【技术实现步骤摘要】
芯片、半导体结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法和包含该半导体结构的芯片。
技术介绍
随着芯片集成度越来越高，对芯片中半导体结构的占用面积的要求越来越高。反熔丝是冗余电路中常用的结构，目前使用的反熔丝元件在半导体结构中占用面积较大，使得包含该反熔丝元件的半导体结构的占用面积较大，从而使得包含该半导体结构的芯片面积较大，进而使得芯片成本较大。因此，有必要提出一种新的反熔丝半导体结构，包含该反熔丝半导体结构的芯片以及该反熔丝半导体结构的制备方法。所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术中由于反熔丝半导体结构占用芯片面积较大的问题，提供一种占用面积较小的反熔丝半导体结构。本专利技术的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显然，或者可以通过本专利技术的实践而习得。根据本专利技术的一个方面...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n有源块；/n第一电接触端，设于所述有源块；/n栅极氧化层，覆盖于所述有源块的多个表面；/n栅极块，其上设有第一凹槽，覆盖有所述栅极氧化层的所述有源块插入所述第一凹槽内。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
有源块；
第一电接触端，设于所述有源块；
栅极氧化层，覆盖于所述有源块的多个表面；
栅极块，其上设有第一凹槽，覆盖有所述栅极氧化层的所述有源块插入所述第一凹槽内。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源块包括条形块。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述条形块的数量为多个，多个所述条形块平行设置，且多个所述条形块电连接。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述有源块还包括：
第一连接块，与所述条形块连接，所述栅极氧化层设于所述条形块表面，所述第一电接触端设于所述第一连接块。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述条形块的数量为多个，多个所述条形块平行设置且均与所述第一连接块连接。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述有源块还包括：
第二连接块，连接于多个所述条形块的远离所述第一连接块的一端。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源块包括：
第一环形块，其表面覆盖有所述栅极氧化层，覆盖有所述栅极氧化层的第一环形块插入所述第一凹槽；
第二环形块，所述第二环形块套设于所述第一环形块，其表面覆盖有所述栅极氧化层，覆盖有所述栅极氧化层的第二环形块插入所述第一凹槽；所述第一环形块与所述第二环形块之间具有间隙，所述栅极块的部分区域插入所述间隙，且所述第一环形块与所述第二环形块电连接。
技术研发人员：吴秉桓，汪美里，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。