一种能够提高机台利用率的透明晶圆制造技术

本实用新型专利技术公开了一种能够提高机台利用率的透明晶圆，属于半导体加工技术领域，所述透明晶圆(2)背面设有第一金属层(1)，所述透明晶圆(2)正面包括mark区域(3)和图形区域(4)，所述mark区域(3)设有对准mark图形(31)，所述具有对准mark图形的mark区域(3)设有第二金属层(32)。本实用新型专利技术中的透明晶圆能够进一步提高机台的利用率，且机台能够对晶圆进行准确对准，保证了半导体加工工艺的精准度。

A transparent wafer that can improve the machine utilization

【技术实现步骤摘要】
一种能够提高机台利用率的透明晶圆
本技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种能够提高机台利用率的透明晶圆。
技术介绍
目前用于集成电路芯片生产的晶圆，除常规的非透明晶圆如Si和GaAs晶圆外，也有很多透明晶圆如SiC或石英晶圆等。现有机台对晶圆的检测过程如图1所示，机台上的传感器发射端发出信号，无晶圆时，如图1(a)所示，传感器接收端接到信号，机台判定为无晶圆；若有非透明的晶圆，如图1(b)所示，机台上的传感器发射端发出信号，非透明晶圆将会反射发射端发出的信号，传感器接收端未接收到发射端发出的信号，机台认为存在晶圆，进行后续操作处理；对于透明晶圆，如图1(c)所示，机台上的传感器发射端发出的信号会透过透明晶圆到达传感器接收端，机台将判定不存在晶圆。企业如何使现有机台能兼容不同透明度的晶圆的识别与对准，增加芯片产品种类，提高机台利用率，是业界遇到的一个难题。其次，在半导体加工技术中，对同一晶圆的加工需要不同的机台对其进行加工处理，那么如何保证透明晶圆在整个半导体加工过程中被不同机台进行识别与对准，是我们目前亟需解决的问题。半导体企业常用的方法是增加新的机台，或更改机台的晶圆识别传感器，以增强机台对晶圆的识别能力，使其能识别透明晶圆。上述方法带来的问题是企业成本增加，机台利用率不高，且机台改造容易造成机台的宕机，影响企业的正常运作。在此基础上，如何使用企业现有的机台对透明晶圆进行识别是业界亟需解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中的机台无法准确识别透明晶圆的问题，提供一种能够提高机台利用率的透明晶圆。本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种能够提高机台利用率的透明晶圆，所述透明晶圆背面设有第一金属层，所述透明晶圆正面包括mark区域和图形区域，所述mark区域设有对准mark图形，所述具有对准mark图形的mark区域设有第二金属层。具体地，所述透明晶圆包括SiC晶圆、石英晶圆及其它材质的透明晶圆。具体地，所述第一金属层具体为非透明金属层，所述第一金属层中的金属包括钨、钛和银。具体地，所述第一金属层的厚度为300-5000埃，能够在节约成本的基础上保证机台准确识别到透明晶圆。具体地，所述第一金属层面积小于等于所述透明晶圆面积，且第一金属层面积不小于透明晶圆面积的40％，更优地，第一金属层的大小等于所述透明晶圆的大小，利于机台对透明晶圆进行识别。具体地，透明晶圆正面设有至少两个mark区域，更优地，透明晶圆正面设有两个沿透明晶圆中心线对称的mark区域，用于消除旋转偏差的对准误差。具体地，所述对准mark图形具体为“十”字形凹槽或矩形凹槽或其他形状的对准mark图形。具体地，所述凹槽深度为500-3000埃，能够在节约成本的基础上保证实现透镜晶圆的对准。具体地，所述第二金属层具体为非透光金属层，第二金属层中的金属包括但不限于钨、钛、银、金和镍。具体地，所述第二金属层的厚度为100-3000埃，能够在节约成本的基础上，实现透明晶圆的对准。与现有技术相比，本技术有益效果是：(1)本技术晶圆背面设有非透明金属层，能够改变晶圆的透明度，利于现有机台对透明晶圆进行识别；透明晶圆正面的mark区域设有对准mark图形，且具有对准mark图形的mark区域设有不透光的金属层，便于机台对对准mark图像进行识别，保证工艺的精准度，提高了各机台的利用率。(2)本技术第一金属层为非透明金属，能够保证机台准确识别到透明晶圆。(3)本技术第一金属层的厚度为300-5000埃，能够在节约成本的基础上保证机台准确识别到透明晶圆。(4)本技术第一金属层面积小于等于透明晶圆的大小，利于机台对透明晶圆进行识别。(5)本技术透明晶圆正面设有至少两个mark区域，能够消除旋转偏差的对准误差，进一步保证校准正确率。(6)本技术第二金属层为非透光金属层，能够实现透明晶圆的对准。(7)且第二金属层的厚度为100-3000埃，能够在节约成本的基础上，实现透明晶圆的对准。附图说明下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明，此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。图1为现有技术中机台对晶圆的检测过程示意图；图2为本技术实施例1的透明晶圆的俯视图；图3为本技术实施例1的透明晶圆的侧视图。图中：第一金属层1、透明晶圆2、mark区域3、对准mark图形31、第二金属层32、图形区域4具体实施方式下面结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，属于“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系为基于附图所述的方向或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，属于“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，属于“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。实施例1如图2所示，在实施例1中，一种能够提高机台利用率的透明晶圆，即能够使不同的机台对透明晶圆进行识别与对准，具体地，透明晶圆2背面设有第一金属层1，透明晶圆2正面包括mark区域3和图形区域4，mark区域3设有对准mark图形31，具有对准mark图形31的mark区域3设有第二金属层32。其中，透明晶圆2包括SiC晶圆和石英晶圆。进一步地，第一金属层1具体为非透明金属层，第一金属层1中的金属包括但不限于钨、钛和银。第一金属层1的厚度为300-5000埃，能够在节约成本的基础上保证机台准确识别到透明晶圆。第一金属层1的大小与透明晶圆2的大小相同，能够保证机台能够百分之百识别到透明晶圆。进一步地，如图3所示，透明晶圆正面设有两个沿透明晶圆中心线对称的mark区域3。更为具体地，透明晶圆的对准是将透明晶圆上mark本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种能够提高机台利用率的透明晶圆，其特征在于：所述透明晶圆(2)背面设有第一金属层(1)，所述透明晶圆(2)正面包括mark区域(3)和图形区域(4)，所述mark区域(3)设有对准mark图形(31)，所述具有对准mark图形的mark区域(3)设有第二金属层(32)。/n

【技术特征摘要】
1.一种能够提高机台利用率的透明晶圆，其特征在于：所述透明晶圆(2)背面设有第一金属层(1)，所述透明晶圆(2)正面包括mark区域(3)和图形区域(4)，所述mark区域(3)设有对准mark图形(31)，所述具有对准mark图形的mark区域(3)设有第二金属层(32)。


2.根据权利要求1所述的一种能够提高机台利用率的透明晶圆，其特征在于：所述透明晶圆(2)包括SiC晶圆和石英晶圆。


3.根据权利要求1所述的一种能够提高机台利用率的透明晶圆，其特征在于：所述第一金属层(1)具体为非透明金属层，所述第一金属层(1)中的金属包括钨、钛和银。


4.根据权利要求1所述的一种能够提高机台利用率的透明晶圆，其特征在于：所述第一金属层(1)的厚度为300-5000埃。


5.根据权利要求1所述的一种能够提高机台利用率的透明晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：周华芳，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51