闪存的制作方法技术

公开了一种闪存的制作方法，包括：提供一衬底，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域用于集成闪存单元器件，第二区域用于集成逻辑器件，衬底上形成有氧化层，第一区域的氧化层上形成有字线多晶硅，字线多晶硅两侧的氧化层上形成有第一多晶硅层，第一多晶硅层上方形成有第二多晶硅层，第一多晶硅层和第二多晶硅层之间形成有第一隔离层，第一多晶硅层、第二多晶硅层和字线多晶硅之间形成有第二隔离层，字线多晶硅暴露的区域形成有第三隔离层，第二区域的氧化层上形成有第三多晶硅层，字线多晶硅的顶部高于第三多晶硅层的顶部；依次形成第一硬掩模层和第二硬掩模层；去除第二区域的第二硬掩模层；在第二区域形成栅极；在第一区域形成浮栅和控制栅。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种闪存的制作方法。

技术介绍

1、采用非易失性存储(non-volatile memory，nvm)技术的存储器目前被广泛应用于智能手机、平板电脑、数码相机、通用串行总线闪存盘(universal serial bus flashdisk，usb闪存盘，简称“u盘”)等具有存储功能的电子产品中。

2、nvm存储器中，闪存(flash)具有传输效率高，成本较低的特点，通常，用于集成闪存的晶圆上形成有闪存单元(cell)器件构成的存储阵列以及逻辑(logic)器件构成的外围电路。

3、相关技术中，在闪存的制作过程中，在控制栅(control gate，cg)和浮栅(floatgate，fg)的形成过程中，由于闪存单元区和外围电路区存在高度差，在涂布光阻和底部抗反射涂层(bottom anti-reflection coating，barc)后，字线(word line，wl)上方的光阻和barc较薄，在刻蚀中会导致字线上方的氧化层损失过大，有较高的几率导致字线在刻蚀后出现凹陷缺陷(poly pit本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种闪存的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩模层包括二氧化硅层，所述第二硬掩模层包括氮化硅层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除所述第二区域的第二硬掩模层，包括：

4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述第一隔离层和所述第二隔离层包括ONO层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一区域的衬底中形成有第一STI结构，所述第二区域的衬底中形成有第二STI结构。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二区域的栅极形成于所述第二...

【技术特征摘要】

1.一种闪存的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩模层包括二氧化硅层，所述第二硬掩模层包括氮化硅层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除所述第二区域的第二硬掩模层，包括：

4.根据权利要求1至3任一所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈权豪，程国庆，王会一，周海洋，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：