【技术实现步骤摘要】
一种扇出型晶圆级封装结构
本技术涉及芯片封装
,尤其涉及一种扇出型晶圆级封装结构。
技术介绍
扇出型晶圆级封装是一种晶圆级加工的嵌入式封装,也是I/O数较多、集成灵活性好的主要先进封装之一。扇出晶圆级封装技术一般采用从晶圆切下单个微芯片,然后嵌到一个新的“人造”晶圆上。嵌入时,必须在微芯片之间为扇出再布线留出足够大的间距。但是现有的芯片扇出型晶圆级封装结构较为简单,封装结构的保护层组成结构的耐磨和防腐蚀能力较弱,从而影响芯片的封装效果。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中芯片扇出型晶圆级封装结构较为简单,封装结构的保护层组成结构的耐磨和防腐蚀能力较弱的问题,而提出的一种扇出型晶圆级封装结构。为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:一种扇出型晶圆级封装结构,包括芯片、保护层金属片、焊球和塑封层,所述保护层涂覆于芯片的顶部,所述金属片与芯片的顶部固定连接,所述保护层上设有与金属片对应的开口,所述焊球与芯片的底部固定连接,所述保护层的顶部设有塑封层,所述保护层包括对称设置的第一粘接层和第二粘接层,所述第一粘接层和第二粘接层之间设有对称设置的第一绝缘层和第二绝缘层,所述第一绝缘层和第二绝缘层与第一粘接层和第二粘接层之间均通过耐磨层粘接,所述第一绝缘层远离第一粘接层的一侧设有第一防腐蚀层,所述第二绝缘层远离第二粘接层的一侧设有第二防腐蚀层,所述第一防腐蚀层和第二防腐蚀层之间设有抗折层。优选地,所述第一绝缘层和第二绝缘层均为氮化硅层。优选地,所述耐磨层 ...
【技术保护点】
1.一种扇出型晶圆级封装结构,包括芯片(1)、保护层(2)金属片(3)、焊球(4)和塑封层(5),其特征在于,所述保护层(2)涂覆于芯片(1)的顶部,所述金属片(3)与芯片(1)的顶部固定连接,所述保护层(2)上设有与金属片(3)对应的开口,所述焊球(4)与芯片(1)的底部固定连接,所述保护层(2)的顶部设有塑封层(5),所述保护层(2)包括对称设置的第一粘接层(201)和第二粘接层(202),所述第一粘接层(201)和第二粘接层(202)之间设有对称设置的第一绝缘层(203)和第二绝缘层(204),所述第一绝缘层(203)和第二绝缘层(204)与第一粘接层(201)和第二粘接层(202)之间均通过耐磨层(205)粘接,所述第一绝缘层(203)远离第一粘接层(201)的一侧设有第一防腐蚀层(206),所述第二绝缘层(204)远离第二粘接层(202)的一侧设有第二防腐蚀层(207),所述第一防腐蚀层(206)和第二防腐蚀层(207)之间设有抗折层(208)。/n
【技术特征摘要】
1.一种扇出型晶圆级封装结构,包括芯片(1)、保护层(2)金属片(3)、焊球(4)和塑封层(5),其特征在于,所述保护层(2)涂覆于芯片(1)的顶部,所述金属片(3)与芯片(1)的顶部固定连接,所述保护层(2)上设有与金属片(3)对应的开口,所述焊球(4)与芯片(1)的底部固定连接,所述保护层(2)的顶部设有塑封层(5),所述保护层(2)包括对称设置的第一粘接层(201)和第二粘接层(202),所述第一粘接层(201)和第二粘接层(202)之间设有对称设置的第一绝缘层(203)和第二绝缘层(204),所述第一绝缘层(203)和第二绝缘层(204)与第一粘接层(201)和第二粘接层(202)之间均通过耐磨层(205)粘接,所述第一绝缘层(203)远离第一粘接层(201)的一侧设有第一防腐蚀层(206),所述第二绝缘层(204)远离第二粘接层(202)的一侧设有第二防腐蚀层(207)...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨宝亮,
申请(专利权)人:深圳市兰科半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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