电子装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开提供一种电子装置以及其制造方法。该电子装置包含一半导体元件、一绝缘层、至少一个接触插塞以及一滤波元件。该绝缘层设置于该半导体元件上。该接触插塞穿透该绝缘层。该滤波元件设置于该绝缘层以及该接触插塞上。该滤波元件包括一底部电极、一隔离层、一顶部电极以及一介电层。该底部电极分为一第一线段以及一第二线段，该第一线段与该接触插塞连接，该第二线段与该第一线段分开。该隔离层设置于该底部电极上。该顶部电极设置于该隔离层中，且该介电层设置于该底部电极以及该顶部电极之间。

Electronic device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
电子装置及其制造方法
本公开主张2018/11/30申请的美国临时申请案第62/773,506号及2018/12/12申请的美国正式申请案第16/217,800号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种电子装置以及其制造方法，特别涉及一种具有集成滤波元件的电子装置以及该电子装置的制造方法。
技术介绍
使用半导体装置的集成电路装置可通过将多种独立电路装置集成到一个芯片中所制造，这些独立电路举例来说是电子场效晶体管、电阻器、电容器等。一般来说，这些独立装置一直以来持续地缩小尺寸以加强与操作速度和/或耗电相关的效能。举例来说，在动态随机存取存储器(DRAM)中，改善操作速度以及耗电的需求已经使得DRAM装置的集成化增加。然而，当半导体装置的时钟频率增加以达到更快操作速度时，噪声也会随着增加。在DRAM中，当操作速度增加时，噪声可能也会增加，使得操作速度降低。上文的“现有技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置，包括：/n一半导体元件；/n一绝缘层，设置于该半导体元件上；/n至少一个接触插塞，穿透该绝缘层；以及/n一滤波元件，设置于该绝缘层以及该接触插塞上，该滤波元件包括：/n一底部电极，分为一第一线段以及一第二线段，该第一线段与该接触插塞连接，该第二线段与该第一线段分开；/n一隔离层，该隔离层设置于该底部电极上；/n一顶部电极，该顶部电极设置于该隔离层中；以及/n一介电层，该介电层设置于该底部电极以及该顶部电极之间。/n

【技术特征摘要】
20181130 US 62/773,506;20181212 US 16/217,8001.一种电子装置，包括：
一半导体元件；
一绝缘层，设置于该半导体元件上；
至少一个接触插塞，穿透该绝缘层；以及
一滤波元件，设置于该绝缘层以及该接触插塞上，该滤波元件包括：
一底部电极，分为一第一线段以及一第二线段，该第一线段与该接触插塞连接，该第二线段与该第一线段分开；
一隔离层，该隔离层设置于该底部电极上；
一顶部电极，该顶部电极设置于该隔离层中；以及
一介电层，该介电层设置于该底部电极以及该顶部电极之间。


2.如权利要求1所述的电子装置，其中该隔离层还设置于该第一线段以及该第二线端之间的一间隙中。


3.如权利要求2所述的电子装置，其中该底部电极的一下表面与该绝缘层的一底部表面齐平，该绝缘层的底部表面是与该绝缘层的一顶部表面相对。


4.如权利要求3所述的电子装置，其中该介电层沿该隔离层的一顶部表面延伸，且该介电层环绕设置于该隔离层中的该顶部电极。


5.如权利要求1所述的电子装置，其中该顶部电极还设置于该隔离层的顶部表面之上。


6.如权利要求1所述的电子装置，其中该第二线段围绕该第一线段。


7.如权利要求1所述的电子装置，其中该第一线段所占用的空间小于该第二线段所占用的空间。


8.一种电子装置的制造方法，包括：
提供一毯状底部电极；
图案化该毯状底部电极以形成一第一线段以及与该第一线段分开的一第二线段；
沉积一隔离层于该第一线段上、该第二线段上、以及该第一线段与该第二线段之间的一间隙之上；
提供一第一光刻胶层于该隔离层上；
暴露该第一光刻胶层以形成一第一光刻胶图案，该第一光刻胶图案具有多个第一暴露部分以及多个第一未暴露部分；
提供一第二光刻胶层于该第一光刻胶图案上；
暴露该第二光刻胶层以形成一第二光刻胶图案，该第二光刻胶图案具有多个第二暴露部分以及多个第二未暴露部分；
进行一蚀刻工艺以于该第一暴露部分以及该第二暴露部分相交的交界处形成多个沟槽；
沉积一介电层于该隔离层上以及该沟槽中；以及
沉积一顶部电极于该介电层上。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：丘世仰，康庭慈，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71