温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了一种闪存的制作方法，包括：提供一衬底，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域用于集成闪存单元器件，第二区域用于集成逻辑器件，衬底上形成有氧化层，第一区域的氧化层上形成有字线多晶硅，字线多晶硅两侧的氧化层上形成有第一多晶硅层，第一多晶硅层...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。