【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法及制造半导体结构的遮罩本申请主张2018年11月23日申请的美国临时申请第62/770,918号及2019年1月10日申请的美国正式申请第16/244,885号的优先权及权益，该美国临时申请及该美国正式申请的内容以全文引用的方式并入本文中。
本公开关于一种半导体结构的制造方法。特别是关于一种将设置在一基底上的光刻胶进行图案化的方法。再者，本公开关于一种用于制造一半导体结构的工具，特别是关于一遮罩(mask，掩模)，其针对一基底的光刻(photolithography)。该遮罩包括许多部位，这些部位具有一预定电磁辐射的不同穿透率(transmittances)。
技术介绍
半导体装置基本上应用于许多现代化产品。随着电子科技的进步，半导体装置在具有较佳功能性与较大数量的集成电路的同时，也在尺寸大小上变得更小。而许多制造步骤已实施在小型化的半导体装置的制造上制造半导体装置为提供一基底(substrate)以及借助光刻(photolithography)而形成半导体结构在该基底上。在光刻工艺过程期...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，包括：/n提供一基底以及在该基底上形成一光刻胶；/n在该光刻胶上放置一遮罩；/n经由该遮罩，将该光刻胶暴露在一预定电磁辐射中；以及/n将该光刻胶暴露于该预定电磁辐射中的至少一部位进行移除；/n其中，该遮罩包括一第一部位、一第二部位以及一第三部位，该第一部位被配置为完全允许该预定电磁辐射穿透，该第二部位被配置为部分地允许该预定电磁辐射穿透，该第三部位被配置为阻挡该预定电磁辐射的一第三部位，而该第二部位位于该第一部位与该第三部位之间。/n
【技术特征摘要】
20181123 US 62/770,918;20190110 US 16/244,8851.一种半导体结构的制造方法，包括：
提供一基底以及在该基底上形成一光刻胶；
在该光刻胶上放置一遮罩；
经由该遮罩，将该光刻胶暴露在一预定电磁辐射中；以及
将该光刻胶暴露于该预定电磁辐射中的至少一部位进行移除；
其中，该遮罩包括一第一部位、一第二部位以及一第三部位，该第一部位被配置为完全允许该预定电磁辐射穿透，该第二部位被配置为部分地允许该预定电磁辐射穿透，该第三部位被配置为阻挡该预定电磁辐射的一第三部位，而该第二部位位于该第一部位与该第三部位之间。
2.如权利要求1所述的制造方法，其中该遮罩的该第一部位具有该预定电磁辐射的一第一穿透率，该遮罩的该第二部位具有该预定电磁辐射的一第二穿透率，该第一穿透率大于该第二穿透率。
3.如权利要求2所述的制造方法，其中该遮罩的该第三部位具有该预定电磁辐射的一第三穿透率，该第一穿透率与该第二穿透率大于该第三穿透率。
4.如权利要求3所述的制造方法，其中该第三穿透率等于零。
5.如权利要求2所述的制造方法，其中该遮罩包括一第七部位，该第七部位位于该第一部位与该第二部位之间，或者是位于该第二部位与该第三部位之间，且该第七部位具有该预定电磁辐射的一第四穿透率，该第四穿透率介于该第一穿透率与该第二穿透率之间。
6.如权利要求1所述的制造方法，其中该遮罩的该第一部位具有一开口。
7.如权利要求1所述的制造方法，其中该遮罩的该第二部位包括多个开口以及多个遮蔽部位，所述多个开口的其中之一位于所述多个遮蔽部位的其中两个之间。
8.如权利要求1所述的制造方法，其中该光刻胶包括一第四部位、一第五部位以及一第六部位，该第五部位环绕该第四部位，该第六部位环绕该第四部位及该第五部位，而在移除该光刻胶的所述至少一部位之后，该第四部位被完全移除，且该第五部位被部分移除。
9.如权利要求1所述的制造方法，其中在移除该光刻胶的所述至少一部位之后，该光刻胶包括一阶梯部。
10.如权利要求1所述的制造方法，其中该预定电磁辐射为紫外线辐射、可见光或是红外线辐射。
11....
【专利技术属性】
技术研发人员：施信益，倪玉梅，刘士亿，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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