【技术实现步骤摘要】
本公开内容涉及集成电路(ic)，并且更特别地，涉及一种形成三维(3d)nand存储器器件的方法和一种3d nand存储器器件。
技术介绍
1、nand存储器是一种不需要电力来保持所存储的数据的非易失性类型的存储器器件。消费电子设备、云计算和大数据的增长的需求带来了对更大容量和更佳性能的nand存储器的持续需求。随着常规二维(2d)nand存储器器件接近其物理极限，三维(3d)nand存储器器件现在正扮演重要角色。3d nand存储器器件在单个芯片中使用多个堆叠层以实现更高密度、更高容量、更快性能、更低功耗和更好的成本效率。
2、3d nand存储器器件包括具有掺杂区域的衬底、层堆叠体、存储单元、半导体层、接触结构和栅极线缝隙结构。栅极线缝隙结构穿过层堆叠体形成以将存储单元分离为块。在形成栅极线缝隙结构之后，残留金属可能残留在栅极线缝隙结构的侧壁上，从而导致相邻存储单元之间的漏电流。本公开内容改进了形成栅极线缝隙的工艺以消除漏电流。
技术实现思路
1、本公开内容的一个方面提供了一种形成三维(3d)nand存储器器件的方法。该方法包括：形成穿过氧化物层和导电材料层的交替层的栅极线缝隙，其中，导电材料层还形成在栅极线缝隙的侧壁和底部上；执行第一蚀刻工艺，以从栅极线缝隙的侧壁和底部并且从相邻氧化物层之间去除导电材料层的部分，由此暴露氧化物层的在栅极线缝隙中的部分；去除氧化物层的在栅极线缝隙的侧壁上的暴露部分；以及执行第二蚀刻工艺，以去除栅极线缝隙中的导电材料层的残留物。
...【技术保护点】
1.一种形成三维(3D)NAND存储器器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成穿过所述氧化物层和所述导电材料层的所述交替层的所述栅极线缝隙包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中：
5.根据权利要求3所述的方法，还包括：在去除所述牺牲层之后并且在所述相邻氧化物层之间形成所述导电材料层之前，形成高K材料层，以覆盖所述氧化物层的表面以及所述栅极线缝隙的底部。
6.根据权利要求5所述的方法，其中：
7.根据权利要求6所述的方法，其中：
8.根据权利要求5所述的方法，其中：
9.根据权利要求8所述的方法，其中：
10.根据权利要求1所述的方法，其中：
11.一种三维(3D)NAND存储器器件，包括：
12.根据权利要求11所述的3D NAND存储器器件，还包括：
13.根据权利要求11所述的3D NAND存储器器件，其中：
14.根据权利要求11所述的3D NAND存储器器
15.根据权利要求11所述的3D NAND存储器器件，其中：
16.根据权利要求11所述的3D NAND存储器器件，其中：
17.一种存储器系统，包括：
18.根据权利要求17所述的存储器系统，其中：
19.根据权利要求17所述的存储器系统，其中：
20.根据权利要求17所述的存储器系统，其中：
...【技术特征摘要】
1.一种形成三维(3d)nand存储器器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成穿过所述氧化物层和所述导电材料层的所述交替层的所述栅极线缝隙包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中：
5.根据权利要求3所述的方法，还包括：在去除所述牺牲层之后并且在所述相邻氧化物层之间形成所述导电材料层之前，形成高k材料层，以覆盖所述氧化物层的表面以及所述栅极线缝隙的底部。
6.根据权利要求5所述的方法，其中：
7.根据权利要求6所述的方法，其中：
8.根据权利要求5所述的方法，其中：
9.根据权利要求8所述的方法，其中：
10.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：严龙翔，徐伟，薛磊，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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