用于带沟槽晶圆三层胶一次曝光一次显影的金属剥离方法技术

本发明专利技术公开一种用于带沟槽晶圆三层胶一次曝光一次显影的金属剥离方法，包括在晶圆表面上包括凹槽内依次旋涂或喷涂第一层感光光刻胶、不感光的光刻胶和另一层感光光刻胶，共三层胶，之后再选择光刻板进行一次曝光，依次进行一次显影、溅射金属、超声波浸泡和剥离。本发明专利技术在光刻显影后，沟槽光刻胶可全部干净，沟槽外平台倒角横向长度可到1.1微米

【技术实现步骤摘要】
用于带沟槽晶圆三层胶一次曝光一次显影的金属剥离方法


[0001]本专利技术属于半导体金属剥离
，涉及一种用于带沟槽晶圆三层胶一次曝光一次显影的金属剥离方法。

技术介绍

[0002]众所周知，在半导体晶圆加工过程中均存在金属剥离的工艺，一般采用单层负性光刻胶通过曝光显影调整倒角的方式来进行金属蒸镀，但是负性光刻胶会存在采用溅射的方式剥离时会有残金丝和金属碎屑难以去除干净的问题。现在比较常用的就是采用双层胶搭配一次曝光，底层的不感光光刻胶(透光)和上层的感光光刻胶进行曝光显影，通过调整显影时间来调整倒角的大小，以匹配金属溅射的角度。双层胶剥离比单层负性光刻胶剥离容易很多，但是双层胶底层的不感光光刻胶在见光和不见光后于显影液里的溶解速率是一样的，又因为在最底部旋涂时最厚，要协调槽内的不感光光刻胶和感光光刻胶全部显干净，会出现带有沟槽的晶圆槽内显干净时槽外平台倒角超出工艺范围致使上层感光光刻胶坍塌的问题，而在剥离后会有残余金属丝存在而导致电特性和外观不良。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种用于带沟槽晶圆三层胶一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.用于带沟槽晶圆三层胶一次曝光一次显影的金属剥离方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，选取高低不平刻蚀槽的晶圆(1)；步骤2，在晶圆(1)表面上包括凹槽内旋涂或喷涂第一层感光光刻胶(3)；步骤3，在第一层固化的感光光刻胶(3)上面旋涂或喷涂不感光光刻胶(2)，进行软烤；步骤4，在固化的不感光光刻胶(2)上旋涂或喷涂第二层感光光刻胶(3)，进行软烤；步骤5，选择光刻板，在第二层感光光刻胶(3)上进行一次曝光、一次显影；步骤6，移走光刻板，向显影之后的晶圆(1)上溅射金属，使得晶圆(1)显影干净的图形区域得到相应的金属图形；步骤7，采用有机溶液超声浸泡和剥离工艺，使得要剥离区域第一层感光光刻胶(3)胶层、不感光光刻胶(2)胶层、第二层感光光刻胶(3)胶层以及上层金属层(5)同时剥离。2.如权利要求1所述的用于带沟槽晶圆三层胶一次曝光一次显影的金属剥离方法，其特征在于，所述感光光刻胶(3)为正性光刻胶或者...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘阿娟，侯鹏，
申请(专利权)人：陕西光电子先导院科技有限公司，
类型：发明
国别省市：