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一种存储结构，包括：半导体衬底，半导体衬底上形成有行列排布的若干分立的有源区，相邻有源区之间具有第一凹槽，第一凹槽中填充满绝缘层；位于每个有源区中的沿行方向分布的两个第二凹槽，所述两个第二凹槽将每个有源区分成位于中间的漏极和分别位于漏极两侧...
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