鳍片结构及其制造方法技术

本公开关于一种鳍片结构及其制造方法。该鳍片结构包括：一基材以及至少一鳍片区域。该鳍片区域设于该基材上。该鳍片区域包括：一绝缘层以及一顶鳍层。该绝缘层设于该基材上。该顶鳍层设于该绝缘层上。该顶鳍层的至少一部分显露。该顶鳍层是一外延层。该绝缘层接触该顶鳍层。

Fin structure and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
鳍片结构及其制造方法相关申请的交叉引用本公开主张2018/11/20申请的美国临时申请案第62/769,911号及2019/1/28申请的美国正式申请案第16/259,688号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
本公开关于一种鳍片结构及其制造方法，特别关于一种用于鳍式场效晶体管(FinFET)的鳍片结构及其制造方法。
技术介绍
半导体装置对于许多现代设备非常必要.随着电子科技的进步，半导体装置提供越来越多功能与包含更多集成电路的同时，半导体装置也逐渐微小化。由于半导体装置逐渐微小化，鳍片结构被广泛应用于场效晶体管领域。为了避免漏电流，传统鳍片结构包括：基材及从基材延伸而出的鳍片区域。鳍片区域包括：绝缘层与顶鳍层。绝缘层电性绝缘顶鳍层与基材。然而，传统鳍片结构的制造方法具有许多复杂步骤且消耗大量时间与材料。鳍片区域的绝缘层是通过掺杂工艺以及氧化工艺而形成的。形成绝缘层的过程中，保护覆盖层会沉积至顶鳍层的周围，以防止顶鳍层氧化。绝缘层形成之后，会移除保护覆盖层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种鳍片结构的制造方法，包括：/n提供一基材；/n形成至少一凹槽于该基材的一上部中；/n形成一鳍片区域于该至少一凹槽中，其中该鳍片区域包括一绝缘层及位于该绝缘层之上的一顶鳍层；以及/n移除该基材的一部分，以显露该鳍片区域的至少一部分。/n

【技术特征摘要】
20181120 US 62/769,911;20190128 US 16/259,6881.一种鳍片结构的制造方法，包括：
提供一基材；
形成至少一凹槽于该基材的一上部中；
形成一鳍片区域于该至少一凹槽中，其中该鳍片区域包括一绝缘层及位于该绝缘层之上的一顶鳍层；以及
移除该基材的一部分，以显露该鳍片区域的至少一部分。


2.如权利要求1所述的制造方法，其中该基材是一单晶硅层。


3.如权利要求1所述的制造方法，其中该绝缘层包括通过一沉积工艺形成的氧化物材料。


4.如权利要求1所述的制造方法，其中该顶鳍层通过一外延成长工艺形成。


5.如权利要求4所述的制造方法，其中该顶鳍层包括外延单晶硅材料。


6.如权利要求1所述的制造方法，其中该基材的该部分是通过一蚀刻工艺移除。


7.如权利要求1所述的制造方法，其中该绝缘层使该顶鳍层与该基材的一基部电性绝缘。


8.如权利要求1所述的制造方法，其中该顶鳍层是于形成该绝缘层之后形成。


9.一种鳍片结构的制造方法，包括：
形成一上部于一基部上；
形成至少一凹槽于该上部中；
形成一鳍片区域于该至少一凹槽中；
形成一绝缘层于该鳍片区域中；以及
移除该上部的至少一部分，以显露该鳍片区域的至少一部分。


10.如权利要求9所述的制造方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄登烟，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71