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本公开提供一种具有硅通孔(through silicon via，TSV)的半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一半导体基底、一主动元件，以及一硅通孔结构。该半导体基底具有一第一表面和一第二表面，该第二表面与该第一表面相对。该主动元件配...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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