一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记技术

本申请实施例公开一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记，其中，所述套刻标记方法包括：在第一材料层上形成N个第一标记，所述每个第一标记包括P个第一子标记，所述第一子标记的形状为通过多个块状图形而形成的长条状；在所述第一材料层之后形成第二材料层；在所述第二材料层上形成与每一所述第一标记一一对应的N个第二标记，所述每个第二标记包括Q个长条状的第二子标记；其中，N、P和Q均为大于1的整数，且P大于Q；其中，所述第一标记的宽度大于所述第二标记的宽度。

A marking method, measuring method and marking

【技术实现步骤摘要】
一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记
本申请实施例涉及半导体器件及其制造领域，涉及但不限于一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记。
技术介绍
在三维闪存(3DNAND)的制造工艺过程中,为了满足栅线(GL)刻蚀(Etch)工艺的高深宽比高选择比的需求，需要使用更厚更致密的硬掩模(HM，hardmask)作为保型材料。但随着材料厚度及致密度的增加，这些膜层对光的吸收也随之增加，反射减少，从而对光刻制程造成很大影响，尤其使光刻制程后的套刻(OVL，Overlay)量测困难增加，显影后的图形OVL量测准确性比较低，影响OVL补偿结果进而影响最终的良率水平。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记，通过在第一材料层(如半导体衬底)上形成第一标记，在第二材料层(多晶硅栅层)上形成第二标记，其中，第一标记和第二标记的尺寸不同，且第一标记和第二标记的组成不同，增加了第一标记与第二标记的对比度，进而提升套刻量测的准确性。本申请实施例的技术方案是这样实现的：本申请实施例提供一种套刻标记方法，所述方法包括：在第一材料层上形成N个第一标记，所述每个第一标记包括P个第一子标记，所述第一子标记的形状为通过多个块状图形而形成的长条状；在所述第一材料层之后形成第二材料层；在所述第二材料层上形成与每一所述第一标记一一对应的N个第二标记，所述每个第二标记包括Q个长条状的第二子标记；其中，N、P和Q均为大于1的整数，且P大于Q；其中，所述第一标记的宽度大于所述第二标记的宽度。在一些实施例中，所述在第一材料层上形成N个第一标记包括：在第一材料层上，分别沿第一方向和第二方向形成至少一个第一标记列；其中，所述第一方向和所述第二方向垂直；对应的，所述在所述第二材料层上形成与每一所述第一标记一一对应的N个第二标记，包括：在第二材料层上，分别沿所述第一方向和所述第二方向形成至少一个第二标记列；其中，沿所述第一方向的第一标记列中的第一标记和沿所述第一方向的第二标记列中的第二标记一一对应，沿所述第一方向的第一标记列中的第一标记的长度方向和沿所述第一方向第二标记列中的第二标记的长度方向与所述第一方向垂直；沿所述第二方向的第一标记列中的第一标记和沿所述第二方向第二标记列中的第二标记一一对应，沿所述第二方向的第一标记列中的第一标记的长度方向和沿所述第二方向的第二标记列中的第二标记的长度方向与所述第二方向垂直。在一些实施例中，每个标记列中的标记数量相等，将所述第一标记列和第二标记列投影在同一平面时，第一方向的第一标记列位于所述第一方向的第二标记列的内侧，第二方向的第一标记列位于所述第二方向的第二标记列内侧。在一些实施例中，所述在第一材料层上，分别沿第一方向和第二方向形成至少一个第一标记列，包括：在第一材料层上形成分别沿第一方向和第二方向的两个第一标记列；对应地，在第二材料层上，分别沿所述第一方向和所述第二方向形成两个第二标记列，其中，同一方向的两个标记列中心对称。在一些实施例中，所述第一标记的宽度大于第二标记的宽度。在一些实施例中，所述第一标记的宽度与相邻两个第一标记之间的距离之和为第一距离，所述第二标记的宽度与相邻两个第二标记之间的距离之和为第二距离；其中，所述第一距离等于所述第二距离。在一些实施例中，所述第一子标记的宽度小于所述第二子标记的宽度。在一些实施例中，所述第二子标记的宽度等于第一子标记的宽度与相邻两个第一子标记之间的距离之和。在一些实施例中，相邻两个所述第一子标记之间的距离小于相邻两个第二子标记之间的距离。在一些实施例中，所述第一标记和第二标记被形成为凹槽状或凸起状。本申请实施例提供一种套刻测量方法，所述方法包括：在第一材料层上形成N个第一标记，所述每个第一标记包括P个第一子标记，所述第一子标记的形状为通过多个块状图形而形成的长条状；在所述第一材料层之后形成第二材料层；在所述第二材料层上形成与每一所述第一标记一一对应的N个第二标记，所述每个第二标记包括Q个长条状的第二子标记；其中，N、P和Q均为大于1的整数，且P大于Q；所述第一标记的宽度大于所述第二标记的宽度；根据所述N个第一标记和所述N个第二标记进行套刻量测。本申请实施例再提供一种套刻标记，所述标记包括：N个第一标记，形成于第一材料层上，所述每个第一标记包括P个第一子标记，所述第一子标记的形状为通过多个块状图形而形成的长条状；N个第二标记，形成于第二材料层上，所述每个第二标记包括Q个长条状的第二子标记；其中，一个第一标记和一个第二标记一一对应，N、P和Q均为大于1的整数，且P大于Q；其中，所述第一标记的宽度大于所述第二标记的宽度。本申请实施例提供的套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记，通过在第一材料层上形成第一标记，在第二材料层上形成第二标记，其中，第一标记和第二标记的尺寸不同，第一标记包括的子标记和第二标记包括的子标记的数量不同，第一子标记和第二子标记的组成不同，增加了第一标记与第二标记的对比度，进而提升套刻量测的准确性。附图说明在附图(其不一定是按比例绘制的)中，相似的附图标记可在不同的视图中描述相似的部件。附图以示例而非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个实施例。图1A为相关技术中膜层厚度与透光率的关系示意图；图1B为相关技术中套刻标记在电镜下结构示意图；图1C为相关技术中套刻标记的结构示意图；图1D为相关技术中当前层套刻标记的尺寸关系示意图；图1E为相关技术中的套刻标记套刻测量的对称度示意图；图2为本申请实施例提供的套刻标记方法的流程示意图；图3为本申请实施例提供的套刻标记的结构示意图；图4为本申请实施例提供的一种套刻标记方法的流程图；图5为本申请实施例提供的套刻标记投影在同一平面的结构示意图；图6为本申请实施例提供的套刻测量方法的实现流程示意图；图7为本申请实施例提供的套刻标记的ADI量测结果与AEI量测结果的线性关系；图8为相关技术中提供的套刻标记的ADI量测结果与AEI量测结果的线性关系；图9为本申请实施例提供的套刻标记套刻测量对称性示意图。具体实施方式为使本申请实施例的技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请的具体技术方案做进一步详细描述。以下实施例用于说明本申请，但不用来限制本申请的范围。在以下的描述中，涉及到“一些实施例”，其描述了所有可能实施例的子集，但是可以理解，“一些实施例”可以是所有可能实施例的相同子集或不同子集，并且可以在不冲突的情况下相互结合。如果申请文件中出现“第一/第二”的类似描述则增加以下的说明，在以下的描述中，所涉及的术语“第一\第二\第三”仅仅是是区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序，可以理解地，“第一\第二\第三”在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种套刻标记方法，其特征在于，包括：/n在第一材料层上形成N个第一标记，所述每个第一标记包括P个第一子标记，所述第一子标记的形状为通过多个块状图形而形成的长条状；/n在所述第一材料层之后形成第二材料层；/n在所述第二材料层上形成与每一所述第一标记一一对应的N个第二标记，所述每个第二标记包括Q个长条状的第二子标记；/n其中，N、P和Q均为大于1的整数，且P大于Q；/n其中，所述第一标记的宽度大于所述第二标记的宽度。/n

【技术特征摘要】
1.一种套刻标记方法，其特征在于，包括：
在第一材料层上形成N个第一标记，所述每个第一标记包括P个第一子标记，所述第一子标记的形状为通过多个块状图形而形成的长条状；
在所述第一材料层之后形成第二材料层；
在所述第二材料层上形成与每一所述第一标记一一对应的N个第二标记，所述每个第二标记包括Q个长条状的第二子标记；
其中，N、P和Q均为大于1的整数，且P大于Q；
其中，所述第一标记的宽度大于所述第二标记的宽度。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一材料层上形成N个第一标记包括：
在第一材料层上，分别沿第一方向和第二方向形成至少一个第一标记列；其中，所述第一方向和所述第二方向垂直；
对应的，所述在所述第二材料层上形成与每一所述第一标记一一对应的N个第二标记，包括：
在第二材料层上，分别沿所述第一方向和所述第二方向形成至少一个第二标记列；其中，沿所述第一方向的第一标记列中的第一标记和沿所述第一方向的第二标记列中的第二标记一一对应，沿所述第一方向的第一标记列中的第一标记的长度方向和沿所述第一方向第二标记列中的第二标记的长度方向与所述第一方向垂直；沿所述第二方向的第一标记列中的第一标记和沿所述第二方向第二标记列中的第二标记一一对应，沿所述第二方向的第一标记列中的第一标记的长度方向和沿所述第二方向的第二标记列中的第二标记的长度方向与所述第二方向垂直。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，每个标记列中的标记数量相等，将所述第一标记列和第二标记列投影在同一平面时，第一方向的第一标记列位于所述第一方向的第二标记列的内侧，第二方向的第一标记列位于所述第二方向的第二标记列内侧。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在第一材料层上，分别沿第一方向和第二方向形成至少一个第一标记列，包括：在第一材料层上形成分别沿第一方向和第二方向的两个第一标记列；
对应地，在第二材料层上，分别沿所述第一方向和所述第二方向形成两个第二标记列，其中，同一方向的两个标记列...

【专利技术属性】
技术研发人员：万浩，卢绍祥，李伟，郭芳芳，陆聪，轩攀登，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42