电子元件及其制造方法技术

本公开提供一种电子元件及其制造方法。该电子元件包括：一多层部件、至少一个接触垫、一钝化层、一介电层以及一金属层。该接触垫设置在该多层部件的上方，该钝化层覆盖该多层部件和该接触垫，该介电层设置在该钝化层的上方。该金属层穿透该介电层和该钝化层并且连接到该接触垫，该金属层在与该接触垫的距离减小的位置离散地逐渐变细。

Electronic components and manufacturing methods

【技术实现步骤摘要】
电子元件及其制造方法
本公开主张2018/11/30申请的美国临时申请案第62/773,823号及2019/1/18申请的美国正式申请案第16/251,858号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种电子元件及其制造方法，特别涉及一种具有无空隙通孔(void-freevias)的电子元件及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业快速地发展。在发展过程中，集成电路的功能密度增加，而几何尺寸减小。这种按照比例缩小的过程通常伴随生产效率的提高，和成本的降低。但是也增加了处理和制造集成电路的复杂性，并且为了实现这些进步，在集成电路的制造中也需要进行相关技术的开发。例如，随着半导体产业到进入到纳米的工艺技术，而在制造和设计方面追求更高的元件密度、更高的性能和更低的成本，导致了多层元件的发展。多层元件可以包括多个层间介电层(interlayerdielectriclayer，ILD)、一个或多个沉入层间介电层内的布线层、以及插入在两个布线层之间的一个或多个通孔。但是，随着持本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一电子元件，包括：/n一多层部件；/n至少一个接触垫，设置在该多层部件的上方；/n一钝化层，覆盖该多层部件及该接触垫；/n一介电层，设置在该钝化层的上方；以及/n一金属层，穿透该介电层和该钝化层并且连接到该接触垫，/n其中该金属层在与该接触垫的距离减小的位置离散地逐渐变细。/n

【技术特征摘要】
20181130 US 62/773,823;20190118 US 16/251,8581.一电子元件，包括：
一多层部件；
至少一个接触垫，设置在该多层部件的上方；
一钝化层，覆盖该多层部件及该接触垫；
一介电层，设置在该钝化层的上方；以及
一金属层，穿透该介电层和该钝化层并且连接到该接触垫，
其中该金属层在与该接触垫的距离减小的位置离散地逐渐变细。


2.如权利要求1所述的电子元件，其中该金属层包括：
一第一插塞区段，设置在该钝化层内并且接触该接触垫；以及
一第二插塞区段，设置在该介电层内并且连接到该第一插塞区段，
其中该第一插塞区段的一第一宽度小于该第二插塞区段的一第二宽度。


3.如权利要求2所述的电子元件，其中该第一宽度在1.0和2.5微米的范围内，该第二宽度不小于5.0微米。


4.如权利要求2所述的电子元件，其中该金属层还包括一接垫区段，设置在该介电层的上方并且连接到该第二插塞区段。


5.如权利要求4所述的电子元件，其中该金属层是一共形层。


6.如权利要求4所述的电子元件，其中该第一插塞区段、该第二插塞区段和该接垫区段是整体形成的。


7.如权利要求1所述的电子元件，其中该钝化层包括：
一底层，设置在该多层部件和该接触垫的上方；以及
一覆盖层，设置在该底层和该介电层之间。


8.如权利要求7所述的电子元件，其中该底层中的至少一个和该覆盖层具有一厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：林育廷，王茂盈，施信益，吴鸿谟，丁永德，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71