至少一种式(1)的化合物。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种式(1)的化合物,

2.根据权利要求1所述的化合物,所述化合物选自式(2)、式(3)和式(4)的化合物,

3.根据权利要求1和2中的一项或多项所述的化合物,所述化合物选自式(2-1)、式(3-1)或式(4-1)的化合物,

4.一种用于制备根据权利要求1至3中的一项或多项所述的化合物的方法,其特征在于以下步骤:

5.一种低聚物、聚合物或树枝状大分子,所述低聚物、聚合物或树枝状大分子包含一种或多种根据权利要求1至3中的一项或多项所述的式(1)的化合物,其中一个或多个与所述低聚物、聚合物或树枝状大分子键合的键可在式(1)中的任何期望的位置处。

6.一种制剂,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:菲利普·施特塞尔
申请(专利权)人:默克专利有限公司
类型:发明
国别省市:

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