一种非对称图形的图案化方法技术

本发明专利技术提供了一种非对称图形的图案化方法，包括以下步骤：在待蚀刻材料层表面形成第一掩膜层，通过第一掩膜层定义预设对称图案；将对称图案转移至待蚀刻材料层内，形成第一图案结构；在第一图案结构表面形成第二掩膜层，通过第二掩膜层定义预设非对称图案；将非对称图案转移至待蚀刻材料层内，形成第二图案结构；第一图案结构与第二图案结构叠加形成非对称图形结构。本发明专利技术是针对图形加工工艺的改进，主要是将非对称图形分解为对称图案与非对称图案，并分别进行加工，避免了由非对称图形造成的图形扭曲，改善了器件电学性能的均一性，可广泛应用在DRAM的有源区结构上，表现为阵列中晶体管关态电流的分布更为集中，操作窗口得到改善。口得到改善。口得到改善。

【技术实现步骤摘要】
一种非对称图形的图案化方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件制备
，特别涉及一种非对称图形的图案化方法。

技术介绍

[0002]当前主流的DRAM产品普遍采用6F2器件结构，其中有源区(AA)均设计为错位排布以实现最终电容器的最密堆叠，这种错位排布给图形加工工艺带来了挑战，由于有源区周边不对称的图形分布以及蚀刻工艺中不可避免的钝化效应，图7为三家不同制造商生产的1X DRAM器件的有源区俯视图，白色部分为有源区结构，版图设计为均匀的鳍片，最终实现在产品上可见明显的图形扭曲；图8为图形扭曲的成因分析(a为刻蚀前硬掩膜的顶视图，b为A、B两区域的图形刻蚀对比，c为鳍片刻蚀后的顶视图)，由于图形的不对称性，A点左侧的图形开放区域会在蚀刻过程中形成更多的副产物，这些副产物附着在A点导致钝化过度而造成图形扭曲，并且该钝化是一种累积效应，有源区底部的图形扭曲会明显大于顶部，样品的纵向刨面形貌也证实了这一点；图9为针对DRAM有源区形状扭曲进行的器件漏电流模拟，结果显示，鳍片形状会对关态电流产生很显著的影响。
[0003]由此可见，现有的图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非对称图形的图案化方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基底；在基底上形成待蚀刻材料层(2)；在待蚀刻材料层(2)表面形成第一掩膜层，通过第一掩膜层定义预设对称图案(1)；通过第一次蚀刻工艺，将所述对称图案(1)转移至所述待蚀刻材料层(2)内，形成第一图案结构(3)；在所述第一图案结构(3)表面形成第二掩膜层，通过第二掩膜层定义预设非对称图案(4)；通过第二次蚀刻工艺，将所述非对称图案(4)转移至所述待蚀刻材料层(2)内，形成第二图案结构(5)；所述第一图案结构(3)与所述第二图案结构(5)叠加形成非对称图形结构。2.根据权利要求1所述的一种非对称图形的图案化方法，其特征在于，所述第一掩膜层为硬掩膜层(6)，所述硬掩膜层(6)有对称图案(1)；所述第二掩膜层为抗反射层(7)，所述抗反射层(7)有非对称图案(4)。3.根据权利要求2所述的一种非对称图形的图案化方法，其特征在于，所述第一图案结构(3)为周期性的线条形、圆形、椭圆形或不规则图形。4.根据权利要求2所述的一种非对称图形的图案化方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹晓明，周俊，韩宝东，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：