晶片处理方法技术

本发明专利技术公开一种晶片处理方法，包含提供晶片，晶片具有第一位置及第二位置，第一位置以参考方向朝向第二位置；涂布光致抗蚀剂液于晶片上；进行加热制作工艺，加热涂布有光致抗蚀剂液的晶片，以在晶片上形成光致抗蚀剂层；其中，进行加热制作工艺时，晶片的温度沿参考方向渐增，使光致抗蚀剂层的厚度沿参考方向渐减。减。减。

【技术实现步骤摘要】
晶片处理方法


[0001]本专利技术涉及一种晶片处理方法，尤其涉及一种使单一晶片上具有连续厚度变化的光致抗蚀剂层的晶片处理方法。

技术介绍

[0002]半导体制作工艺技术一般以线宽(linewidth)作为评估制作工艺品质的指标，线宽也称作临界尺寸(critical dimension,CD)，临界尺寸越小表示一片晶片上可具有更多的电子元件，使产品体积减小。然而具有不同光致抗蚀剂层厚度的晶片在整个制作工艺中光致抗蚀剂层所吸收的能量与晶片的反射率都有所不同，导致制作工艺的不稳定进而影响临界尺寸，其中临界尺寸与光致抗蚀剂层厚度的关系呈一正弦波形，此情形称作摇摆曲线(Swing Curve)。
[0003]因此，半导体厂商会进行临界尺寸抽检测量以寻求最佳临界尺寸与最佳光致抗蚀剂层厚度，现有的作法是于涂布光致抗蚀剂的旋转涂布机上设定不同的转速，转速越快所形成的光致抗蚀剂层厚度越薄，以此方式产出多片具有不同光致抗蚀剂层厚度的晶片，在执行后续的曝光、显影制作工艺之后测量其临界尺寸，依据光致抗蚀剂层厚度以及所测量出的临界尺寸拟合出一正弦对应波形，以求本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片处理方法，其特征在于，包含：提供晶片，所述晶片具有第一位置及第二位置，所述第一位置以参考方向朝向所述第二位置；涂布光致抗蚀剂液于所述晶片上；进行加热制作工艺，加热涂布有所述光致抗蚀剂液的所述晶片，以在所述晶片上形成光致抗蚀剂层；其中，进行所述加热制作工艺时，所述晶片的温度沿所述参考方向渐增，使所述光致抗蚀剂层的厚度沿所述参考方向渐减。2.如权利要求1所述的晶片处理方法，其特征在于，所述第一位置与所述第二位置之间的间隔长度等于所述晶片的直径长度。3.如权利要求1所述的晶片处理方法，其特征在于，利用加热装置进行所述加热制作工艺，所述加热装置包括第一加热单元、第二加热单元与第三加热单元。4.如权利要求3所述的晶片处理方法，其特征在于，所述第一加热单元、所述第二加热单元与所述第三加热单元分别以第一设定温度、第二设定温度与第三设定温度对所述晶片进行加热，其中所述第一设定温度小于所述第二设定温度，且所述第二设定温度小于所述第三设定温度。5.如权利要求4所述的晶片处理方法，其特征在于，所述第一加热单元、所述第二加热单元与所述第三加热单元沿所述参考方向依序设置，在进行所述加热制作工艺后，在所述第一位置上的部分所...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗诺纬，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：