一种晶圆级芯片尺寸封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶圆级芯片尺寸封装结构，包括芯片、保护层和焊盘，所述保护层涂覆于芯片的顶部，所述焊盘与芯片的顶部固定连接，所述保护层上设有与焊盘对应的开口，所述保护层包括对称设置的第一耐磨层和第二耐磨层，所述第一耐磨层和第二耐磨层之间设有对称设置的第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层与第一耐磨层和第二耐磨层之间均通过胶层粘接，所述第一绝缘层远离第一耐磨层的一侧设有第一防腐蚀层。本实用新型专利技术通过多层结构的设置，增强了封装结构的耐磨和防腐蚀能力，从而提升了芯片的封装效果。

A wafer level chip size packaging structure

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆级芯片尺寸封装结构
本技术涉及芯片封装
，尤其涉及一种晶圆级芯片尺寸封装结构。
技术介绍
晶圆级芯片尺寸封装技术是对整个晶圆进行封装测试后再切割得到单个芯片的技术。通常，所述晶圆级芯片尺寸封装是把半导体芯片上外围排列的焊盘通过再分布过程分布成面阵列的大量焊球，或称所述焊球为焊接凸点。但是现有的芯片尺寸封装结构较为简单，封装结构的保护层组成结构的耐磨和防腐蚀能力较弱，从而影响芯片的封装效果。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中芯片尺寸封装结构较为简单，封装结构的保护层组成结构的耐磨和防腐蚀能力较弱的问题，而提出的一种晶圆级芯片尺寸封装结构。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种晶圆级芯片尺寸封装结构，包括芯片、保护层和焊盘，所述保护层涂覆于芯片的顶部，所述焊盘与芯片的顶部固定连接，所述保护层上设有与焊盘对应的开口，所述保护层包括对称设置的第一耐磨层和第二耐磨层，所述第一耐磨层和第二耐磨层之间设有对称设置的第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层与第一耐磨层和第二耐磨层之间均通过胶层粘接，所述第一绝缘层远离第一耐磨层的一侧设有第一防腐蚀层，所述第二绝缘层远离第二耐磨层的一侧设有第二防腐蚀层，所述第一防腐蚀层和第二防腐蚀层之间设有抗折层。优选地，所述第一绝缘层和第二绝缘层均为氮化硅层。优选地，所述胶层为生物热熔胶层。优选地，所述第一防腐蚀层和第二防腐蚀层均为环氧富锌层。优选地，所述抗折层为金属网层。优选地，所述第一耐磨层和第二耐磨层均为环氧树脂层。本技术中，第一绝缘层和第二绝缘层的设置，增强了封装结构的绝缘性能，氮化硅层的设置，增强了绝缘层的绝缘效果，第一防腐蚀层和第二防腐蚀层的设置，增强了封装结构的防腐蚀性能，同时环氧富锌层的设置，增强了防腐蚀层的防腐蚀能力，同时抗折层的设置，增强了封装结构的韧性。本技术通过多层结构的设置，增强了封装结构的耐磨和防腐蚀能力，从而提升了芯片的封装效果。附图说明图1为本技术提出的一种晶圆级芯片尺寸封装结构的结构示意图；图2为本技术提出的一种晶圆级芯片尺寸封装结构的侧视结构示意图。图中：1芯片、2保护层、201第一耐磨层、202第二耐磨层、203第一绝缘层、204第二绝缘层、205胶层、206第一防腐蚀层、207第二防腐蚀层、208抗折层、3焊盘。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。参照图1-2，一种晶圆级芯片尺寸封装结构，包括芯片1、保护层2和焊盘3，保护层2涂覆于芯片1的顶部，焊盘3与芯片1的顶部固定连接，保护层2上设有与焊盘3对应的开口，保护层2包括对称设置的第一耐磨层201和第二耐磨层202，第一耐磨层201和第二耐磨层202之间设有对称设置的第一绝缘层203和第二绝缘层204，用于增强封装结构的绝缘性能，第一绝缘层203和第二绝缘层204与第一耐磨层201和第二耐磨层202之间均通过胶层205粘接，用于增强绝缘层与耐磨层之间的稳固，第一绝缘层203远离第一耐磨层201的一侧设有第一防腐蚀层206，用于增强封装结构的防腐蚀性能，第二绝缘层204远离第二耐磨层202的一侧设有第二防腐蚀层207，用于增强封装结构的防腐蚀性能，第一防腐蚀层206和第二防腐蚀层207之间设有抗折层208，用于增强封装结构的韧性。本技术中，第一绝缘层203和第二绝缘层204均为氮化硅层，用于增强绝缘层的绝缘能力，胶层205为生物热熔胶层，第一防腐蚀层206和第二防腐蚀层207均为环氧富锌层，用于增强防腐蚀层的防腐蚀能力，抗折层208为金属网层，增强抗折层208的强度，第一耐磨层201和第二耐磨层202均为环氧树脂层，增强耐磨层的耐磨性能。本技术中，第一绝缘层203和第二绝缘层204的设置，增强了封装结构的绝缘性能，同时氮化硅层的设置，增强了绝缘层的绝缘效果，第一防腐蚀层206和第二防腐蚀层207的设置，增强了封装结构的防腐蚀性能，同时环氧富锌层的设置，增强了防腐蚀层的防腐蚀能力，同时抗折层208的设置，增强了封装结构的韧性。以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆级芯片尺寸封装结构，包括芯片(1)、保护层(2)和焊盘(3)，其特征在于，所述保护层(2)涂覆于芯片(1)的顶部，所述焊盘(3)与芯片(1)的顶部固定连接，所述保护层(2)上设有与焊盘(3)对应的开口，所述保护层(2)包括对称设置的第一耐磨层(201)和第二耐磨层(202)，所述第一耐磨层(201)和第二耐磨层(202)之间设有对称设置的第一绝缘层(203)和第二绝缘层(204)，所述第一绝缘层(203)和第二绝缘层(204)与第一耐磨层(201)和第二耐磨层(202)之间均通过胶层(205)粘接，所述第一绝缘层(203)远离第一耐磨层(201)的一侧设有第一防腐蚀层(206)，所述第二绝缘层(204)远离第二耐磨层(202)的一侧设有第二防腐蚀层(207)，所述第一防腐蚀层(206)和第二防腐蚀层(207)之间设有抗折层(208)。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级芯片尺寸封装结构，包括芯片(1)、保护层(2)和焊盘(3)，其特征在于，所述保护层(2)涂覆于芯片(1)的顶部，所述焊盘(3)与芯片(1)的顶部固定连接，所述保护层(2)上设有与焊盘(3)对应的开口，所述保护层(2)包括对称设置的第一耐磨层(201)和第二耐磨层(202)，所述第一耐磨层(201)和第二耐磨层(202)之间设有对称设置的第一绝缘层(203)和第二绝缘层(204)，所述第一绝缘层(203)和第二绝缘层(204)与第一耐磨层(201)和第二耐磨层(202)之间均通过胶层(205)粘接，所述第一绝缘层(203)远离第一耐磨层(201)的一侧设有第一防腐蚀层(206)，所述第二绝缘层(204)远离第二耐磨层(202)的一侧设有第二防腐蚀层(207)，所述第一防腐蚀层(206)和第二防腐蚀层(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宝亮，
申请(专利权)人：深圳市兰科半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44