测试图案组和包括其的半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及一种测试图案组和包括其的半导体器件。该测试图案组包括多个测试图案。所述多个测试图案的每个包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一鳍状物组和第二鳍状物组，第一鳍状物组和第二鳍状物组的每个包括分别在基板的第一区域和基板的第二区域上延伸的鳍状物；第一栅极结构和第二栅极结构，每个分别位于第一鳍状物组和第二鳍状物组上并且形成为与第一鳍状物组和第二鳍状物组的鳍状物交叉；形成在第一源极/漏极上的第一源极/漏极接触；形成在第二源极/漏极上的第二源极/漏极接触；形成在第一栅极结构上的第一栅极接触；形成在第二栅极结构上的第二栅极接触。第一鳍状物组中包括的鳍状物的数量多于第二鳍状物组中包括的鳍状物的数量。

Test pattern group and semiconductor device including it

【技术实现步骤摘要】
测试图案组和包括其的半导体器件
本专利技术构思的示例实施方式涉及测试图案组和/或包括其的半导体器件。
技术介绍
随着半导体器件趋向于高度集成，半导体器件的部件之间的对准、隔离和电连接显著地影响半导体器件的产量。因此，在制造半导体器件的工艺中，可以期望设计用于测试半导体器件的部件是否形成并工作的测试图案组。
技术实现思路
本专利技术构思的示例实施方式提供了测试图案组和/或包括其的半导体器件，该测试图案组用于执行电测试，从而抑制(或者作为选择地，防止)在通过在鳍状物切割工艺中未被去除而保留的寄生鳍状物与半导体器件的接触之间产生电短路。根据本专利技术构思的一示例实施方式，提供了一种测试图案组，其包括多个测试图案，所述多个测试图案的每个包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一鳍状物组，包括在基板的第一区域上延伸的第一鳍状物；第二鳍状物组，包括在基板的第二区域上延伸的第二鳍状物，第二鳍状物组的第二鳍状物的数量少于第一鳍状物组的第一鳍状物的数量；第一栅极结构，在第一鳍状物组上使得第一栅极结构交叉第一鳍状物组的第一鳍状物；第二栅极结构，在第二鳍状物组上使得第二栅极结构交叉第二鳍状物组的第二鳍状物；在第一栅极结构的侧部的第一源极/漏极；在第二栅极结构的侧部的第二源极/漏极；在第一源极/漏极上的第一源极/漏极接触；在第二源极/漏极上的第二源极/漏极接触；在第一栅极结构上的第一栅极接触；以及在第二栅极结构上的第二栅极接触。根据本专利技术构思的一示例实施方式，提供了一种测试图案组，其包括多个测试图案，所述多个测试图案的每个包括第一测试图案和第二测试图案。第一测试图案包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一鳍状物组，包括在基板的第一区域上延伸的第一鳍状物；第二鳍状物组，包括在基板的第二区域上延伸的第二鳍状物，第二鳍状物组的第二鳍状物的数量少于第一鳍状物组的第一鳍状物的数量，并且第二鳍状物组的第二鳍状物与第一鳍状物组的第一鳍状物电断开；第一栅极结构，在第一鳍状物组上使得第一栅极结构交叉第一鳍状物组的第一鳍状物；第二栅极结构，在第二鳍状物组上使得第二栅极结构交叉第二鳍状物组的第二鳍状物；在第一栅极结构的侧部的第一源极/漏极；在第二栅极结构的侧部的第二源极/漏极；在第一源极/漏极上的第一源极/漏极接触；在第二源极/漏极上的第二源极/漏极接触；在第一栅极结构上的第一栅极接触；以及在第二栅极结构上的第二栅极接触。第二测试图案在第一测试图案下方，第二测试图案包括：第三鳍状物组，包括在基板上延伸的第三鳍状物；第三栅极结构，在第三鳍状物组上使得第三栅极结构与第三鳍状物组的第三鳍状物交叉；在第三栅极结构的侧部的第三源极/漏极；以及在第三源极/漏极上的第三源极/漏极接触。根据本专利技术构思的一示例实施方式，提供了一种半导体器件，其包括：其中具有半导体器件的器件区域；围绕器件区域的划线道；以及在划线道上的测试图案组，测试图案组包括多个测试图案，所述多个测试图案的每个包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一鳍状物组，包括在基板的第一区域上延伸的第一鳍状物；第二鳍状物组，包括在基板的第二区域上延伸的第二鳍状物，第二鳍状物组的第二鳍状物的数量少于第一鳍状物组的第一鳍状物的数量，第二鳍状物组的第二鳍状物与第一鳍状物组的第一鳍状物电断开；第一栅极结构，在第一鳍状物组上使得第一栅极结构与第一鳍状物组的第一鳍状物交叉；第二栅极结构，在第二鳍状物组上使得第二栅极结构与第二鳍状物组的第二鳍状物交叉；在第一栅极结构的侧部的第一源极/漏极；在第二栅极结构的侧部的第二源极/漏极；在第一源极/漏极上的第一源极/漏极接触；在第二源极/漏极上的第二源极/漏极接触；在第一栅极结构上的第一栅极接触；以及在第二栅极结构上的第二栅极接触。附图说明本专利技术构思的示例实施方式将由以下结合附图的详细描述被更清楚地理解，附图中：图1至4B是示出在基板上形成半导体器件的工艺的视图；图5是示出根据本专利技术构思的一示例实施方式的其中集成了半导体器件的一半导体器件的视图；图6是示出图5的区域A的放大的视图；图7是示出根据本专利技术构思的示例实施方式的测试图案组的放大的俯视图；图8是示出根据本专利技术构思的一示例实施方式的测试图案的透视图；图9是根据本专利技术构思的一示例实施方式的测试图案的沿图8的线A-A截取的剖视图；图10A是根据本专利技术构思的一示例实施方式的测试图案的沿图8的线B-B截取的剖视图；图10B是根据本专利技术构思的一示例实施方式的测试图案的沿图8的线C-C截取的剖视图；图11是根据本专利技术构思的一示例实施方式的测试图案的透视图；图12是根据本专利技术构思的一示例实施方式的测试图案的俯视图；图13是根据本专利技术构思的一示例实施方式的包括多个测试图案的测试图案组的俯视图；图14是根据本专利技术构思的一示例实施方式的测试图案的俯视图；图15是根据本专利技术构思的一示例实施方式的测试图案的透视图；图16是根据本专利技术构思的一示例实施方式的测试图案的俯视图；图17是根据本专利技术构思的一示例实施方式的包括多个测试图案的测试图案组的俯视图；图18是根据本专利技术构思的一示例实施方式的测试图案的透视图；图19是根据本专利技术构思的一示例实施方式的测试图案的俯视图；图20是根据本专利技术构思的一示例实施方式的包括多个测试图案的测试图案组的俯视图；以及图21是示出根据本专利技术构思的一示例实施方式的包括测试图案的半导体器件的视图。具体实施方式图1至4B是示出在基板上形成半导体器件的工艺的视图。详细地，图1是示出在基板W上形成多个鳍状物F1、F2和F3的工艺的视图。参照图1，多个鳍状物F1、F2和F3可以形成在基板W上。形成在基板W上的鳍状物F1、F2和F3的数量在图1中是3个。然而，本专利技术构思不限于此。鳍状物F1、F2和F3的数量可以变化。多个鳍状物F1、F2和F3可以从基板W突出，并且可以沿第一方向X延伸。多个鳍状物F1、F2和F3在第二方向Y上彼此间隔开的距离可以为约10nm至约200nm。当多个鳍状物F1、F2和F3形成在基板W上时，可以额外执行去除多个鳍状物F1、F2和F3当中的鳍状物F3的区域F3'的工艺。关于将被去除的鳍状物F3的切割表面，基板W的其中未切除鳍状物F3的区域被称为第一区域W1，并且基板W的其中切除了鳍状物F3的区域被称为第二区域W2。通过去除鳍状物F3的待切除的部分，形成在基板W的第一区域W1上的鳍状物的数量可以不同于形成在基板W的第二区域W2上的鳍状物的数量。在基板W上形成不同数量的鳍状物的同时，各种规格的半导体器件可以形成在基板W上。例如，形成在基板W的第一区域W1中的半导体器件可以比形成在基板W的第二区域W2中的半导体器件包括更多数量的鳍状物F1、F2和F3。待去除的鳍状物F3的待去除的区域F3'可以通过光蚀刻工艺被去除。在光蚀刻工艺中，当待去除的鳍状物F3被正常切除时，鳍状物F3的切割表面可以是光滑的。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测试图案组，包括：/n多个测试图案，所述多个测试图案的每个包括：/n基板，包括第一区域和第二区域，/n第一鳍状物组，包括在所述基板的所述第一区域上延伸的第一鳍状物，/n第二鳍状物组，包括在所述基板的所述第二区域上延伸的第二鳍状物，所述第二鳍状物组的所述第二鳍状物的数量少于所述第一鳍状物组的所述第一鳍状物的数量，/n第一栅极结构，在所述第一鳍状物组上使得所述第一栅极结构交叉所述第一鳍状物组的所述第一鳍状物，/n第二栅极结构，在所述第二鳍状物组上使得所述第二栅极结构交叉所述第二鳍状物组的所述第二鳍状物，/n在所述第一栅极结构的侧部的第一源极/漏极，/n在所述第二栅极结构的侧部的第二源极/漏极，/n在所述第一源极/漏极上的第一源极/漏极接触，/n在所述第二源极/漏极上的第二源极/漏极接触，/n在所述第一栅极结构上的第一栅极接触，和/n在所述第二栅极结构上的第二栅极接触。/n

【技术特征摘要】
20181115 KR 10-2018-01411391.一种测试图案组，包括：
多个测试图案，所述多个测试图案的每个包括：
基板，包括第一区域和第二区域，
第一鳍状物组，包括在所述基板的所述第一区域上延伸的第一鳍状物，
第二鳍状物组，包括在所述基板的所述第二区域上延伸的第二鳍状物，所述第二鳍状物组的所述第二鳍状物的数量少于所述第一鳍状物组的所述第一鳍状物的数量，
第一栅极结构，在所述第一鳍状物组上使得所述第一栅极结构交叉所述第一鳍状物组的所述第一鳍状物，
第二栅极结构，在所述第二鳍状物组上使得所述第二栅极结构交叉所述第二鳍状物组的所述第二鳍状物，
在所述第一栅极结构的侧部的第一源极/漏极，
在所述第二栅极结构的侧部的第二源极/漏极，
在所述第一源极/漏极上的第一源极/漏极接触，
在所述第二源极/漏极上的第二源极/漏极接触，
在所述第一栅极结构上的第一栅极接触，和
在所述第二栅极结构上的第二栅极接触。


2.根据权利要求1所述的测试图案组，其中所述第一鳍状物组和所述第二鳍状物组在所述基板上，使得所述第一鳍状物组不与所述第二鳍状物组电连接。


3.根据权利要求1所述的测试图案组，其中所述多个测试图案每个包括所述第二栅极结构，使得所述第二栅极结构上的所述第二栅极接触的尺寸在所述多个测试图案之中变化。


4.根据权利要求3所述的测试图案组，其中所述多个测试图案每个包括所述第二栅极结构，使得所述第二栅极结构上的所述第二栅极接触在第一方向上的第一长度在所述多个测试图案之中变化，所述第一方向是所述第二鳍状物组的所述第二鳍状物延伸的方向。


5.根据权利要求4所述的测试图案组，其中所述多个测试图案每个包括所述第二栅极结构，使得所述第二栅极结构上的所述第二栅极接触在所述第一方向上的所述第一长度以1nm至100nm的增量变化。


6.根据权利要求4所述的测试图案组，其中所述多个测试图案每个包括所述第二栅极结构，使得所述第二栅极结构上的所述第二栅极接触在所述第一方向上的所述第一长度不同于所述第二栅极结构上的所述第二栅极接触在第二方向上的第二长度，所述第二方向垂直于所述第一方向。


7.根据权利要求6所述的测试图案组，其中所述多个测试图案每个包括所述第二栅极结构，使得所述第二栅极结构上的所述第二栅极接触在所述第二方向上的所述第二长度以1nm至100nm的增量变化。


8.根据权利要求1所述的测试图案组，其中所述多个测试图案每个包括所述第二栅极结构，使得所述第二栅极结构上的所述第二栅极接触的位置在所述多个测试图案之中变化。


9.根据权利要求8所述的测试图案组，其中所述多个测试图案每个包括所述第二栅极结构，使得所述第二栅极结构上的所述第二栅极接触的位置在第一方向和第二方向中的至少一个方向上在所述多个测试图案之中变化，所述第一方向是所述第二鳍状物组的所述第二鳍状物延伸的方向，并且所述第二方向垂直于所述第一方向。


10.一种测试图案组，包括：
多个测试图案，所述多个测试图案的每个包括：
第一测试图案，包括：
基板，包括第一区域和第二区域，
第一鳍状物组，包括在所述基板的所述第一区域上延伸的第一鳍状物，
第二鳍状物组，包括在所述基板的所述第二区域上延伸的第二鳍状物，所述第二鳍状物组的所述第二鳍状物的数量少于所述第一鳍状物组的所述第一鳍状物的数量，所述第二鳍状物组的所述第二鳍状物与所述第一鳍状物组的所述第一鳍状物电断开，
第一栅极结构，在所述第一鳍状物组上使得所述第一栅极结构交叉所述第一鳍状物组的所述第一鳍状物，
第二栅极结构，在所述第二鳍状物组上使得所述第二栅极结构交叉所述第二鳍状物组的所述第二鳍状物，
在所述第一栅极结构的侧部的第一源极/漏极，
在所述第二栅极结构的侧部的第二源极/漏极，
在所述第一源极/漏极上的第一源极/漏极接触，
在所述第二源极/漏极上的第二源极/漏极接触，
在所述第一栅极结构上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴炳哉，金洲铉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR