一种硅基OLED微显示器件制备装置制造方法及图纸

本技术属于硅基OLED技术领域的硅基OLED微显示器件制备装置。包括装置箱体(1)，装置箱体(1)内部底面设置载台(2)，载台(2)侧面的底面上连通释放管路(3)，释放管路(3)的释放管口(4)向装置箱体(1)上方位置延伸，释放管口(4)高度高于载台(2)高度。本技术所述的硅基OLED微显示器件制备装置，结构简单，在硅基OLED微显示器件制备过程中，装置箱体内部从真空状态切换为大气状态时，确保待制备微显示器件的盖板和基底之间不会偏移，确保盖板和基底贴合后的产品不会受到影响，贴合精度达到工艺目标，提升了产品良率，增加了微显示器件产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于硅基oled，更具体地说，是涉及一种硅基oled微显示器件制备装置。

技术介绍

1、目前在半导体微显示行业内，硅基oled器件的制作都是以一定厚度的硅晶圆作为基底，以一定厚度的玻璃作为盖板，二者在真空环境下进行对位贴合，再经历紫外线固化、高温固化、冷却等工艺后成为合板产品。当前真空设备内部的真空释放装置口都位于腔室内壁上，位置高度与基板放置高度持平，腔室从真空状态转换为大气状态时，会从装置口先充入氮气，再充入干燥空气，此过程中瞬间气流量增大，会造成盖板基板被冲击带动偏移，最后导致贴合后产品精度偏移。

2、现有技术中有名称为“一种便于散热的硅基oled微显示器的制备方法”、公开号为“112420802a”的技术，该技术具体为一种便于散热的硅基oled微显示器的制备方法。本专利技术的方法制备的硅基oled微显示器，采用晶圆减薄工艺，芯片厚度只有传统硅基oled芯片的约1/30-1/7，提升了硅基oled器件的散热性能。本专利技术的技术方案制备的硅基oled产品，可以进行一定的弯曲，使得硅基oled微显示器适配于更多的光学模组和终端产品。

3、然而，该技术没有涉及本申请的技术问题和技术方案。

技术实现思路

1、本技术所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种结构简单，在硅基oled微显示器件制备过程中，装置箱体内部从真空状态切换为大气状态时，有效避免底基和玻璃遭到通入的气体冲击而导致带动偏移，解决两者贴合精度受到影响问题的硅基oled微显示器件制备装置。

2、要解决以上所述的技术问题，本技术采取的技术方案为：

3、本技术为一种硅基oled微显示器件制备装置，包括装置箱体，装置箱体内部底面设置载台，载台侧面的底面上连通释放管路，释放管路的释放管口向装置箱体上方位置延伸，释放管口高度高于载台高度。

4、所述的释放管路包括管路垂直段和管路水平段，管路垂直段和管路水平段设置为呈l型结构。

5、所述的载台上设置为能够放置待制备微显示器件的结构，待制备微显示器件包括基底和盖板。

6、所述的释放管路的管路水平段的高度设置为高于载台上放置的待制备微显示器件的上表面的高度的结构。

7、所述的释放管路的管路垂直段下端连通装置箱体内部底面上的气体供应管孔，管路垂直段上端连通管路水平段一端，管路水平段另一端为释放管口。

8、所述的载台一侧的底面上按间隙设置多个释放管路，载台另一侧的底面上按间隙设置多个释放管路。

9、所述的装置箱体内部底面上的载台一侧的底面上的一个释放管路的释放管口和载台另一侧的底面上的一个释放管路的释放管口方向相对。

10、所述的装置箱体为镀镍合金材料制成的结构。

11、所述的释放管路通入的气体为氮气。

12、采用本技术的技术方案，工作原理及有益效果如下所述：

13、本技术所述的硅基oled微显示器件制备装置，结构设置时，装置箱体内部底面设置载台，载台用于待制备微显示器件的基底和盖板的放置和贴合。而设置释放管路，释放管路的释放管口向装置箱体上方位置延伸，释放管口高度高于载台高度，也就是说，释放管路的释放管口通入气体时，避免释放管口直接对准待制备微显示器件，气体释放的位置是在载台上的待制备微显示器件的上方位置，气体释放时不会直接冲击待制备微显示器件。这样，保证在真空释放过程中，在正常通入气体的情况下，待制备微显示器件的盖板和基底之间不会受到影响，自然也不会偏移，确保盖板和基底贴合后的产品不会受到影响，贴合精度达到工艺目标，提升了产品良率，增加了产品的可靠性。本技术所述的硅基oled微显示器件制备装置，结构简单，在硅基oled微显示器件制备过程中，装置箱体内部从真空状态切换为大气状态时，确保待制备微显示器件的盖板和基底之间不会受到影响，不会偏移，确保盖板和基底贴合后的产品不会受到影响，贴合精度达到工艺目标，提升了产品良率，增加了微显示器件产品的可靠性。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：包括装置箱体(1)，装置箱体(1)内部底面设置载台(2)，载台(2)侧面的底面上连通释放管路(3)，释放管路(3)的释放管口(4)向装置箱体(1)上方位置延伸，释放管口(4)高度高于载台(2)高度。

2.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：所述的释放管路(3)包括管路垂直段(7)和管路水平段(8)，管路垂直段(7)和管路水平段(8)设置为呈L型结构。

3.根据权利要求1或2所述的硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：所述的载台(2)上设置为能够放置待制备微显示器件的结构，待制备微显示器件包括基底(5)和盖板(6)。

4.根据权利要求3所述的硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：所述的释放管路(3)的管路水平段(8)的高度设置为高于载台(2)上放置的待制备微显示器件的上表面的高度的结构。

5.根据权利要求2所述的硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：所述的释放管路(3)的管路垂直段(7)下端连通装置箱体(1)内部底面上的气体供应管孔(9)，管路垂直段(7)上端连通管路水平段(8)一端，管路水平段(8)另一端为释放管口(4)。

6.根据权利要求3所述的硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：所述的载台(2)一侧的底面上按间隙设置多个释放管路(3)，载台(2)另一侧的底面上按间隙设置多个释放管路(3)。

7.根据权利要求6所述的硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：所述的装置箱体(1)内部底面上的载台(2)一侧的底面上的一个释放管路(3)的释放管口(4)和载台(2)另一侧的底面上的一个释放管路(3)的释放管口(4)方向相对。

8.根据权利要求1或2所述的硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：所述的装置箱体(1)为镀镍合金材料制成的结构。

9.根据权利要求1或2所述的硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：所述的释放管路(3)通入的气体为氮气。

...

【技术特征摘要】

1.一种硅基oled微显示器件制备装置，其特征在于：包括装置箱体(1)，装置箱体(1)内部底面设置载台(2)，载台(2)侧面的底面上连通释放管路(3)，释放管路(3)的释放管口(4)向装置箱体(1)上方位置延伸，释放管口(4)高度高于载台(2)高度。

2.根据权利要求1所述的硅基oled微显示器件制备装置，其特征在于：所述的释放管路(3)包括管路垂直段(7)和管路水平段(8)，管路垂直段(7)和管路水平段(8)设置为呈l型结构。

3.根据权利要求1或2所述的硅基oled微显示器件制备装置，其特征在于：所述的载台(2)上设置为能够放置待制备微显示器件的结构，待制备微显示器件包括基底(5)和盖板(6)。

4.根据权利要求3所述的硅基oled微显示器件制备装置，其特征在于：所述的释放管路(3)的管路水平段(8)的高度设置为高于载台(2)上放置的待制备微显示器件的上表面的高度的结构。

5.根据权利要求2所述的硅基oled微显示器件制备装...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：