LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件技术

本申请公开了一种LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件，涉及半导体制造技术领域。该方法包括提供一衬底，在衬底上制作体区和漂移区；在体区内制作体接触区和源区，在漂移区内制作漏区；体接触区和源区之间有浅沟槽隔离；在衬底表面制作栅极；沉积层间介质层；在层间介质层制作接触孔和矩形槽阵列；接触孔与体接触区、源区、漏区、栅极分别连接，矩形槽阵列位于漂移区的上方；其中，矩形槽阵列包括若干个矩形槽，矩形槽的开口宽度小于接触孔的开口宽度，矩形槽的开口宽度逐渐减小；解决了传统的LDMOS器件的击穿电压受到器件尺寸的限制的问题；达到了提高LDMOS器件的击穿电压和可靠性的效果。

LDMOS device manufacturing method and LDMOS device

【技术实现步骤摘要】
LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件。
技术介绍
LDMOS(LateralDouble-DiffusedMOSFET，横向双扩散金属氧化物半导体场效应管)器件是一种常用的功率器件，击穿电压和导通电阻为衡量其性能的重要指标。击穿电压是衡量LDMOS器件性能的重要参数，指的是在保证不被击穿的情况下，LDMOS器件的漏极和栅极之间能够施加的最大电压。在传统的LDMOS器件上，击穿电压和导通电阻互相限制，只能在导通电阻和击穿电压之间取得一个平衡点，目前已经可以采取栅极场板或金属场板，使得击穿电压得到一定的提高。
技术实现思路
为了解决相关技术的问题，本申请提供了一种LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件。该技术方案如下：第一方面，本申请实施例提供了一种LDMOS器件的制作方法，该方法包括：提供一衬底，在衬底上制作体区和漂移区；在体区内制作体接触区和源区，在漂移区内制作漏区；体接触区和源区之间有浅沟槽隔离；在衬底表面制作栅极；沉积层间介质层；在层间介质层制作接触孔和矩形槽阵列；接触孔与体接触区、源区、漏区、栅极分别连接，矩形槽阵列位于漂移区的上方；其中，矩形槽阵列包括若干个矩形槽，矩形槽的开口宽度小于接触孔的开口宽度，矩形槽的开口宽度逐渐减小。可选的，在矩形槽阵列中，矩形槽的开口长度相同，矩形槽的开口宽度等比例缩小。可选的，LDMOS器件为N型LDMOS器件；矩形槽阵列位于N型漂移区的上方。可选的，LDMOS器件为P型LDMOS器件；矩形槽阵列位于P型漂移区的上方。第二方面，本申请实施例提供了一种LDMOS器件，至少包括在衬底中的体区和漂移区，体区内包括体接触区和源区，体接触区和源区之间设置有浅沟槽隔离，漂移区的一端设置有漏区，栅极设置在衬底表面；体接触区、源区、漏区和栅极分别通过接触孔引出层间介质层；层间介质层内还包括矩形槽阵列，矩形槽阵列位于漂移区的上方；其中，矩形槽阵列包括若干个矩形槽，矩形槽的开口宽度小于接触孔的开口宽度，矩形槽的开口宽度逐渐减小。可选的，在矩形槽阵列中，矩形槽的开口长度相同，矩形槽的开口宽度等比例缩小。可选的，栅极两侧设置有栅极侧墙。可选的，栅极下方设置有介质层；介质层的材料为二氧化硅。可选的，体区和漂移区位于N型深阱的上方。可选的，体接触区、源区、漏区和栅极的表面分别设置有硅化物合金层。可选的，矩形槽和接触孔内填充有钨。可选的，LDMOS器件为N型LDMOS器件；矩形槽阵列位于N型漂移区的上方。可选的，LDMOS器件为P型LDMOS器件；矩形槽阵列位于P型漂移区的上方。本申请技术方案，至少包括如下优点：通过在衬底上制作体区和漂移区，在体区内制作体接触区和源区，在漂移区内制作漏区，体接触区和源区之间有浅沟槽隔离，在漂移区内制作漏区，在衬底表面制作栅极，沉积层间介质层，在层间介质层制作接触孔和矩形槽阵列，矩形槽阵列位于漂移区的上方，矩形槽阵列包括若干个矩形槽，矩形槽的开口宽度小于接触孔的开口宽度，矩形槽的开口宽度逐渐减小，增加了由矩形槽阵列构成的场板结构，解决了传统的LDMOS器件的击穿电压受到器件尺寸的限制的问题；达到了提高LDMOS器件的击穿电压和可靠性的效果。附图说明为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的一种LDMOS器件的制作方法的流程图；图2是本申请实施例提供的一种LDMOS器件的局部剖视图；图3是本申请实施例提供的一种LDOMS器件的局部俯视图。具体实施方式下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。请参考图1，本申请实施例提供了一种LDMOS器件的制作方法的流程图，该方法可以包括如下步骤：步骤101，提供一衬底，在衬底上制作体区和漂移区。通过光刻工艺、离子注入工艺在衬底上分别制作体区和漂移区。可选的，LDMOS器件制作在P型衬底上。衬底中具有N型深阱，体区和漂移区位于N型深阱的上方。需要说明的是，当LDMOS器件是N型LDMOS器件时，在衬底上制作P型体区和N型漂移区；当LDMOS器件是P型LDMOS器件时，在衬底上制作N型体区和P型漂移区。步骤102，在体区内制作体接触区和源区，在漂移区内制作漏区。体接触区和所述源区之间设置有浅沟槽隔离。在体区内刻蚀出浅沟槽，利用二氧化硅填充浅沟槽，完成浅沟槽隔离的制作。通过光刻工艺、离子注入工艺在体区内分别制作体接触区和源区，体接触区和源区之间为浅沟槽隔离。可选的，在体区内远离漂移区的一端有浅沟槽隔离。在漂移区内远离体区的一端，通过光刻工艺、离子注入工艺制作漏区。可选的，在漂移区内远离体区的一端还制作有浅沟槽隔离。步骤103，在衬底表面制作栅极。在衬底表面沉积介质层，在介质层上制作栅极，栅极的两侧设置有栅极侧墙。步骤104，沉积层间介质层。在衬底表面沉积层间介质层。步骤105，在层间介质层制作接触孔和矩形槽阵列，接触孔与体接触区、源区、漏区、栅极分别连接，矩形槽阵列位于漂移区的上方。当LDMOS器件是N型LDMOS器件时，矩形槽阵本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供一衬底，在所述衬底上制作体区和漂移区；/n在所述体区内制作体接触区和源区，在所述漂移区内制作漏区；所述体接触区和所述源区之间有浅沟槽隔离；/n在所述衬底表面制作栅极；/n沉积层间介质层；/n在所述层间介质层制作接触孔和矩形槽阵列；所述接触孔与所述体接触区、所述源区、所述漏区、所述栅极分别连接，所述矩形槽阵列位于所述漂移区的上方；/n其中，所述矩形槽阵列包括若干个矩形槽，所述矩形槽的开口宽度小于所述接触孔的开口宽度，所述矩形槽的开口宽度逐渐减小。/n

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底，在所述衬底上制作体区和漂移区；
在所述体区内制作体接触区和源区，在所述漂移区内制作漏区；所述体接触区和所述源区之间有浅沟槽隔离；
在所述衬底表面制作栅极；
沉积层间介质层；
在所述层间介质层制作接触孔和矩形槽阵列；所述接触孔与所述体接触区、所述源区、所述漏区、所述栅极分别连接，所述矩形槽阵列位于所述漂移区的上方；
其中，所述矩形槽阵列包括若干个矩形槽，所述矩形槽的开口宽度小于所述接触孔的开口宽度，所述矩形槽的开口宽度逐渐减小。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述矩形槽阵列中，所述矩形槽的开口长度相同，所述矩形槽的开口宽度等比例缩小。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述LDMOS器件为N型LDMOS器件；
所述矩形槽阵列位于N型漂移区的上方。


4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述LDMOS器件为P型LDMOS器件；
所述矩形槽阵列位于P型漂移区的上方。


5.一种LDMOS器件，其特征在于，至少包括在衬底中的体区和漂移区，所述体区内包括体接触区和源区，所述体接触区和所述源区之间设置有浅沟槽隔离，所述漂移区的一端设置有漏区，栅极设置在所述衬底表面；
所述体接触区、所述源区、所述漏区和所述栅极分别通过接触孔引出层间介质层；
所述层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊文，陈华伦，陈瑜，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32