半导体装置及其制作方法制造方法及图纸

本公开提供一种半导体装置及其制作方法。该半导体装置包括一半导体晶圆、多个半导体芯片、以及多个第一保护坝。该半导体晶圆具有被多个竖直切割道及多个水平切割道区隔开来的多个功能区。该半导体芯片分别装设于所述功能区。所述第一保护坝设于所述竖直切割道及所述水平切割道，且与所述半导体芯片相间隔。该第一保护坝的高度不小于该半导体芯片的高度。

Semiconductor device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制作方法
本公开主张2018/10/02申请的美国正式申请案第16/149,888号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种半导体装置及其制作方法，特别涉及一种具有多个半导体芯片的待切割的半导体晶圆及其制作方法。
技术介绍
半导体装置对于许多现代的设备十分重要。随着电子技术的进步，半导体装置尺寸逐渐变小，但提供日益强大的功能并包括更多的集成电路。因为半导体装置的微型化，晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)广泛用于制造上。WLCSP是一薄型晶片封装，形成过程无需基材或封装材保护，因此于搬运与组装程序时，易使芯片崩坏或破裂，进而产生可靠度的问题。上文的“现有技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
本公开一方面提供一种半导体装置。该半导体装置包括一半导体晶圆、多个半导体芯片、以及多个第一保护坝。该半导体晶圆具有被多个竖直切割道及多个水平切割道区隔开来的多个功能区。该半导体芯片分别装设于所述功能区。所述第一保护坝设于所述竖直切割道及所述水平切割道，且与所述半导体芯片相间隔。该第一保护坝的高度不小于该半导体芯片的高度。在一些实施例中，该半导体芯片的一侧壁至该第一保护坝的一外表面的距离小于10微米，该外表面远离该半导体芯片。在一些实施例中，该第一保护坝的厚度等于4微米。在一些实施例中，该半导体芯片的该侧壁至该第一保护坝的该外表面的距离不小于1微米。在一些实施例中，所述多个第一保护坝分别围绕所述多个半导体芯片。在一些实施例中，所述多个第一保护坝位于所述半导体芯片的弯角处，且其中各个第一保护坝包括一竖直区段、一水平区段、以及一交叉区段；该竖直区段设于该竖直切割道，该水平区段设于该水平切割道，以及该交叉区段设于该竖直区段与该水平区段的一交叉点。在一些实施例中，从该半导体晶圆的侧视图观看，该竖直区段与该水平区段部分地叠设于该半导体芯片。在一些实施例中，该竖直区段、该水平区段、与该交叉区段是一体成型。在一些实施例中，该半导体装置还包括多个第二保护坝，设于所述竖直切割道及所述水平切割道，且介于相邻的两个竖直区段与相邻的两个水平区段。在一些实施例中，从该半导体晶圆的侧视图观看，该第二保护坝至少部分地叠设于该半导体芯片。在一些实施例中，从该半导体晶圆的侧视图观看，该竖直区段与该水平区段并未叠加于该半导体芯片。在一些实施例中，该半导体芯片的一侧壁与该第二保护坝的一外表面的距离实质上小于10微米，该外表面远离该半导体芯片。在一些实施例中，该半导体芯片的该侧壁与该第二保护坝的该外表面的距离实质上不小于1微米。在一些实施例中，所述第二保护坝的高度不小于所述半导体芯片的高度。在一些实施例中，所述第一保护坝的高度与所述第二保护坝的高度不同。在一些实施例中，所述第二保护坝的厚度实质上等于4微米。在一些实施例中，所述第一保护坝与所述第二保护坝是一体成型。在一些实施例中，所述第一保护坝与所述第二保护坝的材料相同。本公开另一方面提供一种半导体装置的制作方法。该制作方法包括提供一半导体基材，其中该半导体基材包括多个主动区域与多个非主动区域；提供一半导体结构于该半导体基材的一上表面；形成多个开口于非主动区域内，其中所述开口与所述主动区域相间隔；以及填充一保护层于所述开口内。在一些实施例中，填充该保护层于所述开口内的步骤包括设置该保护层于该半导体结构的上表面内与所述开口内；以及局部去除该保护层以显露该上表面。通过本公开的半导体装置的构造，半导体芯片的弯角处或/及边侧由第一保护坝或/及第二保护坝保护，因此于搬运与组装的过程中半导体芯片可避免破裂。上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的精神和范围。附图说明参阅实施方式与权利要求合并考量附图时，可得以更全面了解本公开的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。图1为俯视图，例示本公开的一些实施例的待切割的半导体晶圆；图2为俯视图，例示本公开的一些实施例的半导体装置；图3为剖面视图，例示本公开的一些实施例的半导体装置；图4为侧视图，例示本公开的一些实施例的半导体装置；图5为俯视图，例示本公开的一些实施例的半导体装置；图6为剖面视图，例示本公开的一些实施例的半导体装置；图7为侧视图，例示本公开的一些实施例的半导体装置；图8为俯视图，例示本公开的一些实施例的半导体装置；图9为剖面视图，例示本公开的一些实施例的半导体装置；图10为剖面视图，例示本公开的一些实施例的半导体装置；图11为局部剖面视图，例示本公开的一些实施例的半导体装置；图12为流程图，例示本公开的一些实施例的半导体装置的制作方法；以及图13至20为示意图，例示本公开的一些实施例的半导体装置的制作方法。符号说明100半导体装置100A半导体装置100B半导体装置110半导体晶圆112区域、功能区114竖直切割道116水平切割道117非功能区118表面120半导体芯片120’半导体结构121上表面122侧壁124主动区域126非主动区域130第一保护坝132外表面140气隙230第一保护坝232竖直区段234水平区段236交叉区段240气隙330第一保护坝332竖直区段334水平区段336交叉区段340气隙350第二保护坝352外表面400光刻胶层410光刻胶420开口450保护层200流程图202步骤204步骤206步骤208步骤210步骤212步骤214步骤H1高度H2高度Hc高度T1厚度T2厚度Tc厚度D距离W宽度具体实施方式本公开的以下说明伴随并入且组成说明书的一部分的附图，说明本公开实施例，然而本公开并不受限于该实施例。此外，可适当整合以下实施例以完成另一实施例。“一实施例”、“实施例”、“例示实施例”、“其他实施例”、“另一实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一半导体晶圆，具有被多个竖直切割道及多个水平切割道区隔开来的多个功能区；/n多个半导体芯片，分别装设于所述功能区上；以及/n多个第一保护坝，设于所述竖直切割道及所述水平切割道上，且与所述半导体芯片相间隔；/n其中该第一保护坝的高度不小于该半导体芯片的高度。/n

【技术特征摘要】
20181002 US 16/149,8881.一种半导体装置，包括：
一半导体晶圆，具有被多个竖直切割道及多个水平切割道区隔开来的多个功能区；
多个半导体芯片，分别装设于所述功能区上；以及
多个第一保护坝，设于所述竖直切割道及所述水平切割道上，且与所述半导体芯片相间隔；
其中该第一保护坝的高度不小于该半导体芯片的高度。


2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该半导体芯片的一侧壁至该第一保护坝的一外表面的距离小于10微米，该外表面远离该半导体芯片。


3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该半导体芯片的该侧壁至该第一保护坝的该外表面的距离不小于1微米。


4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该第一保护坝的厚度等于4微米。


5.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一保护坝分别围绕所述半导体芯片。


6.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一保护坝位于所述半导体芯片的弯角处，且其中各该第一保护坝包括：
一竖直区段，设于该竖直切割道；
一水平区段，设于该水平切割道；以及
一交叉区段，设于该竖直区段与该水平区段的一交叉点。


7.如权利要求6所述的半导体装置，其中从该半导体晶圆的侧视图观看，该竖直区段与该水平区段部分地叠设于该半导体芯片。


8.如权利要求6所述的半导体装置，其中该竖直区段、该水平区段、与该交叉区段是一体成型。


9.如权利要求6所述的半导体装置，还包括多个第二保护坝，设于所述竖直切割道及所述水平切割道，且介于相邻的两个竖直区段与相邻的两个水平区段。


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【专利技术属性】
技术研发人员：张庆弘，丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71