半导体结构制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构，其包含第一反熔丝结构、第二反熔丝结构及第一金属层。第二反熔丝结构设置于第一反熔丝结构之上。第一金属层位于第一反熔丝结构与第二反熔丝结构之间。第一接触点设置于第一反熔丝结构与第一金属层之间，以连接第一反熔丝结构与第一金属层。第二接触点设置于第二反熔丝结构与第一金属层之间，以连接第二反熔丝结构与第一金属层。本发明专利技术的半导体结构可以通过以垂直堆叠而非水平排列的反熔丝结构来减少反熔丝结构所需的空间。因此，可以增加半导体装置的集成度(integration)。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本专利技术是有关于一种半导体结构。更详细的说，本专利技术是有关于一种具有垂直反熔丝结构的半导体结构。
技术介绍
熔丝元件常用于半导体装置，例如动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory；DRAM)。举例而言，通过使用冗余单元替换有缺陷的单元，熔丝及反熔丝可用于修复动态随机存取存储器阵列。现有的熔丝元件是水平地排列在同一平面上，因此在半导体装置中占据大量的水平面积。随着半导体装置变得更高度集成，半导体基板上的单位单元的水平面积逐渐减少。因此，需要一种新的结构以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构，其可以增加半导体装置的集成度。根据本专利技术的一方面是提供一种半导体结构。半导体结构包含第一反熔丝结构、位于第一反熔丝结构之上的第二反熔丝结构、及位于第一反熔丝结构与第二反熔丝结构之间的第一金属层。根据本专利技术的某些实施方式，第一反熔丝结构包含半导体基板、位于半导体基板之上的第一介电层，以及位于第一介电层之上的导电层。根据本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：/n第一反熔丝结构；/n第二反熔丝结构，位于所述第一反熔丝结构之上；以及/n第一金属层，位于所述第一反熔丝结构与所述第二反熔丝结构之间。/n

【技术特征摘要】
20181202 US 16/207,1861.一种半导体结构，其特征在于，包含：
第一反熔丝结构；
第二反熔丝结构，位于所述第一反熔丝结构之上；以及
第一金属层，位于所述第一反熔丝结构与所述第二反熔丝结构之间。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一反熔丝结构包含：
半导体基板；
第一介电层，位于所述半导体基板之上；以及
导电层，位于所述第一介电层之上。


3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体基板具有重掺杂区与所述第一介电层接触。


4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电层在平行于所述半导体基板的平面上延伸。


5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二反熔丝结构包含：
至少一个下电极，所述下电极具有内部部分、围绕所述内部部分的外部部分以及位于所述内部部分及所述外部部分之下的接合部分，其中所述内部部分及所述外部部分为沿纵向轴伸长的中空柱体，所述纵向轴与所述第一反熔丝结构的所述平面垂直，并且所述接合部分连接所述内部部分及所述外部部分；
第二介电层，共形地覆盖所述下电...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨仓博，林瑄智，饶瑞修，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71