半导体装置、高频功率放大器及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

发挥锚固效应，并且实现与半导体元件连接的引线的低阻抗化。半导体装置具有：散热器(101)；半导体元件(102)；引线(104)，其配置于散热器的上方；以及模塑材料(109)，其覆盖引线、散热器和半导体元件而形成。在散热器的俯视观察时与引线重叠的位置的下表面的缘部形成比该位置的上表面的缘部更加凸出的第1凸部(101a)，在散热器的俯视观察时不与引线重叠的位置的上表面的缘部形成比该位置的下表面的缘部更加凸出的第2凸部(101c)。

Manufacturing methods of semiconductor devices, high frequency power amplifiers and semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置、高频功率放大器及半导体装置的制造方法
本说明书所公开的技术涉及半导体装置、具有该半导体装置的高频功率放大器及半导体装置的制造方法。
技术介绍
就通过模塑材料而将在散热器的上表面配置的半导体元件覆盖的以往的封装件构造而言，以产生将模塑材料连接固定于散热器的效果即锚固效应为目的，使用了如下形状的散热器，即，在被模塑材料覆盖的上表面的缘部具有比从模塑材料露出的下表面的缘部更加凸出的凸部(例如，参照专利文献1)。专利文献1：国际公开第2013/094101号公报
技术实现思路
但是，在使用了上述这样的形状的散热器的情况下，在散热器被接地时，在经由导线而与半导体元件连接的引线和散热器在上下方向上重叠的区域，散热器侧的寄生电感成分被冗余化。因此，存在无法使引线的阻抗降低至所期望的水平的问题。在这种情况下，由于引线的阻抗高，因此在将半导体装置用作高频放大器的情况下等，妨碍高性能化。本说明书所公开的技术就是为了解决以上所记载的这样的问题而提出的，其目的在于提供能够发挥将模塑材料连接固定的效果，并且实现与半导体元件连接的引线的低阻抗化的技术。本说明书所公开的技术的第1方案具有：散热器，其至少下表面接地；半导体元件，其配置于所述散热器的上表面，并且被输入高频信号或输出高频信号；至少1根引线，其经由导线而与所述半导体元件电连接，并且所述引线配置于所述散热器的上方；以及模塑材料，其覆盖所述引线的一部分、所述散热器的至少上表面和所述半导体元件而形成，所述散热器以俯视观察时一部分与所述引线重叠的方式配置，在所述散热器的俯视观察时与所述引线重叠的位置的下表面的缘部形成比该位置的上表面的缘部更加凸出的至少1个第1凸部，在所述散热器的俯视观察时不与所述引线重叠的位置的上表面的缘部形成比该位置的下表面的缘部更加凸出的至少1个第2凸部。本说明书所公开的技术的第2方案具有：散热器，其至少下表面接地；半导体元件，其配置于所述散热器的上表面，并且被输入高频信号或输出高频信号；至少1根引线，其经由导线而与所述半导体元件电连接，并且所述引线配置于所述散热器的上方；以及模塑材料，其覆盖所述引线的一部分、所述散热器的至少上表面和所述半导体元件而形成，所述散热器以俯视观察时一部分与所述引线重叠的方式配置，在所述散热器的俯视观察时与所述引线重叠的位置的下表面的缘部形成比该位置的上表面的缘部更加凸出的至少1个凸部，在所述散热器的俯视观察时不与所述引线重叠的位置的上表面的缘部形成至少1个切入部，所述模塑材料填充于所述切入部。在本说明书所公开的技术的第3方案中，准备至少下表面接地的散热器，在所述散热器的上表面配置被输入高频信号或输出高频信号的半导体元件，将经由导线而与所述半导体元件电连接的至少1根引线配置于所述散热器的上方，所述散热器以俯视观察时一部分与所述引线重叠的方式配置，在所述散热器的俯视观察时与所述引线重叠的位置的下表面的缘部形成比该位置的上表面的缘部更加凸出的至少1个第1凸部，在所述散热器的俯视观察时不与所述引线重叠的位置的上表面的缘部形成比该位置的下表面的缘部更加凸出的至少1个第2凸部，形成将所述引线的一部分、所述散热器的一部分和所述半导体元件覆盖的模塑材料，所述模塑材料以使所述散热器的所述第1凸部的至少端部露出的方式形成，在形成所述模塑材料之后，将所述第1凸部的所述端部切断。专利技术的效果本说明书所公开的技术的第1方案具有：散热器，其至少下表面接地；半导体元件，其配置于所述散热器的上表面，并且被输入高频信号或输出高频信号；至少1根引线，其经由导线而与所述半导体元件电连接，并且所述引线配置于所述散热器的上方；以及模塑材料，其覆盖所述引线的一部分、所述散热器的至少上表面和所述半导体元件而形成，所述散热器以俯视观察时一部分与所述引线重叠的方式配置，在所述散热器的俯视观察时与所述引线重叠的位置的下表面的缘部形成比该位置的上表面的缘部更加凸出的至少1个第1凸部，在所述散热器的俯视观察时不与所述引线重叠的位置的上表面的缘部形成比该位置的下表面的缘部更加凸出的至少1个第2凸部。根据这样的结构，在散热器与引线在俯视观察时重叠的位置，散热器的横向的寄生电感成分降低。另外，引线与散热器之间的寄生电容经由散热器而接地时的寄生电感成分降低。因此，能够实现引线的低阻抗化。即，能够通过第2凸部而发挥将模塑材料连接固定的效果，并且实现与半导体元件连接的引线的低阻抗化。本说明书所公开的技术的第2方案具有：散热器，其至少下表面接地；半导体元件，其配置于所述散热器的上表面，并且被输入高频信号或输出高频信号；至少1根引线，其经由导线而与所述半导体元件电连接，并且所述引线配置于所述散热器的上方；以及模塑材料，其覆盖所述引线的一部分、所述散热器的至少上表面和所述半导体元件而形成，所述散热器以俯视观察时一部分与所述引线重叠的方式配置，在所述散热器的俯视观察时与所述引线重叠的位置的下表面的缘部形成比该位置的上表面的缘部更加凸出的至少1个凸部，在所述散热器的俯视观察时不与所述引线重叠的位置的上表面的缘部形成至少1个切入部，所述模塑材料填充于所述切入部。根据这样的结构，通过向散热器的切入部填充模塑材料，从而能够产生将散热器与模塑材料连接固定的效果、即锚固效应。另外，在散热器与引线在俯视观察时重叠的位置，散热器的横向的寄生电感成分降低。另外，引线与散热器之间的寄生电容经由散热器而接地时的寄生电感成分降低。因此，能够实现引线的低阻抗化。即，能够通过切入部而发挥将模塑材料连接固定的效果，并且实现与半导体元件连接的引线的低阻抗化。在本说明书所公开的技术的第3方案中，准备至少下表面接地的散热器，在所述散热器的上表面配置被输入高频信号或输出高频信号的半导体元件，将经由导线而与所述半导体元件电连接的至少1根引线配置于所述散热器的上方，所述散热器以俯视观察时一部分与所述引线重叠的方式配置，在所述散热器的俯视观察时与所述引线重叠的位置的下表面的缘部形成比该位置的上表面的缘部更加凸出的至少1个第1凸部，在所述散热器的俯视观察时不与所述引线重叠的位置的上表面的缘部形成比该位置的下表面的缘部更加凸出的至少1个第2凸部，形成将所述引线的一部分、所述散热器的一部分和所述半导体元件覆盖的模塑材料，所述模塑材料以使所述散热器的所述第1凸部的至少端部露出的方式形成，在形成所述模塑材料之后，将所述第1凸部的所述端部切断。根据这样的结构，通过使散热器的下侧的伸出长度、即第1凸部的向侧方的凸出长度为能够防止模塑材料的蔓延的足够的长度，从而能够抑制模塑树脂向散热器的第1凸部的侧面或散热器的下表面的蔓延。因此，能够制造如下半导体装置，该半导体装置能够抑制模塑树脂的蔓延、并且实现引线的低阻抗化。通过以下所示的详细说明和附图，本说明书所公开的技术涉及的目的、特征、方案和优点变得更清楚。附图说明图1概略地例示实施方式涉及的用于实现半导体装置的结构，是沿X轴方向的剖面图。图2概略地例示实施方式涉及的用于实现半导体装置的结构，是沿Y轴方向的剖面图。图3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具有：/n散热器(101、201)，其至少下表面接地；/n半导体元件(102)，其配置于所述散热器(101、201)的上表面，并且被输入高频信号或输出高频信号；/n至少1根引线(104、105、204、205)，其经由导线(106、107、108)而与所述半导体元件(102)电连接，并且所述引线配置于所述散热器(101、201)的上方；以及/n模塑材料(109、209)，其覆盖所述引线(104、105、204、205)的一部分、所述散热器(101、201)的至少上表面和所述半导体元件(102)而形成，/n所述散热器(101、201)以俯视观察时一部分与所述引线(104、105、204、205)重叠的方式配置，/n在所述散热器(101、201)的俯视观察时与所述引线(104、105、204、205)重叠的位置的下表面的缘部形成比该位置的上表面的缘部更加凸出的至少1个第1凸部(101a、201a、101b、201b)，/n在所述散热器(101、201)的俯视观察时不与所述引线(104、105、204、205)重叠的位置的上表面的缘部形成比该位置的下表面的缘部更加凸出的至少1个第2凸部(101c、101d)。/n...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其具有：
散热器(101、201)，其至少下表面接地；
半导体元件(102)，其配置于所述散热器(101、201)的上表面，并且被输入高频信号或输出高频信号；
至少1根引线(104、105、204、205)，其经由导线(106、107、108)而与所述半导体元件(102)电连接，并且所述引线配置于所述散热器(101、201)的上方；以及
模塑材料(109、209)，其覆盖所述引线(104、105、204、205)的一部分、所述散热器(101、201)的至少上表面和所述半导体元件(102)而形成，
所述散热器(101、201)以俯视观察时一部分与所述引线(104、105、204、205)重叠的方式配置，
在所述散热器(101、201)的俯视观察时与所述引线(104、105、204、205)重叠的位置的下表面的缘部形成比该位置的上表面的缘部更加凸出的至少1个第1凸部(101a、201a、101b、201b)，
在所述散热器(101、201)的俯视观察时不与所述引线(104、105、204、205)重叠的位置的上表面的缘部形成比该位置的下表面的缘部更加凸出的至少1个第2凸部(101c、101d)。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述散热器(101、201)的所述第1凸部(101a、201a、101b、201b)从所述模塑材料(109)露出，
所述散热器(101、201)的下表面及所述第1凸部(101a、201a、101b、201b)接地。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
在所述散热器(201)的俯视观察时不与所述引线(204、205)重叠的位置的上表面的缘部形成至少1个切入部(226、227、228、229)，
所述模塑材料(209)填充于所述切入部(226、227、228、229)。


4.一种高频功率放大器，其具有权利要求1至3中任一项所述的半导体装置。


5.一种半导体装置，其具有：
散热器(201)，其至少下表面接地；
半导体元件(102)，其配置于所述散热器(201)的上表面，并且被输入高频信号或输出高频信号；
至少1根引线(204、205)，其经由导线(106、107、108)而与所述半导体元件(102)电连接，并且所述引线配置于所述散热器(201)的上方；以及
模塑材料(209)，其覆盖所述引线(204、205)的一部分、所述散热器(201)的至少上表面和所述半导体元件(102)而形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅田智之，野上洋一，堀口健一，山部滋生，美保谕志，向井谦治，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP