半导体封装件及其制造方法技术

一种半导体封装件包括重布线结构、至少一个半导体装置、散热组件及包封材料。所述至少一个半导体装置设置在所述重布线结构上且电连接到所述重布线结构。所述散热组件设置在所述重布线结构上且包括凹陷部分及延伸部分，所述凹陷部分接纳所述至少一个半导体装置，所述延伸部分连接到所述凹陷部分且接触所述重布线结构，其中所述凹陷部分接触所述至少一个半导体装置。所述包封材料设置在所述重布线结构之上，其中所述包封材料填充所述凹陷部分且包封所述至少一个半导体装置。

Semiconductor package and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体封装件及其制造方法。
技术介绍
由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续提高，半导体行业已经历快速增长。在很大程度上，集成密度的此种提高来自于最小特征尺寸(minimumfeaturesize)的重复减小，此使得更多组件能够集成到给定区域中。随着近来对小型化、更高的速度及更大的带宽以及更低的功耗及延迟的需求增长，对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需要也增加。随着半导体装置尺寸减小，装置的密度增大。然而，随着处理能力的提高，封装装置产生的热量也增加了。如所预期的，在封装装置中存在的过多热量可能会且通常会降低装置性能。长时间曝光在过高温度下可能会降低装置的可靠性并缩短装置的工作寿命。
技术实现思路
本专利技术是针对一种半导体封装件及其制造方法，其能提高半导体封装件的热性能及散热效率，还减少了界面之间的热阻。根据本专利技术的实施例，一种半导体封装件包括重布线结构、至少一个半导体装置、散热组件以及包封材料。半导体装置设置在所述重布线结构上且电连接到所述重布线结构。散热组件设置在所述重布线结构上且包括凹陷部分及延伸部分，所述凹陷部分接纳所述至少一个半导体装置，所述延伸部分连接到所述凹陷部分且接触所述重布线结构，其中所述凹陷部分连接所述至少一个半导体装置。包封材料设置在所述重布线结构之上，其中所述包封材料填充所述凹陷部分且包封所述至少一个半导体装置。根据本专利技术的实施例，一种半导体封装件的制造方法包括下列步骤。在载体上提供散热组件，其中所述散热组件包括凹陷部分；在所述凹陷部分中设置至少一个半导体装置；在所述载体上形成包封材料，其中所述包封材料填充所述凹陷部分并包封所述至少一个半导体装置；在所述包封材料及所述散热组件之上形成重布线结构，其中所述重布线结构接触所述散热组件且电连接到所述至少一个半导体装置；以及移除所述载体。根据本专利技术的实施例，一种半导体封装件的制造方法包括下列步骤。在载体上形成重布线结构；在所述重布线结构上安装至少一个半导体装置；在所述重布线结构上设置散热组件，其中所述散热组件包括用于接纳及连接所述至少一个半导体装置的凹陷部分；在所述重布线结构之上形成包封材料，其中所述包封材料填充所述凹陷部分且包封所述至少一个半导体装置；以及移除所述载体。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1到图8示出根据一些实施例的半导体封装件的制造工艺中的各个阶段的示意性剖视图。图9示出根据一些实施例的散热组件的示意性俯视图。图10示出根据一些实施例的半导体封装件的制造工艺中的阶段的示意性剖视图。图11示出根据一些实施例的半导体封装件的示意性剖视图。图12到图16示出根据一些实施例的半导体封装件的制造工艺中的各个阶段的示意性剖视图。[符号的说明]20：载体21：离型层30：框架40：刀锯100、100'、100”：半导体封装件101：集成电路晶片110、110'：散热组件112、112'：凹陷部分114、114'：延伸部分116：切口117、124：界面材料120a：半导体装置/第一半导体装置120b：半导体装置/第二半导体装置122a：导电块122b：导电柱125：焊料材料130：包封材料140、140'：重布线结构142、142'：重布线路层/最上重布线路层144、144'：介电层150：电连接件200：封装组件S1：有源表面S2：后表面具体实施方式以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列方式的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例而非旨在进行限制。举例来说，在以下说明中，在第二特征之上或第二特征上形成第一特征可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成附加特征从而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开在各种实例中可重复使用参考编号和/或字母。此种重复使用是为了简明及清晰起见，且自身并不表示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。此外，为易于说明，本文中可能使用例如“在…之下(beneath)”、“在…下方(below)”、“下部的(lower)”、“在…上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。装置可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。图1到图8示出根据一些实施例的半导体封装件的制造工艺中的各个阶段的示意性剖视图。在示例性实施例中，本文所公开的半导体封装件的制造工艺可为晶片级封装工艺的一部分。在一些实施例中，示出一个半导体装置来代表晶片的多个半导体装置，且示出一个单一封装件来代表从接下来的半导体制造工艺所获得的多个半导体封装件。图8所示的半导体封装件100的制造工艺可包括以下步骤。参照图1，在一些实施例中，提供载体20。载体20可为玻璃载体、陶瓷载体或适用于半导体封装件100的制造工艺的任意载体。载体20可具有圆形俯视形状且可具有硅晶片的大小。在一些实施例中，载体20可涂布(coated)离型层(例如，图12所示的离型层21)。离型层的材料可为聚合物基质(polymer-based)的材料或适用于将载体20从设置在载体20上的上方组件剥离的任意材料。举例来说，离型层可为紫外(ultra-violet，UV)固化粘合剂、热固化粘合剂、光学透明粘合剂(opticalclearadhesive)或光热转换(light-to-heatconversion，LTHC)粘合剂等，但是也可使用其他类型的离型层。另外，离型层也可适于允许光或信号通过。应注意，离型层及载体20的材料仅用于例示，且本公开并非仅限于此。接着，在载体20上提供散热组件110。在一些实施例中，散热组件110包括凹陷部分112及延伸部分114。在一些实施例中，凹陷部分112设置在载体20上以使得凹陷部分112的底表面抵靠着载体20，且延伸部分114连接到凹陷部分112且如图1所示地往远离载体20的方向延伸。凹陷部分112被配置成用于接纳至少一个半导体装置(例如，图2及图3所示半导体装置120a、120b)。在本实施例中，散热组件110可呈例如冲压金属散热器(stampedmetalheatsink)的形式，但本公开并非仅限于此。换句话说，散热组件110可通过对金属片进行冲压以在散热组件110上形成至少一个凹本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：/n重布线结构；/n至少一个半导体装置，设置在所述重布线结构上且电连接到所述重布线结构；/n散热组件，设置在所述重布线结构上且包括凹陷部分及延伸部分，所述凹陷部分接纳所述至少一个半导体装置，所述延伸部分连接到所述凹陷部分且接触所述重布线结构，其中所述凹陷部分连接所述至少一个半导体装置；以及/n包封材料，设置在所述重布线结构之上，其中所述包封材料填充所述凹陷部分且包封所述至少一个半导体装置。/n

【技术特征摘要】
20181028 US 16/172,8421.一种半导体封装件，其特征在于，包括：
重布线结构；
至少一个半导体装置，设置在所述重布线结构上且电连接到所述重布线结构；
散热组件，设置在所述重布线结构上且包...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈世伟，陈志华，潘信瑜，蔡豪益，庄立朴，郭庭豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71