一种芯片打标方法及芯片技术

本申请属于半导体技术领域，提供了一种芯片打标方法及芯片，通过在芯片衬底上形成光刻胶层，然后在芯片衬底的指定区域进行激光打标，采用湿法工艺去除芯片衬底上的光刻胶层，最后采用洗涤塔工艺洗刷芯片衬底的表面，从而带走隐藏在打标后的孔内以及飘散在芯片衬底表面的打标颗粒，满足打标后对残留颗粒的工艺要求，解决了目前芯片打标后的颗粒残留的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片打标方法及芯片


[0001]本申请属于半导体
，尤其涉及一种芯片打标方法及芯片。

技术介绍

[0002]作为第三代半导体材料的代表，氮化镓(GaN)具有许多优良的特性，例如，具有高临界击穿电场、高电子迁移率、高二维电子气浓度和良好的高温工作能力等有点。GAN芯片制造时，为识别片号通常会采用打标工艺，然而，打标后会产生大量的颗粒并黏附在GAN片表面，导致缺陷超标，因此，亟待一种新工艺来降低打标后的颗粒残留。

技术实现思路

[0003]为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种芯片打标方法及芯片，旨在解决芯片打标后的颗粒残留较多的问题。
[0004]本申请实施例第一方面提供了一种芯片打标方法，所述芯片打标方法包括：
[0005]在芯片衬底上形成光刻胶层；
[0006]在所述芯片衬底的指定区域进行激光打标；
[0007]采用湿法工艺去除所述芯片衬底上的光刻胶层；
[0008]采用洗涤塔工艺洗刷所述芯片衬底的表面。
[0009]在一个实施例中，所述在芯片衬底上形成光刻胶层，包括：
[0010]采用旋涂工艺在所述芯片衬底涂布厚度小于3um的光刻胶材料；其中，所述芯片衬底为氮化镓衬底。
[0011]在一个实施例中，所述光刻胶材料的厚度为1um。
[0012]在一个实施例中，所述在所述芯片衬底的指定区域进行激光打标，包括：
[0013]采用激光工艺在所述芯片衬底的平边位置刻蚀形成深槽，以形成预设标识；其中，所述深槽的厚度大于所述光刻胶层的厚度。
[0014]在一个实施例中，所述深槽的厚度至少为所述光刻胶层的厚度的2倍。
[0015]在一个实施例中，所述采用湿法工艺去除所述芯片衬底上的光刻胶层，包括：
[0016]将所述芯片衬底浸泡在NMP溶液中，以去除所述光刻胶层；其中，所述NMP溶液的温度为60℃
‑
100℃。
[0017]在一个实施例中，所述NMP溶液的温度为85℃，浸泡时间为30分钟。
[0018]在一个实施例中，所述采用洗涤塔工艺洗刷所述芯片衬底的表面，包括：
[0019]在所述去离子水中加入二氧化碳形成洗涤液；
[0020]在超声波条件下采用洗涤液对所述芯片衬底的表面进行刷洗；其中，超声波的频率为30kHz
‑
50kHz。
[0021]在一个实施例中，所述芯片衬底在洗涤塔工艺中处于旋转状态，所述芯片衬底的旋转速度为2500rpm
‑
3500rpm。
[0022]本申请实施例提供了一种芯片，所述芯片采用如上述任一项实施例所述的芯片打
标方法进行打标。
[0023]本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是：通过在芯片衬底上形成光刻胶层，然后在芯片衬底的指定区域进行激光打标，采用湿法工艺去除芯片衬底上的光刻胶层，最后采用洗涤塔工艺洗刷芯片衬底的表面，从而带走隐藏在打标后的孔内以及飘散在芯片衬底表面的打标颗粒，满足打标后对残留颗粒的工艺要求，解决了目前芯片打标后的颗粒残留的问题。
附图说明
[0024]图1是本申请一个实施例提供的芯片打标方法的流程示意图；
[0025]图2是本申请一个实施例提供的在芯片衬底上形成光刻胶层的剖面示意图；
[0026]图3是本申请一个实施例提供的在芯片衬底上形成光刻胶层的俯视示意图；
[0027]图4是本申请一个实施例提供的在芯片衬底上形成标识的剖面示意图；
[0028]图5是本申请一个实施例提供的在芯片衬底上形成标识的俯视示意图；
[0029]图6是本申请一个实施例提供的在芯片衬底上去除光刻胶层的剖面示意图；
[0030]图7是本申请一个实施例提供的在芯片衬底上去除光刻胶层的俯视示意图；
[0031]图8是本申请一个实施例提供的一种对芯片衬底表面进行冲刷的示意图；
[0032]图9是本申请一个实施例提供的另一种对芯片衬底表面进行冲刷的示意图。
具体实施方式
[0033]为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0034]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
[0035]需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0036]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
[0037]在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”、“一些实施例”或“实施例”意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”、“在一个具体实施例中”、“在一个具体应用中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。此外，在一个或多个实施例中，可以以任何合适的方式组合特定的特征、结
构或特性。
[0038]作为第三代半导体材料的代表，氮化镓(GaN)具有许多优良的特性，例如，具有高临界击穿电场、高电子迁移率、高二维电子气浓度和良好的高温工作能力等有点。GAN芯片制造时，为识别片号通常会采用打标工艺，然而，打标后会产生大量的颗粒并黏附在GAN片表面，导致缺陷超标，因此，亟待一种新工艺来降低打标后的颗粒残留。
[0039]为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种芯片打标方法，旨在消除芯片打标后的颗粒残留不达标的问题。
[0040]在一个实施例中，结合图1所示，本实施例中的芯片打标方法包括：步骤S100至步骤S400。
[0041]在步骤S100中，结合图2所示，在芯片衬底510上形成光刻胶层520。
[0042]在本实施例中，可以通过旋涂、填充或者印刷等工艺在芯片衬底510涂覆光刻胶材料，从而在芯片衬底的正面形成光刻胶层。
[0043]在一个具体应用实施例中，结合图3所示，光刻胶层520完全覆盖于芯片衬底510本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片打标方法，其特征在于，所述芯片打标方法包括：在芯片衬底上形成光刻胶层；在所述芯片衬底的指定区域进行激光打标；采用湿法工艺去除所述芯片衬底上的光刻胶层；采用洗涤塔工艺洗刷所述芯片衬底的表面。2.如权利要求1所述的芯片打标方法，其特征在于，所述在芯片衬底上形成光刻胶层，包括：采用旋涂工艺在所述芯片衬底涂布厚度小于3um的光刻胶材料；其中，所述芯片衬底为氮化镓衬底。3.如权利要求2所述的芯片打标方法，其特征在于，所述光刻胶材料的厚度为1um。4.如权利要求1所述的芯片打标方法，其特征在于，所述在所述芯片衬底的指定区域进行激光打标，包括：采用激光工艺在所述芯片衬底的平边位置刻蚀形成深槽，以形成预设标识；其中，所述深槽的厚度大于所述光刻胶层的厚度。5.如权利要求4所述的芯片打标方法，其特征在于，所述深槽的厚度至少为所述光刻胶层的厚度的2倍。6.如权利要求1所述的芯片打标方法，其特征在于，所述采用湿法工艺去除所述芯片衬底上的光...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨鑫洁，陈定平，张啸，
申请(专利权)人：深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：