【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体行业的迅猛发展，功率集成电路(powerintegratedcircuit，PIC)不断在多个领域中使用，如电机控制、平板显示驱动控制、电脑外设的驱动控制等等，PIC电路中所使用的功率器件中，双扩散金属氧化物半导体场效应管(doublediffusedMOSFET，DMOS)具有工作电压高、工艺简单、易于同低压互补金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor，CMOS)电路在工艺上兼容等特点而受到广泛关注。DMOS主要包括垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(verticaldoublediffusedMOSFET，简称VDMOS)和横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(lateraldoublediffusedMOSFET，简称LDMOS)。其中，LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容且能承受较高的击穿电压而在业内被广泛地采用。在LDMOS中...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底内的漂移区以及位于所述衬底上的栅极材料层；/n在所述栅极材料层上形成第一图形层，以所述第一图形层为掩膜，刻蚀所述栅极材料层，在所述栅极材料层内形成第一开口，所述第一开口露出所述衬底表面；/n以所述第一图形层为掩膜，对所述第一开口露出的衬底进行离子掺杂处理，在所述漂移区内形成初始体区；/n形成初始体区后，去除所述第一图形层；/n形成位于第一开口以及位于所述栅极材料层上的第二图形层，以所述第二图形层为掩膜，刻蚀所述栅极材料层，形成栅极层以及位于所述栅极层之间的第二开口，所述第二开口露出所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底内的漂移区以及位于所述衬底上的栅极材料层；
在所述栅极材料层上形成第一图形层，以所述第一图形层为掩膜，刻蚀所述栅极材料层，在所述栅极材料层内形成第一开口，所述第一开口露出所述衬底表面；
以所述第一图形层为掩膜，对所述第一开口露出的衬底进行离子掺杂处理，在所述漂移区内形成初始体区；
形成初始体区后，去除所述第一图形层；
形成位于第一开口以及位于所述栅极材料层上的第二图形层，以所述第二图形层为掩膜，刻蚀所述栅极材料层，形成栅极层以及位于所述栅极层之间的第二开口，所述第二开口露出所述衬底表面；
形成栅极层和第二开口后，去除所述第二图形层；
进行退火处理，使所述初始体区内的掺杂离子扩散至所述初始体区相邻栅极层底部的部分漂移区内，形成体区。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一图形层的材料为光刻胶。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述栅极材料层上形成第一图形层的工艺包括旋涂工艺。
4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一图形层的工艺为灰化工艺或湿法去胶工艺。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成体区后，所述形成方法还包括：在所述第一开口露出的体区内形成源区，在所述第二开口露出的漂移区内形成漏区。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子掺杂处理和漂移区内的掺杂离子类型不同，所述源区和漏区内的掺杂离子与所述漂移区内的掺杂离子类型相同。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子掺杂处理的掺杂离子为N型离子，所述漂移区内的掺杂离子为P型离子；或者，所述离子掺杂处理的掺杂离子为P型离子，所述漂移区内的掺杂离子为N型离子。
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【专利技术属性】
技术研发人员：夏泽坤，王远，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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