【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种芯片封装结构及其制作方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，三维堆叠封装半导体器件已作为一种能够有效减小半导体器件的物理尺寸的工艺得到广泛应用。在三维堆叠封装半导体器件中，诸如逻辑、存储器、处理器电路等的有源电路被制造在不同的晶圆和封装件上。两个或多个封装件中的一个封装件被安装在另一个封装件的顶部，即进行堆叠，以让封装体实现更高的集成度。此外，堆叠封装半导体器件可以实现更小的形状因数、较高的成本效益、增强的性能和更低的功耗。现有技术中在进行多芯片堆叠封装时通常采用整体塑封或分步塑封的方式，例如，先完成芯片之间的堆叠和电连接，然后使用塑封料将其整体塑封，或者针对每个或每几个芯片依次进行单独塑封，每步塑封中塑封料的材质均相同。塑封过程中会经理高温、冷却等步骤，由于塑封材料层与衬底的热膨胀系数不同，在封装过程中随着温度的变化塑封材料层会产生膨胀或收缩，产生的热应力会使封装结构发生翘曲，影响后续制程及半导体器件质量。专利技...
【技术保护点】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：/n第一重布线层；/n第一芯片，与所述第一重布线层电连接；/n第一塑封体，包封所述第一芯片；/n第二芯片，设置在所述第一芯片背离所述第一重布线层的一侧，且与所述第一重布线层电连接；/n第二塑封体，包封所述第二芯片，所述第二塑封体与所述第一塑封体的热膨胀系数不同。/n
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
第一重布线层；
第一芯片，与所述第一重布线层电连接；
第一塑封体，包封所述第一芯片；
第二芯片，设置在所述第一芯片背离所述第一重布线层的一侧，且与所述第一重布线层电连接；
第二塑封体，包封所述第二芯片，所述第二塑封体与所述第一塑封体的热膨胀系数不同。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二芯片的功能面背离所述第一芯片，所述第一重布线层依次通过第一导电柱、第二导电柱、导电线与所述第二芯片电连接，所述第一导电柱位于所述第一塑封体内，所述第二导电柱一端位于所述第一塑封体内，另一端位于所述第二塑封体内，所述导电线位于所述第二塑封体内。
3.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片的功能面朝向所述第一重布线层，且通过第一焊料凸点与所述第一重布线层电连接。
4.根据权利要求1-3任一所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：
第三芯片，设置在所述第二塑封体内，其功能面朝向所述第二芯片的功能面，且通过第二焊料凸点与所述第二芯片电连接。
5.根据权利要求1-4任一所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：
第四芯片，设置在所述第一重布线层背离所述第一芯片的一侧，且与所述第一重布线层电连接；
第三塑封体，包封所述第四芯片，所述第三塑封体与所述第一塑封体的热膨胀系数不同；
第二重布线层，设置在所述第四芯片背离所述第一重布线层的一侧，且与所述第一重布线层电连接；
外接焊球，与所述第二重布线层电连接。
6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一重布线层依次通过第三导电柱和第四导电柱与所述第二重布线层电连接，所述第三导电柱和第四导电柱位于所述第三塑封体内。
7.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供介质层；
在所述介质层上设置第一芯片，使所述第一芯片与所述介质层电连接；
在所述第一芯片上制作包封所述第一芯片的第一塑封体；
在所述第一芯片背离所述第一重布线层的一侧设置第二芯片，使所述第二芯片与所述介质层电连接；
在所述第二芯片上制作包封所述第二芯片的第二塑封体，所述第二塑封体与所述第一塑封体的热膨胀系数不同；
在所述介质层背离所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张凯，耿菲，曹立强，
申请(专利权)人：上海先方半导体有限公司，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。