沟槽型VDMOS器件及其制造方法技术

本发明专利技术供一种沟槽型VDMOS器件的制造方法及其制造方法，该制造方法包括在对具有掩膜的N型外延层形成的第一沟槽进行栅极氧化层、N型多晶硅的沉积处理；采用湿法工艺去除掩膜；形成体区，在N型多晶硅侧面形成掩膜侧墙，并对N型外延层进行第二沟槽刻蚀；在第二沟槽底部沉积形成隔离层，去除掩膜侧墙，在N型外延层上形成源区，去除隔离层；依次形成介质层、接触孔、金属层和电极引线。由此制造方法获得的沟槽型VDMOS器件，体区和金属层之间短接性能良好，不寄生NPN二极管，因而具有良好的E

Grooved VDMOS device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
沟槽型VDMOS器件及其制造方法
本专利技术属于VDMOS器件
，尤其涉及一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法。
技术介绍
半导体功率器件是电力电子系统进行能量控制和转换的基本电子元器件，其可控特性决定了电力电子系统的效率、体积和重量。自从垂直导电双扩散新结构的半导体功率器件诞生以来，以期独特的高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度、由于的频率特性和良好的热稳定性等，使得电力电子技术得到了迅速发展。垂直导电双扩散半导体功率器件的代表主要是沟槽型垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(简称VDMOS)，其集合了双极晶体管和普通MOS器件的优点。常规的沟槽型VDMOS器件的制造方法如下(具体参阅图1～11)：(1).在N型外延层2(N型外延层2与N型衬底1一体化)上方通过光刻刻蚀的方式形成带有开口的掩膜3，掩膜3的材料可以是氧化硅、氮化硅、氧化铝等，其厚度通常视沟槽的深度而定，通常情况下，沟槽深度越深，掩膜的厚度越厚，具体如图1、2所示；(2).在掩膜3的阻挡下，对N型外延层2进行第一沟槽21的刻蚀，具体如图3所示；...

【技术保护点】
1.一种沟槽型VDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S01.提供包括N型外延层的N型衬底；/n步骤S02.在N型外延层表面进行掩膜处理，获得带有开口的掩膜；/n步骤S03.在所述掩膜的阻挡下，对N型外延层进行刻蚀处理，形成第一沟槽；/n步骤S04.在所述第一沟槽里生长栅极氧化层，并沉积N型多晶硅；/n步骤S05.对步骤S04获得的N型多晶硅进行回刻处理，使得N型多晶硅和所述掩膜齐平；/n步骤S06.采用湿法工艺去除所述掩膜；/n步骤S07.在所述N型外延层表面进行体区的自对准注入和驱入，形成器件体区，并在所述N型多晶硅侧壁形成掩膜侧墙；/n步骤S08.在所述掩膜侧墙的阻挡...

【技术特征摘要】
1.一种沟槽型VDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01.提供包括N型外延层的N型衬底；
步骤S02.在N型外延层表面进行掩膜处理，获得带有开口的掩膜；
步骤S03.在所述掩膜的阻挡下，对N型外延层进行刻蚀处理，形成第一沟槽；
步骤S04.在所述第一沟槽里生长栅极氧化层，并沉积N型多晶硅；
步骤S05.对步骤S04获得的N型多晶硅进行回刻处理，使得N型多晶硅和所述掩膜齐平；
步骤S06.采用湿法工艺去除所述掩膜；
步骤S07.在所述N型外延层表面进行体区的自对准注入和驱入，形成器件体区，并在所述N型多晶硅侧壁形成掩膜侧墙；
步骤S08.在所述掩膜侧墙的阻挡下，对所述N型外延层进行第二沟槽的刻蚀处理，形成第二沟槽；
步骤S09.在所述第二沟槽底部沉积形成一层隔离层；
步骤S10.采用湿法腐蚀工艺去除所述掩膜侧墙，使得所述体区露出；
步骤S11.对露出的所述体区进行源区的注入和驱入，形成源区；
步骤S12.采用湿法腐蚀工...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明，刘国梁，赵圣哲，李理，
申请(专利权)人：深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44