一种叠层芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了芯片技术领域的一种叠层芯片封装结构，包括：外框架；盖板组件，所述盖板组件安装在所述外框架的顶部；多个第一引脚，多个所述第一引脚等距安装在所述外框架的底部，所述第一引脚贯穿所述外框架内腔底部；第一芯片，所述第一芯片安装在所述外框架的内腔底部；连接架，所述连接架安装在所述外框架的内腔，所述连接架的底部与所述第一芯片的顶部接触；第二芯片，所述第二芯片安装在所述外框架的内腔，所述第二芯片的底部与所述连接架的顶部接触，本实用新型专利技术能够快速的对芯片进行封装，提高了芯片的生产效率，并且能够对芯片进行有效的散热，保障了芯片的使用寿命。

A stack chip packaging structure

【技术实现步骤摘要】
一种叠层芯片封装结构
本技术涉及芯片
，具体为一种叠层芯片封装结构。
技术介绍
集成电路英语：integratedcircuit，缩写IC；或称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在电子学中是一种把电路(主要包括半导体设备，也包括被动组件等)小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。安装半导体集成电路芯片用的外壳，起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁——芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对CPU和其他LSI集成电路都起着重要的作用。现有的芯片是通过焊接的方式进行封装的，封装过程繁复且繁琐，严重影响了芯片的生产效率，并且现有的芯片封装所使用的外壳多是塑料件，散热效果差，在芯片的使用过程中，芯片上的热量无法有效的散发出去，严重影响了芯片的使用寿命。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种叠层芯片封装结构，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的芯片是通过焊接的方式进行封装的，封装过程繁复且繁琐，严重影响了芯片的生产效率，并且现有的芯片封装所使用的外壳多是塑料件，散热效果差，在芯片的使用过程中，芯片上的热量无法有效的散发出去，严重影响了芯片的使用寿命的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种叠层芯片封装结构，包括：外框架；盖板组件，所述盖板组件安装在所述外框架的顶部；多个第一引脚，多个所述第一引脚等距安装在所述外框架的底部，所述第一引脚贯穿所述外框架内腔底部；第一芯片，所述第一芯片安装在所述外框架的内腔底部；连接架，所述连接架安装在所述外框架的内腔，所述连接架的底部与所述第一芯片的顶部接触；第二芯片，所述第二芯片安装在所述外框架的内腔，所述第二芯片的底部与所述连接架的顶部接触，所述第二芯片的顶部与所述盖板组件的底部接触。优选的，所述外框架包括：外框架本体；两个滑槽，两个所述滑槽一前一后开设在所述外框架本体的顶部前后两侧。优选的，所述盖板组件包括：盖板本体；两个滑块，两个所述滑块一前一后设置在所述盖板本体的底部前后两侧；散热组件，所述散热组件镶嵌在所述盖板本体的顶部，所述散热组件的底部贯穿所述盖板本体的底部，所述散热组件的底部与所述盖板本体的底部平齐，所述散热组件的顶部与所述盖板本体的顶部平齐。优选的，所述散热组件包括：铝合金板；云母片，所述云母片通过粘合剂安装在所述铝合金板的底部。优选的，所述第一芯片包括：第一芯片本体；多个硅穿孔，多个所述硅穿孔等距开设在所述第一芯片本体的顶部，所述硅穿孔贯穿所述第一芯片本体的底部。优选的，所述连接架包括：连接架本体；多个插槽，多个所述插槽等距开设在所述连接架本体的顶部，所述插槽贯穿所述连接架本体的底部；多个毛纽扣，多个所述毛纽扣一一对应的焊接在多个插槽的内腔。优选的，所述第二芯片包括：第二芯片本体；多个第二引脚，多个所述第二引脚等距安装在所述第二芯片本体的底部。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术能够快速的对芯片进行封装，提高了芯片的生产效率，并且能够对芯片进行有效的散热，保障了芯片的使用寿命，滑块与滑槽相匹配，滑块插接在滑槽的内侧，盖板本体通过滑块和滑槽的配合使用安装在外框架本体的顶部，并且通过螺栓将盖板本体固定在外框架本体的顶部，通过滑块与滑槽的配合能够快速的对芯片进行封装，提高了芯片的生产效率，第二芯片本体的顶部与云母片的底部接触，通过云母片将芯片上的热量导出到铝合金板上，通过铝合金板将热量散发到空气中，能够快速的对芯片进行散热，提高芯片的使用寿命。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术外框架结构示意图；图3为本技术盖板组件结构示意图；图4为本技术散热组件结构示意图；图5为本技术第一芯片结构示意图；图6为本技术连接架结构示意图；图7为本技术第二芯片结构示意图。图中：100外框架、110外框架本体、120滑槽、200盖板组件、210盖板本体、220滑块、230散热组件、231铝合金板、232云母片、300第一引脚、400第一芯片、410第一芯片本体、420硅穿孔、500连接架、510连接架本体、520插槽、530毛纽扣、600第二芯片、610第二芯片本体、620第二引脚。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术提供一种叠层芯片封装结构，能够快速的对芯片进行封装，提高了芯片的生产效率，并且能够对芯片进行有效的散热，保障了芯片的使用寿命，请参阅图1，外框架100、盖板组件200、第一引脚300、第一芯片400、连接架500和第二芯片600；请参阅图1和图2，外框架100包括：外框架本体110；两个滑槽120一前一后开设在外框架本体110的顶部前后两侧；请参阅图1和图3，盖板组件200安装在外框架100的顶部，盖板组件200包括：盖板本体210安装在外框架本体110的顶部；两个滑块220一前一后设置在盖板本体210的底部前后两侧，滑块220与滑槽120相匹配，滑块220插接在滑槽120的内侧，盖板本体210通过滑块220和滑槽120的配合使用安装在外框架本体110的顶部，并且通过螺栓将盖板本体210固定在外框架本体110的顶部，通过滑块220与滑槽120的配合能够快速的对芯片进行封装，提高了芯片的生产效率；请参阅图3和图4，散热组件230镶嵌在盖板本体210的顶部，散热组件230的底部贯穿盖板本体210的底部，散热组件230的底部与盖板本体210的底部平齐，散热组件230的顶部与盖板本体210的顶部平齐，散热组件230包括：铝合金板231的顶部与盖板本体210的顶部平齐；云母片232通过粘合剂安装在铝合金板231的底部，云母片232的底部与盖板本体210的底部平齐，通过云母片将芯片上的热量导出到铝合金板231上，通过铝合金板231将热量散发到空气中，能够快速的对芯片进行散热，提高芯片的使用寿命；请再次参阅图1，多个第一引脚300等距安装在外框架100的底部，第一引脚300贯穿外框架100内腔底部；请参阅图1和图5，第一芯片400安装在外框架100的内腔底部，第一芯片400包括：第一芯片本体410的底部与外框架本体110的内腔底部接触；多个硅穿孔420等距本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种叠层芯片封装结构，其特征在于：包括：/n外框架(100)；/n盖板组件(200)，所述盖板组件(200)安装在所述外框架(100)的顶部；/n多个第一引脚(300)，多个所述第一引脚(300)等距安装在所述外框架(100)的底部，所述第一引脚(300)贯穿所述外框架(100)内腔底部；/n第一芯片(400)，所述第一芯片(400)安装在所述外框架(100)的内腔底部；/n连接架(500)，所述连接架(500)安装在所述外框架(100)的内腔，所述连接架(500)的底部与所述第一芯片(400)的顶部接触；/n第二芯片(600)，所述第二芯片(600)安装在所述外框架(100)的内腔，所述第二芯片(600)的底部与所述连接架(500)的顶部接触，所述第二芯片(600)的顶部与所述盖板组件(200)的底部接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种叠层芯片封装结构，其特征在于：包括：
外框架(100)；
盖板组件(200)，所述盖板组件(200)安装在所述外框架(100)的顶部；
多个第一引脚(300)，多个所述第一引脚(300)等距安装在所述外框架(100)的底部，所述第一引脚(300)贯穿所述外框架(100)内腔底部；
第一芯片(400)，所述第一芯片(400)安装在所述外框架(100)的内腔底部；
连接架(500)，所述连接架(500)安装在所述外框架(100)的内腔，所述连接架(500)的底部与所述第一芯片(400)的顶部接触；
第二芯片(600)，所述第二芯片(600)安装在所述外框架(100)的内腔，所述第二芯片(600)的底部与所述连接架(500)的顶部接触，所述第二芯片(600)的顶部与所述盖板组件(200)的底部接触。


2.根据权利要求1所述的一种叠层芯片封装结构，其特征在于：所述外框架(100)包括：
外框架本体(110)；
两个滑槽(120)，两个所述滑槽(120)一前一后开设在所述外框架本体(110)的顶部前后两侧。


3.根据权利要求1所述的一种叠层芯片封装结构，其特征在于：所述盖板组件(200)包括：
盖板本体(210)；
两个滑块(220)，两个所述滑块(220)一前一后设置在所述盖板本体(210)的底部前后两侧；
散热组件(230)，所述散热组件(230)镶嵌在所述盖板本体(210)的顶部，所述散热组件(...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宝，
申请(专利权)人：华蓥旗邦微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51