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一种形成三维(3D)NAND存储器器件的方法，包括：形成穿过氧化物层和导电材料层的交替层的栅极线缝隙，其中，导电材料层还形成在栅极线缝隙的侧壁和底部上；执行第一蚀刻工艺，以从栅极线缝隙的侧壁和底部并且从相邻氧化物层之间去除导电材料层的部分，...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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