半导体构造及制造方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体构造。所述半导体构造包括模塑层以及第一电容器。所述第一电容器包括位于所述模塑层内的第一垂直导电结构、位于所述模塑层内的第二垂直导电结构、以及位于所述第一垂直导电结构与所述第二垂直导电结构之间的第一高介电常数介电材料。

Semiconductor construction and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体构造及制造方法
本专利技术实施例是有关于一种半导体构造及制造方法。
技术介绍
半导体构造用于许多种电子器件，例如移动电话、膝上型计算机、台式计算机、平板计算机、手表、游戏系统以及各种其他工业电子产品、商业电子产品及消费者电子产品。半导体构造一般来说包括有源组件及无源组件。有源组件包括晶体管、处理器及存储器，而无源组件则是会影响有源组件的操作的组件(例如，电容器)。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种半导体构造包括模塑层以及第一电容器。所述第一电容器包括位于所述模塑层内的第一垂直导电结构、位于所述模塑层内的第二垂直导电结构、以及位于所述第一垂直导电结构与所述第二垂直导电结构之间的第一高介电常数介电材料。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1到图13A示出根据一些实施例的半导体构造在各个制作阶段的示意性剖视图。图13B示出根据一些实施例的半导体构造在制作期间的示意性俯视图。图14到图22示出根据一些实施例的半导体构造在各个制作阶段的示意性剖视图。[符号的说明]100：半导体构造101、103、112、114、115、117、119、954、972、973、974：导电元件102：有源器件104、105、106、107、108、109、111：垂直导电结构110：介电材料116、952、956、962：绝缘层118：模塑层120：管芯贴合膜202：第一电容器204：第二电容器206：第三电容器208：第四电容器221：第一距离/箭头222：第二距离/箭头223：第一开口224：第三距离/箭头225：第二开口226：第四距离/箭头227：第三开口228、230：箭头229：第四开口302：导电接垫602：薄层699：中间支撑介质802、932：光刻胶804：晶种层806、957：开口902、966：导电材料922：模塑化合物958：导电材料层具体实施方式以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的若干不同的实施例或例子。以下阐述组件及构造的具体例子以简化本公开。当然，这些仅为例子而非旨在进行限制。举例来说，在以下说明中，在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成附加特征从而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开在各种例子中可重复使用参考编号或字母。此种重复使用是为了简明及清晰起见，而自身并不表示所论述的各个实施例或配置之间的关系。此外，为易于说明，本文中可能使用例如“在…下方(beneath)”、“在…下方(below)”、“下部的(lower)”、“在…上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所示出的取向外还囊括器件在使用或操作中的不同取向。装置可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。一些实施例涉及一种半导体构造。根据一些实施例，所述半导体构造包括至少两个电容器，其中第一电容器与第二电容器共享垂直导电结构。第一电容器包括第一垂直导电结构及第二垂直导电结构，其中在第一垂直导电结构与第二垂直导电结构之间设置有第一介电材料。第二电容器包括第二垂直导电结构及第三垂直导电结构，其中在第二垂直导电结构与第三垂直导电结构之间设置有第二介电材料。根据一些实施例，第一电容器具有基于第一垂直导电结构与第二垂直导电结构之间的第一距离而定的第一电容。根据一些实施例，第一电容器的第一电容基于第一介电材料的组合物而定。根据一些实施例，第二电容器具有基于第二垂直导电结构与第三垂直导电结构之间的第二距离而定的第二电容。根据一些实施例，第二电容器的第二电容基于第二介电材料的组合物而定。根据一些实施例，第一距离不同于第二距离，以使得第一电容不同于第二电容。根据一些实施例，第一介电材料的组合物不同于第二介电材料的组合物以使得第一电容不同于第二电容。根据一些实施例，第一距离不同于第二距离，且第一介电材料的组合物不同于第二介电材料的组合物，以使得第一电容不同于第二电容。在一些实施例中，第二介电材料相同于第一介电材料或者具有与第一介电材料相同的组合物。在一些实施例中，所述相同的组合物表示相同的化学性质或相同的介电性质中的至少一者。图1到图22示出根据一些实施例的处于各个制作阶段的半导体构造100。参照图1，根据一些实施例，在中间支撑介质(intermediatesupportmedium)699上方形成(例如，沉积)绝缘层116。在一些实施例中，中间支撑介质699包含玻璃。在一些实施例中，中间支撑介质699是对光透明的。在一些实施例中，中间支撑介质699对紫外(ultraviolet，UV)波长的光是透明的。在一些实施例中，中间支撑介质699用作基础(fundation)、基底(base)或台板(table)以在制作阶段期间固持半导体构造。在一些实施例中，绝缘层116包含聚合物材料(在本文中也被称为聚合物)。在一些实施例中，所述聚合物包括聚苯并二恶唑(polybenzobisoxazole，PBO)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、或其他适用的材料中的至少一者。在一些实施例中，使用旋转涂布来施加聚合物。在一些实施例中，在绝缘层116与中间支撑介质699之间设置薄层(thinlayer)602。在一些实施例中，薄层602包括薄膜，例如光转移热转换(lighttransferheatconversion，LTHC)层。参照图2，根据一些实施例，在绝缘层116的一部分中形成一个或多个导电元件101、导电元件103及导电元件112。在一些实施例中，在绝缘层116中形成(例如，刻蚀)一个或多个开口，并在开口中形成(例如，沉积)晶种层。在一些实施例中，晶种层包括由导电金属形成的层。在一些实施例中，晶种层包含铜(Cu)、钛(Ti)、或其他适用的材料中的至少一种。在一些实施例中，导电金属是以生长或沉积中的至少一种方式形成在晶种层上方以形成导电元件101、导电元件103及导电元件112。在一些实施例中，利用电化学镀覆(electrochemicalplating，ECP)来形成导电金属。尽管图中未示出，然而在一些实施例中，导电元件101、导电元件103及导电元件112中的一者或多者的最顶面突出于绝缘层116的最顶面的上方。参照图3，在绝缘层116上方形成光刻胶802且将光刻胶802图案化成具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体构造，其特征在于，包括：/n模塑层；以及/n第一电容器，包括：/n第一垂直导电结构，位于所述模塑层内；/n第二垂直导电结构，位于所述模塑层内；以及/n第一高介电常数介电材料，位于所述第一垂直导电结构与所述第二垂直导电结构之间。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,134;20190122 US 16/253,9391.一种半导体构造，其特征在于，包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈焕能，廖文翔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71