半导体结构的制造方法及制造半导体结构的遮罩技术

本公开提供一种半导体结构的制造方法和制造半导体结构的遮罩。该制造方法包括：提供一基底以及在该基底上形成一光刻胶；在该光刻胶上放置一遮罩；经由该遮罩，将该光刻胶暴露在一预定电磁辐射中；以及将该光刻胶的暴露在该预定电磁辐射中的至少一部位进行移除。该遮罩包括一第一部位、一第二部位以及一第三部位，该第一部位被配置为完全允许该预定电磁辐射穿透，该第二部位被配置为部分地允许该预定电磁辐射穿透，该第三部位被配置为阻挡该预定电磁辐射，而该第二部位为位于该第一部位与该第三部位之间。

Manufacturing method and mask of semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法及制造半导体结构的遮罩本申请主张2018年11月23日申请的美国临时申请第62/770,918号及2019年1月10日申请的美国正式申请第16/244,885号的优先权及权益，该美国临时申请及该美国正式申请的内容以全文引用的方式并入本文中。
本公开关于一种半导体结构的制造方法。特别是关于一种将设置在一基底上的光刻胶进行图案化的方法。再者，本公开关于一种用于制造一半导体结构的工具，特别是关于一遮罩(mask，掩模)，其针对一基底的光刻(photolithography)。该遮罩包括许多部位，这些部位具有一预定电磁辐射的不同穿透率(transmittances)。
技术介绍
半导体装置基本上应用于许多现代化产品。随着电子科技的进步，半导体装置在具有较佳功能性与较大数量的集成电路的同时，也在尺寸大小上变得更小。而许多制造步骤已实施在小型化的半导体装置的制造上制造半导体装置为提供一基底(substrate)以及借助光刻(photolithography)而形成半导体结构在该基底上。在光刻工艺过程期间，一预定电磁辐射经由一遮罩而朝向该基底进行辐射，以在该基底上图案化一光刻胶(photoresist)。然而，半导体结构复杂度的增加，可能增加制造时间以及包含更多用于制造半导体装置的工具(tooling)。因此，在制造半导体装置的改良方法有许多挑战，而且亦有许多用于制造半导体装置的制造工具。上文的“先前技术(现有技术)”说明仅为提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开之目的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本申请的任一部分。
技术实现思路
本公开的一实施例提供一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括：提供一基底以及形成一光刻胶在该基底上；放置一遮罩在该光刻胶上；经由该遮罩，将该光刻胶暴露在一预定电磁辐射中；以及将该光刻胶暴露在该预定电磁辐射中的至少一部位进行移除。该遮罩包括一第一部位、一第二部位以及一第三部位，该第一部位被配置为完全允许该预定电磁辐射穿透，该第二部位被配置为部分地允许该预定电磁辐射穿透，该第三部位被配置为阻挡该预定电磁辐射，而该第二部位位于该第一部位与该第三部位之间。在本公开的一些实施例中，该遮罩的该第一部位具有该预定电磁辐射的一第一穿透率，该遮罩的该第二部位具有该预定电磁辐射的一第二穿透率，该第一穿透率大体上大于该第二穿透率。在本公开的一些实施例中，该遮罩的该第三部位具有该预定电磁辐射的一第三穿透率，该第一穿透率与该第二穿透率大体上大于该第三穿透率。在本公开的一些实施例中，该第三穿透率大体上等于零。在本公开的一些实施例中，该遮罩包括一第七部位，其位于该第一部位与该第二部位之间，或者是位于该第二部位与该第三部位之间，且该第七部位具有该预定电磁辐射的一第四穿透率，该第四穿透率介于该第一穿透率与该第二穿透率之间。在本公开的一些实施例中，该遮罩的该第一部位具有一开口(opening)。在本公开的一些实施例中，该遮罩的该第二部位包括多个开口(openings)以及多个遮蔽部位(shieldingportions)，所述多个开口的其中之一位于所述多个遮蔽部位的其中两个之间。在本公开的一些实施例中，该光刻胶包括一第四部位、一第五部位以及一第六部位，该第五部位环绕该第四部位，该第六部位环绕该第四部位及该第五部位，而在移除该光刻胶的所述至少一部位之后，该第四部位被完全移除，且该第五部位被部分移除。在本公开的一些实施例中，在移除该光刻胶的所述至少一部位之后，该光刻胶包括一阶梯部。在本公开的一些实施例中，该预定电磁辐射为紫外线辐射(ultravioletradiation)、可见光(visiblelight)或是红外线辐射(infraredradiation)。在本公开的一些实施例中，该光刻胶为一正型光刻胶(positivephotoresist)，在该光刻胶暴露于该预定电磁辐射之后，该光刻胶可溶解于一预定显影剂(developer)中。在本公开的一些实施例中，在该光刻胶的暴露期间，该第四部位完全地暴露在该预定电磁辐射中，该第五部位部分地暴露在该预定电磁辐射中，而该第六部位被该遮罩所遮蔽。在本公开的一些实施例中，该预定电磁辐射穿透该第一部位而朝向该第四部位、部分穿透该第二部位而朝向该第五部位以及被该第三部位所遮蔽。在本公开的一些实施例中，该第二部位环绕该第一部位，而该第三部位环绕该第一部位与该第二部位。在本公开的一些实施例中，该光刻胶为一负型光刻胶(negativephotoresist)，在该光刻胶暴露在该预定电磁辐射中之后，该光刻胶不溶解于一显影剂，该光刻胶包括一第四部位、一第五部位以及一第六部位，该第五部位环绕该第四部位，该第六部位环绕该第四部位与该第五部位，在该光刻胶的所述至少一部位移除之后，该第四部位完全地被移除，而该第五部位部分地被移除。在本公开的一些实施例中，在该光刻胶的暴露期间，该第四部位被该遮罩所遮蔽，该第五部位部分地暴露在该预定电磁辐射中，且该第六部位完全地暴露在该预定电磁辐射中。在本公开的一些实施例中，该预定电磁辐射被该第三部位所阻挡、部分地穿透该第二部位而朝向该第五部位以及穿透该第一部位而朝向该第六部位。在本公开的一些实施例中，该第二部位环绕该第三部位，该第一部位环绕该第二部位与第三部位。在本公开的另一实施例中提供一种制造半导体结构的遮罩，包括一基底以及位于该基底上的一遮蔽层。该遮蔽层包括一第一部位、一第二部位以及一第三部位，该第一部位被配置为完全允许一预定电磁辐射穿透，该第二部位具有相互间隔设置的多个遮蔽部并被配置为部分地允许该预定电磁辐射穿透，该第三部位被配置为阻挡该预定电磁辐射，而该第二部位位于该第一部位与该第三部位之间。在本公开的一些实施例中，该遮蔽层的该第二部位包括一第一区段以及一第二区段，该第一区段具有多个遮蔽部，该第一区段的所述多个遮蔽部具有一第一密度，该第二区段具有多个遮蔽部，该第二区段的所述多个遮蔽部具有一第二密度，该第一密度大体上不同于该第二密度。上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，由此使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求书限定的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中的一般技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例以作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同之目的。本公开所属
中的一般技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离随附的权利要求书所界定的本公开的精神和范围。附图说明参阅实施方式与权利要求书合并考量附图时，可得以更全面了解本申请的揭示内容，附图中相同的元件符号(附图标记)指代相同的元件。图1是俯视示意图，例示本公开一些实施例的一第一遮罩。图2为沿着图1中A-A’切线的剖视示意图。图3是俯视示意图，例示本公开一些实施例的一第二遮罩本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，包括：/n提供一基底以及在该基底上形成一光刻胶；/n在该光刻胶上放置一遮罩；/n经由该遮罩，将该光刻胶暴露在一预定电磁辐射中；以及/n将该光刻胶暴露于该预定电磁辐射中的至少一部位进行移除；/n其中，该遮罩包括一第一部位、一第二部位以及一第三部位，该第一部位被配置为完全允许该预定电磁辐射穿透，该第二部位被配置为部分地允许该预定电磁辐射穿透，该第三部位被配置为阻挡该预定电磁辐射的一第三部位，而该第二部位位于该第一部位与该第三部位之间。/n

【技术特征摘要】
20181123 US 62/770,918;20190110 US 16/244,8851.一种半导体结构的制造方法，包括：
提供一基底以及在该基底上形成一光刻胶；
在该光刻胶上放置一遮罩；
经由该遮罩，将该光刻胶暴露在一预定电磁辐射中；以及
将该光刻胶暴露于该预定电磁辐射中的至少一部位进行移除；
其中，该遮罩包括一第一部位、一第二部位以及一第三部位，该第一部位被配置为完全允许该预定电磁辐射穿透，该第二部位被配置为部分地允许该预定电磁辐射穿透，该第三部位被配置为阻挡该预定电磁辐射的一第三部位，而该第二部位位于该第一部位与该第三部位之间。


2.如权利要求1所述的制造方法，其中该遮罩的该第一部位具有该预定电磁辐射的一第一穿透率，该遮罩的该第二部位具有该预定电磁辐射的一第二穿透率，该第一穿透率大于该第二穿透率。


3.如权利要求2所述的制造方法，其中该遮罩的该第三部位具有该预定电磁辐射的一第三穿透率，该第一穿透率与该第二穿透率大于该第三穿透率。


4.如权利要求3所述的制造方法，其中该第三穿透率等于零。


5.如权利要求2所述的制造方法，其中该遮罩包括一第七部位，该第七部位位于该第一部位与该第二部位之间，或者是位于该第二部位与该第三部位之间，且该第七部位具有该预定电磁辐射的一第四穿透率，该第四穿透率介于该第一穿透率与该第二穿透率之间。


6.如权利要求1所述的制造方法，其中该遮罩的该第一部位具有一开口。


7.如权利要求1所述的制造方法，其中该遮罩的该第二部位包括多个开口以及多个遮蔽部位，所述多个开口的其中之一位于所述多个遮蔽部位的其中两个之间。


8.如权利要求1所述的制造方法，其中该光刻胶包括一第四部位、一第五部位以及一第六部位，该第五部位环绕该第四部位，该第六部位环绕该第四部位及该第五部位，而在移除该光刻胶的所述至少一部位之后，该第四部位被完全移除，且该第五部位被部分移除。


9.如权利要求1所述的制造方法，其中在移除该光刻胶的所述至少一部位之后，该光刻胶包括一阶梯部。


10.如权利要求1所述的制造方法，其中该预定电磁辐射为紫外线辐射、可见光或是红外线辐射。


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【专利技术属性】
技术研发人员：施信益，倪玉梅，刘士亿，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71