本公开提供一种电子装置以及其制造方法。该电子装置包含一半导体元件、一绝缘层、至少一个接触插塞以及一滤波元件。该绝缘层设置于该半导体元件上。该接触插塞穿透该绝缘层。该滤波元件设置于该绝缘层以及该接触插塞上。该滤波元件包括一底部电极、一隔离...

本发明公开了一种半导体结构，其包含第一反熔丝结构、第二反熔丝结构及第一金属层。第二反熔丝结构设置于第一反熔丝结构之上。第一金属层位于第一反熔丝结构与第二反熔丝结构之间。第一接触点设置于第一反熔丝结构与第一金属层之间，以连接第一反熔丝结构...

本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括：一半导体基底、一抑制层、多个接触插塞以及多个穿硅通孔。该抑制层设置在该半导体基底的上方；该接触插塞插入该抑制层内；该穿硅通孔从该半导体基底的一背表面延伸到一前表面，该前表面与该背表...

本公开提供一种电子元件及其制造方法。该电子元件包括：一多层部件、至少一个接触垫、一钝化层、一介电层以及一金属层。该接触垫设置在该多层部件的上方，该钝化层覆盖该多层部件和该接触垫，该介电层设置在该钝化层的上方。该金属层穿透该介电层和该钝化...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一多晶硅层，具有一第一表面与相对该第一表面设置的一第二表面；一基底，配置在该多晶硅层的该第二表面上；一位元线结构，配置在该基底上，并穿透该多晶硅层，且从该多晶硅层的该第一表面突伸；以...

本公开提供一种电压电路。电压电路包含一第一输入信号反相电路、一第二输入信号反相电路、一第一电位转换电路、一第二电位转换电路、一第一二极管电路以及一第二二极管电路。第一输入信号反相电路经配置以接收一输入信号并输出一第一反相信号。第二输入信...

本公开提供一种半导体结构及该半导体结构的制备方法。该半导体结构包括一多晶硅层、一基底、一位元线结构以及一间隙子结构。该多晶硅层具有一第一表面以及一第二表面，该第二表面相对该第一表面。该基底位在该多晶硅层的该第二表面上。该位元线结构位在该...

本公开关于一种多环接合垫、具有多环接合垫的半导体结构及其制造方法。该接合垫包括一内环构件、一外环构件以及多个桥接构件。该内环构件具有一对彼此相对的第一内边缘、一对彼此相对的第二内边缘、以及连接该第一内边缘到该第二内边缘的多个第三内边缘。...

本公开提供一种半导体封装结构及其制备方法。该半导体封装结构包括一第一基底、一第二基底、设置在该第一基底和该第二基底之间的一互连结构、穿透该第一基底和该互连结构的一部分的多个第一硅通孔导体、以及穿透该第一基底和该互连结构的一部分的多个第二...

本公开提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一基底、一晶粒、一封胶、一介电层、一导电通孔以及一金属条带。该晶粒设置在该基底的上方。该封胶围绕该晶粒。该介电层设置在基底的上方并且围绕该晶粒和该封胶。该导电通孔延伸穿过该介电层。该...

本公开提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供一基底，具有一导电层；图案化该导电层以形成沿一第一方向延伸的多个导电图案；共形地形成一盖层以覆盖所述多个导电图案；在该盖层的上方形成一图案化硬遮罩；通过该图案化硬遮罩蚀刻所述多个导电图案以形...

本公开提供一种晶圆清洗装置及其清洗方法。该晶圆清洗装置包括一槽罐和一晶圆保持器。该槽罐包括一底壁、一侧壁以及一分隔壁。该侧壁连接到该底壁。该分隔壁可移动地安装在该底壁的上方，并且该分隔壁将该底壁和该侧壁定义的一清洗空间分成一第一隔室和一...

本公开提供一种电流电路。该电流电路包含一带隙参考电路、多个电流镜电路以及一控制电路。该带隙参考电路经配置以提供一第一电流，其中该第一电流是基于一参考电压信号且独立于温度。所述多个电流镜电路耦合至该带隙参考电路以接收该参考电压信号，所述多...

本公开提供一种半导体结构的制造方法和制造半导体结构的遮罩。该制造方法包括：提供一基底以及在该基底上形成一光刻胶；在该光刻胶上放置一遮罩；经由该遮罩，将该光刻胶暴露在一预定电磁辐射中；以及将该光刻胶的暴露在该预定电磁辐射中的至少一部位进行...

本公开提供在一晶圆上的一种测试结构。该测试结构包括多个隔离区域、一主动区域、多个栅极、一第一金属元件以及一第二金属元件。该主动区域位在各隔离区域之间。各栅极则分别位在隔离区域与主动区域其中之一上。第一金属元件电性地耦接到其中一栅极，而第...

本公开提供一种半导体装置。所述半导体装置包括一基底、一栅极、一漏极、一源极、一隔离层、多个金属接触物、多个导电插塞以及一接触衬垫。栅极位于基底上。漏极及源极位于基底中，并位于栅极的相对两侧上。隔离层位于基底与栅极上。金属接触物位于栅极、...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一图案化绝缘层、一垫件以及一着陆垫。该图案化绝缘层具有一开口。该垫件设置在该开口内。该着陆垫设置在该图案化绝缘层上，其中该垫件和该着陆垫是整体形成的。

本公开提供一种穿硅通孔(through silicon via，TSV)结构及其制造方法。该穿硅通孔结构包括一半导体基底、一成形膜、一导电线、一阻障层以及一绝缘层。该成形膜设置在该半导体基底的一背表面的上方，经配置以保持该半导体基底的平...

本公开关于一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括一半导体基板及至少一硅穿孔。该硅穿孔包括一导电插件、一第一绝缘层、及一扩散阻障层。该导电插件设置于该半导体基板内。该第一绝缘层环绕该导电插件。该扩散阻障层设置于该导电插件与该第一绝缘...

本公开提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括一基底及一硅穿孔结构。该硅穿孔结构位于该基底中，并包括一绝缘层及多个导线。所述导线通过所述绝缘层而相互间隔设置，并从所述绝缘层的一顶表面延伸至相对该顶表面设置的一底表面处。