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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底、衬底内的漂移区以及衬底上的栅极材料层；在栅极材料层上形成第一图形层，以第一图形层为掩膜刻蚀栅极材料层，形成露出衬底表面的第一开口；以第一图形层为掩膜，对第一开口露出的衬底进行离子...该专利属于中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。