管理用于压印的多目标对准制造技术

提供了用于在压印(例如单面或双面)中管理多目标对准的系统和方法。一种示例系统，包括：辊，其用于移动模板卷；平台，其用于保持衬底；分配器，其用于在衬底上分配抗蚀剂；光源，其用于当模板卷的模板被压入衬底上的抗蚀剂中时，固化抗蚀剂以在衬底上形成印记；第一检查系统，其用于配准模板的基准标记以确定模板偏移；第二检查系统，其用于配准衬底上的印记，以确定印记的目标位置和实际位置之间的晶片配准偏移；以及控制器，其用于基于模板偏移来控制将具有抗蚀剂的衬底移动到模板下面，并且基于晶片配准偏移来确定衬底上的印记的覆盖偏置。偏置。偏置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】管理用于压印的多目标对准
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求题为“管理用于压印的多目标对准”并且于2020年8月7日提交的美国专利申请号63/062,527的权益。


[0003]本公开大体涉及压印技术，特别地涉及具有多目标对准的压印。

技术介绍

[0004]当开发用于从幅材(web)上的模板(或图案)在衬底上创建单面压印或双面压印的工艺、工具或两者时，存在许多挑战要克服。挑战可能包括：将衬底与模板对准，将压印与衬底上的抗蚀剂对准，以及对准衬底的相对侧上的压印。

技术实现思路

[0005]本公开描述了用于管理用于压印(例如，单面压印或双面压印)的多目标对准的方法、装置和系统，其可以解决上文所提到的挑战。
[0006]本公开的一方面的特征在于一种压印方法，包括：沿着辊牵引模板卷，所述模板卷包括具有模板和所述模板的模板基准标记的模板场；测量所述模板的所述模板基准标记以确定模板偏移；基于压印对准偏移，在平台上移动具有抗蚀剂的衬底以在所述模板卷的所述模板下面，所述压印对准偏移至少部分地基于所述模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种压印方法，包括：沿着辊牵引模板卷，所述模板卷包括具有模板和所述模板的模板基准标记的模板场；测量所述模板的所述模板基准标记以确定模板偏移；基于压印对准偏移，在台上移动具有抗蚀剂的衬底以在所述模板卷的所述模板下面，所述压印对准偏移至少部分地基于所述模板偏移确定，所述抗蚀剂在所述衬底的第一侧上；将所述模板卷的所述模板压入所述衬底上的所述抗蚀剂中；固化所述抗蚀剂以在所述衬底上形成印记，所述印记具有对应于所述模板的压印特征和对应于所述模板的所述模板基准标记的印记印记基准标记；测量所述压印的所述印记印记基准标记，以确定与所述印记印记基准标记相关联的实际基准位置和目标基准位置之间的晶片配准偏移；以及至少部分地基于所述晶片配准偏移来确定所述印记在所述衬底的所述第一侧上的覆盖偏置。2.根据权利要求1所述的压印方法，其中，所述压印对准偏移至少部分地基于加载偏移来确定。3.根据权利要求2所述的压印方法，其中，所述加载偏移至少部分地基于另一衬底上的先前压印工艺来确定。4.根据权利要求2或3所述的压印方法，其中，所述压印对准偏移至少部分地基于印记标称校正来确定。5.根据权利要求4所述的压印方法，其中，所述压印对准偏移是所述模板偏移、所述加载偏移和所述印记标称校正的和。6.根据权利要求2至5中的任一项所述的压印方法，其中，确定所述印记在所述衬底上的覆盖偏置包括：至少部分地基于所述加载偏移来确定所述覆盖偏置。7.根据权利要求6所述的压印方法，其中，所述覆盖偏置被确定为所述晶片配准偏移减去所述加载偏移。8.根据权利要求2至7中的任一项所述的压印方法，还包括：根据至少部分地基于所述加载偏移确定的分配对准偏移，将所述平台上的所述衬底移动到抗蚀剂分配器下面。9.根据权利要求8所述的压印方法，其中，所述分配对准偏移至少部分地基于分配偏移来确定，所述分配偏移提供用于印记的校正以抵抗从标称分配位置的居中化。10.根据权利要求9所述的压印方法，其中，所述分配对准偏移至少部分地基于分配标称校正来确定。11.根据权利要求10所述的压印方法，其中，所述分配对准偏移是所述加载偏移、所述分配偏移和所述分配标称校正的和。12.根据权利要求8至11中的任一项所述的压印方法，还包括：测量具有所述印记的所述衬底的图像，以确定印记到衬底图像偏移或印记到抗蚀剂图像偏移中的至少一个。13.根据权利要求12所述的压印方法，还包括：
基于所述印记到衬底图像偏移或所述印记到抗蚀剂图像偏移中的至少一个来更新所述分配对准偏移。14.根据权利要求13所述的压印方法，还包括：使用所述更新的分配对准偏移，用所述模板卷的所述模板迭代地压印第二衬底。15.根据权利要求13或14所述的压印方法，还包括：基于所述印记到衬底图像偏移来更新所述加载偏移，其中，所述分配对准偏移基于所述更新的加载偏移来更新。16.根据权利要求14所述的压印方法，其中，所述更新的加载偏移与将所述印记到衬底图像偏移乘以常数的结果和所述加载偏移的和相同。17.根据权利要求13至16中的任一项所述的压印方法，还包括：基于所述印记到抗蚀剂图像偏移来更新所述分配偏移，其中，所述分配对准偏移基于所述更新的分配偏移来更新。18.根据权利要求17所述的压印方法，其中，所述更新的分配偏移与将所述印记到抗蚀剂图像偏移乘以第二常数的结果和所述分配偏移的和相同。19.根据权利要求18所述的压印方法，其中，所述第二常数由应用、机器学习或经验数据中的至少一个确定。20.根据权利要求12至19中的任一项所述的压印方法，其中，测量具有所述印记的所述衬底的图像，以确定印记到衬底图像偏移或印记到抗蚀剂图像偏移中的至少一个包括：通过使用检查系统测量具有所述印记的衬底的图像。21.根据权利要求8至20中的任一项所述的压印方法，还包括：根据指定图案在所述衬底的所述第一侧上分配抗蚀剂液滴。22.根据任何前述权利要求所述的压印方法，其中，所述衬底经由卡盘保持在所述平台上。23.根据权利要求22所述的压印方法，其中，所述卡盘包括具有比所述卡盘的其他区域更好的图像对比度的测量区域，以及其中，所述衬底保持在所述卡盘上，其中所述衬底上的所述印记的所述印记基准标记在所述测量区域内。24.根据权利要求23所述的压印方法，其中，所述卡盘的所述测量区域用硅材料插入。25.根据任何前述权利要求所述的压印方法，其中，测量所述模板的所述模板基准标记以确定模板偏移包括：使用上视检查系统测量所述模板的所述模板基准标记。26.根据权利要求25所述的压印方法，其中，所述上视检查系统被定位在所述平台上。27.根据权利要求25或26所述的压印方法，其中，所述模板场包括用于一个或多个模板的多个基准标记，以及其中，所述上视检查系统包括多个相机，所述多个相机中的每一个被配置为捕获包括用于所述一个或多个模板的所述多个基准标记中的不同对应基准标记的图像。28.根据任何前述权利要求所述的压印方法，其中，测量所述印记的所述印记基准标记以确定晶片配准偏移包括：使用下视检查系统测量所述印记的所述印记基准标记。
29.根据权利要求28所述的压印方法，其中，所述下视检查系统基于所述平台在坐标系中配准，并且其中，测量所述印记的所述印记基准标记包括在所述坐标系中配准所述印记的所述印记基准标记。30.根据权利要求28或29所述的压印方法，其中，所述平台被配置为保持具有一个或多个印记的一个或多个衬底，以及其中，所述下视检查系统包括多个相机，所述多个相机中的每一个被配置为捕获包括所述一个或多个衬底上的所述一个或多个压印的不同对应基准标记。31.根据任何前述权利要求所述的压印方法，其中，测量所述模板的所述模板基准标记以确定模板偏移包括：在坐标系中配准所述模板的所述模板基准标记，以及其中，测量所述压印的所述印记基准标记以确定晶片配准偏移包括：在所述坐标系中配准所述印记基准标记。32.根据权利要求31所述的压印方法，其中，所述坐标系基于所述平台。33.根据权利要求32所述的压印方法，其中，所述坐标系是具有X方向、Y方向和θ方向的XYT坐标系。34.根据任何前述权利要求所述的压印方法，其中，基于压印对准偏移，在平台上移动具有抗蚀剂的衬底以在所述模板卷的所述模板下面包括：控制保持所述衬底的所述平台相对于所述模板卷的牵引速度的移动速度，使得所述模板卷的所述模板基于所述压印对准偏移与所述衬底对准。35.根据任何前述权利要求所述的压印方法，还包括：在将所述模板场压印在所述衬底上的所述抗蚀剂上之前，执行至少一个模拟压印序列，其中移动所述模板卷上的所述模板场而不与所述衬底上的所述抗蚀剂接触。36.根据任何前述权利要求所述的压印方法，还包括：翻转具有所述印记的衬底，并且将所述翻转的衬底加载在所述平台上，其中所述第一侧面向所述平台，并且第二侧背离所述平台，所述第二侧与所述第一侧相对；测量所述翻转印记的翻转印记基准标记，以确定与所述翻转印记基准标记相关联的第二实际基准位置和第二目标基准位置之间的第二晶片配准偏移；在所述模板卷的所述模板场中测量第二模板的第二模板基准标记以确定第二模板偏移；基于第二压印对准偏移，在所述模板卷的所述模板场中，在所述第二侧上移动具有第二抗蚀剂的所述翻转衬底以在所述第二模板下面，所述第二压印对准偏移是基于所述第二模板偏移、所述第二晶片配准偏移和所述覆盖偏置来确定的；将所述模板卷的所述第二模板压入所述翻转衬底上的所述第二抗蚀剂中；固化所述第二抗蚀剂以在所述第二侧上形成第二印记，所述第二印记具有对应于所述第二模板的第二压印特征和对应于所述第二模板的所述第二模板基准标记的第二印记基准标记；测量所述第一侧上的所述翻转压印的所述翻转印记基准标记和所述第二侧上的所述第二印记的所述第二印记基准标记，以确定与所述翻转印记基准标记和所述第二印记基准标记相关联的实际基准偏移和目标基准偏移之间的双面覆盖误差；以及
基于所述双面覆盖误差来确定所述第一侧上的所述翻转印记和所述第二侧上的所述第二印记之间的双面覆盖偏置。37.根据权利要求36所述的压印方法，还包括：将所述覆盖偏置更新为所述双面覆盖偏置；以及基于所述更新的第二覆盖偏置，使用所述模板卷的所述第二模板迭代地压印第二衬底。38.根据权利要求36或37所述的压印方法，其中，所述双面覆盖偏置与所述双面覆盖误差乘以常数的结果和先前的双面覆盖偏置的和相同。39.根据权利要求36至38中的任一项所述的压印方法，其中，所述第二压印对准偏移至少部分地基于第二印记标称校正来确定。40.根据权利要求39所述的压印方法，其中，所述第二压印对准偏移是所述第二模板偏移、所述第二晶片对准偏移、所述覆盖偏置和所述第二印记印记标称校正的和。41.根据权利要求36至40中的任一项所述的压印方法，还包括：根据至少部分地基于所述覆盖偏置和所述第二晶片配准偏移确定的第二分配对准偏移，将所述平台上的所述翻转衬底移动到抗蚀剂分配器下面。42.根据权利要求41所述的压印方法，其中，所述第二分配对准偏移至少部分地基于第二分配偏移来确定，所述第二分配偏移提供用于印记的校正以抵抗从第二标称分配位置居中。43.根据权利要求42所述的压印方法，其中，所述第二分配对准偏移至少部分地基于第二分配标称校正来确定。44.根据权利要求43所述的压印方法，其中，所述第二分配对准偏移是所述覆盖偏置、所述第二晶片对准偏移、所述第二分配偏移和所述第二分配标称校正的和。45.根据权利要求42至44中的任一项所述的印记方法，还包括：测量具有所述翻转的印记和所述第二印记的所述翻转衬底的图像，以确定第二压印到抗蚀剂图像偏移。46.根据权利要求45所述的压印方法，还包括：基于所述第二印记到抗蚀剂图像偏移来更新所述第二分配对准偏移。47.根据权利要求46所述的压印方法，还包括：基于所述第二印记到抗蚀剂图像偏移来更新所述第二分配偏移，其中，所述第二分配对准偏移基于所述更新的第二分配偏移来更新。48.根据权利要求47所述的压印方法，其中，所述更新的第二分配偏移与将所述第二印记到抗蚀剂图像偏移乘以常数的结果和所述第二分配偏移的和相同。49.根据权利要求47或48所述的压印方法，还包括：基于所述更新的第二分配对准偏移，使用所述模板卷的所述第二模板迭代地压印第二衬底。50.根据权利要求36至49中的任一项所述的压印方法，其中，所述翻转衬底经由卡盘保持在所述平台上，所述卡盘包括具有比所述卡盘的其他区域更好的图像对比度的测量区域，以及其中，所述翻转衬底保持在所述卡盘上，其中所述翻转印记的所述翻转印记基准标记
和所述第二印记的所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：奇跃公司，
类型：发明
国别省市：