具有硅通孔的半导体结构及其制备方法技术

本公开提供一种具有硅通孔(through silicon via，TSV)的半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一半导体基底、一主动元件，以及一硅通孔结构。该半导体基底具有一第一表面和一第二表面，该第二表面与该第一表面相对。该主动元件配置在该半导体基底的该第一表面。该硅通孔结构从该第一表面延伸至该第二表面。在一些实施例中，该硅通孔结构包括一第一部和一第二部，该第二部耦合该第一部。该硅通孔结构的该第一部具有一第一宽度，该硅通孔结构的该第二部具有一第二宽度，而该第二部的该第二宽度大于该第一部的该第一宽度。

Semiconductor structure with silicon through hole and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
具有硅通孔的半导体结构及其制备方法
本公开主张2018/10/01申请的美国正式申请案第16/148,400号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种具有硅通孔(throughsiliconvia，TSV)结构的半导体结构及其制备方法，特别涉及一种具有多个宽度的硅通孔结构的半导体结构及其制备方法。
技术介绍
在不断开发用于包括集成电路结构的晶粒(dies)(又可称为芯片chips)封装技术，以符合粘晶可靠性和微型化的需求。当需要电子产品高效能和微型化时，在本领域中，各种技术已被公开。例如，至少两个晶粒的堆叠，即所谓的3D封装，相较于传统的半导体整合工艺，至少可以提供2倍封装容量的产品。此外堆叠封装不仅具有增加容量的优点，也具有增加粘晶密度和粘晶区域利用率的优点。在3D封装中的硅通孔结构乃是用来提供堆叠晶粒之间的电性连接。硅通孔结构配置在晶粒中并在晶粒中垂直延伸，硅通孔结构使晶粒彼此之间电性连接。硅通孔结构实现了更佳密度和间距，性能也更好。然而，当试着耦合多个晶粒时，会产生结构上的问本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n一半导体基底，具有一第一表面和一第二表面，该第二表面与该第一表面相对；/n一主动元件，配置在该半导体基底的该第一表面；以及/n一硅通孔结构，从该第一表面延伸至该第二表面，其中该硅通孔结构包括：/n一第一部，具有一第一宽度；以及/n一第二部，是耦合该第一部且具有一第二宽度，该第二宽度大于该第一宽度。/n

【技术特征摘要】
20181001 US 16/148,4001.一种半导体结构，包括：
一半导体基底，具有一第一表面和一第二表面，该第二表面与该第一表面相对；
一主动元件，配置在该半导体基底的该第一表面；以及
一硅通孔结构，从该第一表面延伸至该第二表面，其中该硅通孔结构包括：
一第一部，具有一第一宽度；以及
一第二部，是耦合该第一部且具有一第二宽度，该第二宽度大于该第一宽度。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该半导体基底的该第二表面暴露该第一部，且该半导体基底的该第一表面暴露该第二部。


3.如权利要求2所述的半导体结构，该主动元件与该硅通孔结构的该第二部之间的一间隔距离接近该第一宽度。


4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该半导体基底的该第一表面暴露该第一部，而该半导体基底的该第二表面暴露该第二部。


5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该主动元件和该硅通孔结构的第一部之间的一间隔距离接近该第一宽度。


6.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一第三部，是耦合该第一部，且具有一第三宽度，该第三宽度大于该第一宽度。


7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该半导体基底的该第一表面暴露该第二部，以及该半导体基底的该第二表面暴露该第三部，而该第一部介于在该第二部和该第三部之间。


8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二宽度与该第一宽度的比率介于在约1.1和约1.5之间。


9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一部具有一第一长度，以及该第二部具有一第二长度，且该第二长度小于该第一长度。


10.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一部包括一第一侧壁，该第二部包括一第二侧壁，且该第一侧壁与该第二侧壁分开。


11.如权利要求1所述的半导体结构，其中该硅通孔结构包...

【专利技术属性】
技术研发人员：康庭慈，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71