半导体结构及其制造方法技术

本公开提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一基底、一晶粒、一封胶、一介电层、一导电通孔以及一金属条带。该晶粒设置在该基底的上方。该封胶围绕该晶粒。该介电层设置在基底的上方并且围绕该晶粒和该封胶。该导电通孔延伸穿过该介电层。该金属条带延伸穿过该介电层并沿该介电层延伸，以至少部分地围绕该晶粒。

Semiconductor structure and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法本申请主张2018/11/23申请的美国临时申请第62/770,928号及2019/1/10申请的美国正式申请第16/244,870号的优先权及权益，该美国临时申请及该美国正式申请的内容以全文引用的方式并入本文中。
本公开关于一种半导体结构，特别是关于一种封装堆叠(packageonpackage，PoP)的结构及其制造方法。在封装堆叠结构中，一个封装体设置在另一个包括金属条带的封装体的上方。此外，半导体结构的制造方法包括去除封装体的介电层的一部分以形成沟槽，并且将导电材料设置到沟槽中以形成金属条带。
技术介绍
半导体元件对于许多现代的应用很重要。随着电子技术的进步，半导体元件的尺寸愈来愈小，同时元件具有更多的集成电路和提供更强大的功能。由于半导体元件的小型化，封装堆叠(packageonpackage，PoP)现在被广泛应用做为一种半导体元件的制造方法。在这种封装结构的生产中，执行了许多的制造步骤。使用封装堆叠来制造半导体元件变得更加地复杂。半导体元件由与许多集成元件组合，包括具有不同热性能的各种材料。由于组合许多具有不同材料的元件，因此半导体元件和制造的操作变得更加复杂。因此，对于半导体元件的结构和工艺的改进在持续进行着。上文的“先前技术(现有技术)”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开之目的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本申请的任一部分。
技术实现思路
本公开提供一种半导体结构，包括一基底、一晶粒、一封胶、一介电层、一导电通孔以及一金属条带。该晶粒设置在该基底的上方。该封胶围绕该晶粒。该介电层设置在基底的上方并且围绕该晶粒和该封胶。该导电通孔延伸穿过该介电层。该金属条带延伸穿过该介电层并沿该介电层延伸，以至少部分地围绕该晶粒。在一些实施例中，该晶粒被该金属条带包围。在一些实施例中，该金属条带的一表面通过该介电层暴露。在一些实施例中，该封胶被设置在该晶粒和该介电层之间。在一些实施例中，该金属条带被设置在该半导体结构的一角落或沿该导体结构的一边缘设置。在一些实施例中，该金属条带被设置在该导电通孔的上方。在一些实施例中，该导电通孔被设置在该金属条带和该晶粒之间。在一些实施例中，该金属条带被设置在该晶粒和该导电通孔之间。在一些实施例中，该导电通孔的一顶部横截面实质上小于该金属条带一顶部横截面。在一些实施例中，该导电通孔的一顶部横截面具一有圆形形状，该金属条带的一顶部横截面具有一矩形形状。在一些实施例中，该半导体结构还包括设置在该基底下方的一第一连接器。在一些实施例中，该半导体结构还包括在该晶粒和该介电层上方的一封装体，该封装体通过一第二连接器接合。在一些实施例中，该第二连接器被设置在该导电通孔的上方并且电连接到该导电通孔。本公开另提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供一载体；设置一介电层在该载体的上方；去除该介电层的一第一部分，形成延伸穿过该介电层的一开口；去除该介电层的一第二部分，形成延伸穿过该介电层并且沿该介电层延伸的一沟槽；设置一导电材料在该开口和沟槽内，分别形成一导电通孔和一金属条带；去除该介电层的一第三部分；将该介电层从该载体分开；将该介电层设置在一基底的上方；设置一晶粒在该基底的上方；以及形成一封胶以围绕该晶粒。在一些实施例中，该沟槽沿该介电层延伸以至少部分地围绕该晶粒。在一些实施例中，去除该介电层的该第一部分和去除该介电层的该第二部分是同时执行。在一些实施例中，去除该介电层的该第三部分是在从该载体分开该介电层之前或是在该基底的上方设置该介电层之后执行。在一些实施例中，在该基底的上方设置该介电层包括通过一连接器将该介电层接合到该基底。在一些实施例中，通过电镀、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)或模板电镀来设置该导电材料。在一些实施例中，该制造方法还包括通过一连接器将一封装体接合在该晶粒和该介电层的上方。上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，由此使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求书目的之其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中的一般技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例以作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同之目的。本公开所属
中的一般技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离随附的权利要求书所界定的本公开的精神和范围。附图说明参阅实施方式与权利要求书合并考量附图时，可得以更全面了解本申请的揭示内容，附图中相同的元件符号(附图标记)指代相同的元件。图1是俯视图，例示本公开一实施例的半导体结构。图2是剖面图，例示图1的半导体结构沿A-A'剖面线的结构。图3是俯视图，例示本公开另一实施例的半导体结构。图4是剖面图，例示本公开一些实施例的封装堆叠结构。图5是流程图，例示本公开一些实施例的半导体结构的制造方法。图6至图17是示意图，例示图5的半导体结构的制造方法。【附图标记说明】100半导体结构101基底101a第一表面101b第二表面101c第一导电垫101d第一连接器102晶粒102a晶粒接垫103封胶104介电层104a第一层104b第二层104c第三层104d开口104e沟漕104f孔洞105导电通孔105a通孔部分105b接垫部分106金属长条107载体108导电材料200半导体结构201封装基底202第二导电垫203第二连接器300方法301步骤302步骤303步骤304步骤305步骤306步骤307步骤308步骤309步骤310步骤具体实施方式本公开的以下说明伴随纳入且组成说明书的一部分的附图，说明本公开实施例，然而本公开并不受限于该实施例。此外，以下的实施例可适当整合以下实施例以构成另一实施例。“一实施例”、“实施例”、“例示实施例”、“其他实施例”、“另一实施例”等是指本公开所描述的实施例可包含特定特征、结构或是特性，然而并非每一实施例必须包含该特定特征、结构或是特性。再者，重复使用“在实施例中”一语并非必须指相同实施例，然而也可为相同实施例。本公开关于一种半导体结构，该半导体结构包括至少部分地围绕一晶粒的一金属条带。此外，本公开关于一种半导体结构的制造方法，包括去除一部分的介电层以形成一沟槽，以及将导电材料设置到该沟槽中以形成金属条带。为了使得本公开可被完全理解，以下说明提供详细的步骤与结构。显然，本公开的实施不会限制于该领域的技术人员已知的特定细节。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n一基底；/n一晶粒，设置在该基底的上方；/n一封胶，围绕该晶粒；/n一介电层，设置在该基底的上方并且围绕该晶粒和该封胶；/n一导电通孔，延伸穿过该介电层；以及/n一金属条带，延伸穿过该介电层并沿该介电层延伸，以至少部分地围绕该晶粒。/n

【技术特征摘要】
20181123 US 62/770,928;20190110 US 16/244,8701.一种半导体结构，包括：
一基底；
一晶粒，设置在该基底的上方；
一封胶，围绕该晶粒；
一介电层，设置在该基底的上方并且围绕该晶粒和该封胶；
一导电通孔，延伸穿过该介电层；以及
一金属条带，延伸穿过该介电层并沿该介电层延伸，以至少部分地围绕该晶粒。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该晶粒被该金属条带包围。


3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属条带的一表面通过该介电层暴露。


4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该封胶被设置在该晶粒和该介电层之间。


5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属条带被设置在该半导体结构的一角落或沿着该导体结构的一边缘设置。


6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属条带被设置在该导电通孔的上方。


7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导电通孔被设置在该金属条带和该晶粒之间。


8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属条带被设置在该晶粒和该导电通孔之间。


9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导电通孔的一顶部横截面小于该金属条带一顶部横截面。


10.如权利要求9所述的半导体结构，其中该导电通孔的一顶部横截面具一有圆形形状，该金属条带的一顶部横截面具有一矩形形状。


11.如权利要求1所述的半导体结构，还包括设置在该基底下方的一第一连接器。
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【专利技术属性】
技术研发人员：施信益，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71